Студеняк Ігор Петрович

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Пал Юрій Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович, Копчанський Петер, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: композита, спосіб, 6св, рідкого, одержання, нематичного, основі, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Куцик Михайло Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Куш Петер

МПК: G01T 1/00

Мітки: рентгенівського, тонкої, міді, випромінювання, основі, реєстрації, матеріалу, застосування, cu6pse5i, плівки, йодид-пентаселенофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Мікула Маріан, Соломон Андрій Михайлович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: плівки, рентгенівського, тонкої, застосування, випромінювання, основі, матеріалу, міді, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, реєстрації

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Куцик Михайло Михайлович, Молнар Золтан Рудольфович, Кокенєші Олександр Олександрович, Макауз Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович

МПК: G03C 1/705

Мітки: системі, ag-as-s, інформації, допомогою, запису, пучка, матеріалу, тонких, застосування, електронного, плівках

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 13/04, C30B 9/00 ...

Мітки: кристалізації, cu1-xagx)7ges5i, розплаву-розчину, розчинів, методом, спрямовано, складу, твердих, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: G01T 7/02, G01T 5/10

Мітки: випромінювання, плівки, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, реєстрації, застосування, рентгенівського, матеріалу, тонкої, основі, міді

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: спрямовано, вирощування, кристалізації, cu7ges5i, методом, спосіб, розплаву-розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 11/02, C30B 1/06, C30B 29/46 ...

Мітки: методом, спосіб, кристалізації, спрямовано, ag7ges5i, вирощування, розплаву-розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Рибак Стефан Олександрович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Мікула Маріан

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: спосіб, твердоелектролітичного, міді, cu6ps5i, енергії, матеріалу, основі, йодид-пентатіофосфату, високопровідних, плівок, тонких, джерела, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 13/00, C30B 13/04, C30B 9/00 ...

Мітки: кристалізації, ag7ges5i, розчину, спрямовано, спосіб, методом, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Куцик Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Макауз Іван Іванович, Молнар Золтан Рудольфович

МПК: G03C 1/705, C03C 3/00

Мітки: пучка, плівках, системі, ag-as-s, тонких, матеріал, допомогою, запису, основі, електронного, інформації

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Рибак Стефан Олександрович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер

МПК: C01G 3/00, H01M 6/18, H01M 4/28 ...

Мітки: міді, cu6ps5i, джерела, одержання, йодид-пентатіофосфату, енергії, основі, твердоелектролітичного, матеріалу, спосіб, тонких, високопровідних, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Віктор Ігорович, Копчанський Петер, Тімко Мілан

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: провідника, нематичного, нього, рідкого, шляхом, суперіонного, cu6ps5i, внесення, провідності, підвищення, 6снвт, спосіб, електричної, кристалу, наночастинок

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Машіко Владислав Володимирович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: основі, бромід-пентатіофосфату, твердоелектролітичного, енергії, застосування, тонкої, матеріалу, cu6ps5br, джерела, міді, плівки

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Кокенєші Шандор, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Пал Юрій Олександрович, Куцик Михайло Михайлович, Бучук Михайло Юрійович

МПК: H05H 1/42

Мітки: плазмонного, халькогенідах, некристалічних, резонансу, керування, одержання, композитних, частотою, вигляді, матеріалів, спосіб, сандвіч-структур

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Машіко Владислав Володимирович, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: твердоелектролітичного, матеріалу, cu6ps5br, бромід-пентатіофосфату, міді, джерела, застосування, тонкої, плівки, енергії, основі

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Пал Юрій Олександрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: внесення, кристалу, суперіонного, електричної, підвищення, спосіб, рідкого, провідності, нематичного, наночастинок, провідника, нього, шляхом

