Ткачук Андрій Іванович

Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок p-типу провідності на основі легованого бісмутом snte

Завантаження...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Матківський Остап Миколайович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: легованого, p-типу, плівок, властивостей, термоелектричних, бісмутом, спосіб, покращення, тонких, провідності, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 93185

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Чав'як Іван Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктурованого, р-типу, властивостей, покращення, термоелектричних, станум, спосіб, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей наноструктурованого станум телуриду p-типу, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину із наперед синтезованої сполуки випаровують при температурі ТВ, осаджують пару на підкладку із свіжих сколів (0001) слюди-мусковіт при температурі ТП, до досягнення певної товщини d, який відрізняється тим, що температура випарника складає ТВ=(870±10)К, температура підкладки -...

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Сукач Андрій Васильович, Ткачук Андрій Іванович, Тетьоркін Володимир Володимирович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/06, H01L 31/00 ...

Мітки: р-типу, шарів, полікристалічних, гетероструктурний, омічний, провідності, кадмію, телуриду, контакт

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Спосіб виготовлення маски для напилення омічних контактів у три-омега (3 w) методі вимірювання термоелектричних параметрів

Завантаження...

Номер патенту: 70485

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: C23C 14/04

Мітки: виготовлення, контактів, параметрів, три-омега, методі, омічних, вимірювання, спосіб, термоелектричних, маски, напилення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення маски для напилення омічних контактів у три-омега (3w) методі вимірювання термоелектричних параметрів, який полягає в тому, що на досліджуваний зразок наносять тонку смужку металу, що використовується у якості нагрівача, який відрізняється тим, що додатково виготовляють з пластинки із інструментальної сталі типу Р9 маску з чотирма квадратними отворами, через яку на металеву смужку-нагрівач наносять срібні омічні...

Спосіб покращення електричного контакту при вимірюванні теплопровідності

Завантаження...

Номер патенту: 70132

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович, Галущак Мар'ян Олексійович, Борик Віктор Васильович

МПК: G01R 27/08

Мітки: електричного, покращення, теплопровідності, спосіб, контакту, вимірюванні

Формула / Реферат:

Спосіб покращення електричного контакту при вимірюванні теплопровідності, який полягає в тому, що на досліджуваний зразок наносять тонку смужку металу, що використовується як нагрівач, який відрізняється тим, що на металеву смужку-нагрівач наносять додатково срібні омічні контакти осадженням з парової фази у вакуумі.

Спосіб комутації електричних сигналів при вимірюванні термоелектричних параметрів

Завантаження...

Номер патенту: 67492

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович, Борик Віктор Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Терлецький Андрій Іванович

МПК: G01K 7/00

Мітки: термоелектричних, сигналів, параметрів, вимірюванні, спосіб, комутації, електричних

Формула / Реферат:

Спосіб комутації електричних сигналів при вимірюванні термоелектричних параметрів, у якому використовують комірку з двома нагрівниками, хромелеві та алюмелеві термопари, генератор стабільного струму, який відрізняється тим, що комутацію між хромелевими та алюмелевими термопарами здійснюють за допомогою восьмипозиційного перемикача.

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур pbs

Завантаження...

Номер патенту: 60221

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Карпаш Максим Олегович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, термоелектричних, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі  який...

Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 54833

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Никируй Любомир Іванович, Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: свинцю, наноструктур, покращення, термоелектричних, спосіб, характеристик, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....