Сукач Андрій Васильович

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович, Ткачук Андрій Іванович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 31/06 ...

Мітки: гетероструктурний, контакт, р-типу, омічний, шарів, кадмію, телуриду, провідності, полікристалічних

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-cdte, легованого хлором

Завантаження...

Номер патенту: 76097

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Сукач Андрій Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Лоцько Олександр Павлович, Ворощенко Андрій Тарасович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/04

Мітки: хлором, p-cdte, спосіб, легованого, зразків, монокристалічних, виготовлення, омічних, високоомних, контактів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором, який включає різку монокристала CdTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразків в поліруючому травнику та виготовлення електричних контактів методом термовакуумного напилення золота, який відрізняєтьсятим, що зразки додатково відпалюють в інертній атмосфері впродовж 60-65 хв. при температурі 175-178 °C.

Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (t = 77 k) inas фотодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 47315

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Луцишин Ірина Григорівна, Сукач Андрій Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович, Лук'яненко Володимир Іванович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00, H01L 31/102 ...

Мітки: структура, p-n-переходу, охолоджуваних, фотодіодів, області, чутливої

Формула / Реферат:

Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини...

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода

Завантаження...

Номер патенту: 42419

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович

МПК: H01L 31/102, H01L 31/18, H01L 31/00 ...

Мітки: теплового, діода, виготовлення, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n

Спосіб виготовлення охолоджуваних (т=77 к) фоточутливих inas p-n-переходів

Завантаження...

Номер патенту: 41154

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Лук'яненко Володимир Іванович, Ворощенко Андрій Тарасович, Сукач Андрій Васильович, Луцишин Ірина Григорівна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/102, H01L 33/00 ...

Мітки: т=77, p-n-переходів, спосіб, виготовлення, охолоджуваних, фоточутлівих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення охолоджуваних (Т=77 К) фоточутливих InAs р-n-переходів, що включає дифузію акцепторної домішки кадмію в монокристалічні підкладки n-InAs у вакуумному замкненому об'ємі, наприклад вакуумованій кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що дифузія проводиться в інтервалі температур 570-650 °С протягом 15-60 хвилин, а як дифузант використовується сполука CdAs2.

Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі сdte

Завантаження...

Номер патенту: 28885

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Маслов Володимир Петрович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04, H01L 33/00 ...

Мітки: виготовлення, основі, спосіб, сdte, фотоприймачів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі CdTe, що базується на термічному випаровуванні вихідної речовини - телуриду кадмію у вакуумному квазізамкненому об'ємі при температурах 480-550 °С та конденсації з парової фази шару на діелектричній підкладці при температурах 380-450 °С, який відрізняється тим, що джерело випаровування і підкладку розташовували на малій (0,5-3,0 мм) відстані одне над одним, використовуючи для цього...