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Віктор Ігорович, Ямковий Олександр Олександрович, Демко Павло Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: джерела, матеріалу, аморфної, твердоелектролітичного, cu6pse5i, основі, енергії, йодид-пентаселенофосфату, міді, застосування, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Біланчук Василь Васильович, Гуранич Павло Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: аморфної, джерела, плівки, cu7ges5i, енергії, основі, міді, застосування, йодид-пентатіогерманату, матеріалу, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/04

Мітки: cu7ps6, спосіб, монокристалів, розплаву, вирощування, спрямовано, кристалізації, купрум(і)гексатіофосфату, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: cu6ps5i, монокристалів, спосіб, методом, купрум(і)пентатіофосфату(v, кристалізації, спрямовано, вирощування, йодиду, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, кристалізації, розплаву, спрямовано, вирощування, cu6ps5br, броміду, методом, купрум(і)пентатіофосфату(v, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Завісова Власта, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович, Томашовічова Наталія, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: основі, композита, кристалу, провідності, підвищення, іонної, рідкого, нематичного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Тімко Мілан, Газова Зузана, Студеняк Ігор Петрович, Шіпошова Катаріна, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: ліотропного, лізозиму, концентрації, створення, спосіб, кристалу, магнітного, визначення, рідкого, оптимальної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: застосування, енергії, міді, матеріалу, твердоелектролітичного, cu7ges5i, аморфної, йодид-пентатіогерманату, основі, джерела, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Гуранич Павло Павлович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович

МПК: H01M 6/08

Мітки: основі, джерела, застосування, аморфної, енергії, йодид-пентаселенофосфату, твердоелектролітичного, міді, cu6pse5l, плівки, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C01G 35/00, C01G 5/00 ...

Мітки: одержання, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, ag6tas5i, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: пентатіофосфату-арсенату, монокристалів, вирощування, транспортних, хімічних, реакцій, розчинів, твердих, спосіб, йодиду, купрум, допомогою, cu6(pxas1-x)s5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Петраченков Олександр Євгенович, Кокенєші Олександр Олександрович, Раті Йосип Йосипович

МПК: B81C 1/00

Мітки: плівки, as2s3)0,4, одержання, спосіб, поверхні, ag-вмісних, віскерів, ag3ass3)0,6

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, монокристалу, джерела, твердоелектролітичного, енергії, міді, матеріал, йодид-пентаселеногерманату, cu7gese5i

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: спосіб, розплаву, cu6ps5br, монокристалів, спрямовано, вирощування, методом, пентатіофосфату(v, купрум(і, кристалізації, броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, кристалізації, вирощування, купрум(і, методом, cu6ps5i, спосіб, спрямовано, розплаву, пентатіофосфату(v, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: гексатіофосфату, спосіб, методом, монокристалів, купрум(і, кристалізації, вирощування, спрямовано, cu7ps6, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: аргентум(і, спосіб, йодиду, пентатіотанталату(v, ag6tas5i, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, монокристалів, cu6ps5(ci0,5i0,5, розчинів, хлорид-йодиду, вирощування, твердих, допомогою, пентатіофосфату, хімічних, спосіб, транспортних, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, реакцій, cu6ps5cl0,5br0,5, хімічних, пентатіофосфату, хлориду-броміду, вирощування, допомогою, спосіб, твердих, купрум, монокристалів, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Роман Юрійович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: основі, нанокристалічного, енергії, застосування, йодид-пентатіофосфату, cu6ps5i, матеріалу, суперіонної, міді, твердоелектролітичного, кераміки, джерела

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Поп Михайло Михайлович, Кокенєші Олександр Олександрович

МПК: C30B 28/00, C03C 23/00

Мітки: стеклах, одержання, спосіб, халькогенідних, наноструктурованого, поверхневого, шару

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: матеріалу, монокристалу, cu7ge(s0,7se0,3)5i, застосування, розчину, твердоелектролітичного, твердого, джерела, енергії

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович, Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: основі, йодид-пентатіофосфату, аморфної, міді, енергії, сu6ps5i, матеріалу, плівки, застосування, твердоелектролітичного, джерела

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.