H01L 33/00 — Напівпровідникові прилади щонайменше з одним потенційним бар’єром або з поверхневим бар’єром, спеціально призначені для світлового випромінювання; способи або пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки таких приладів або їх частин; конструктивні елементи таких приладів

Оптопара

Завантаження...

Номер патенту: 115905

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: G02B 1/10, G02B 27/00, G02B 1/115 ...

Мітки: оптопара

Формула / Реферат:

1. Оптопара, яка містить на одній підкладці випромінюючі та приймаючі світлове випромінювання активні елементи, що оптично з'єднані за допомогою оптичного ізолюючого покриття, яка відрізняється тим, що оптичне покриття утворене щонайменше з одного шару, отриманого з матеріалу халькогенідного склоподібного напівпровідника на основі багатокомпонентних систем, які містять Ge, Pb, Ga, As, Sb, S, Se, взятих у відповідних співвідношеннях, причому...

Спосіб одержання тонкої плівки

Завантаження...

Номер патенту: 116079

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Мостовий Андрій Ігорович, Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Солован Михайло Миколайович, Ковалюк Тарас Тарасович

МПК: H01L 33/00, C23C 14/00

Мітки: тонкої, одержання, плівки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонкої плівки Cu2ZnSnSe4, який включає нанесення на підкладку плівки за допомогою магнетронного напилення з мішеней Zn, Sn, Сu та подальшого відпалу протягом 15 хвилин в парах селену, який відрізняється тим, що для нанесення плівки за допомогою реактивного магнетронного напилення при постійній напрузі використовують мішень Cu2ZnSn стехіометричного складу, а процес селенізації проводять при 450 °C.

Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук cu2(m11)(m1v)(s,se)4 (m11: mn, fe, co, ni, zn, cd, hg; m1v: si, ge, sn) методом пульсуючого спрей-піролізу

Завантаження...

Номер патенту: 115891

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Доброжан Олександр Анатолійович, Курбатов Денис Ігоревич, Опанасюк Анатолій Сергійович

МПК: C23C 14/00, H01L 33/00

Мітки: сполук, плівок, пульсуючого, методом, полікристалічних, m11, спрей-піролізу, cu2(m11)(m1v)(s,se)4, нанесення, багатокомпонентних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук Cu2(MII)(MIV)(S, Se)4 (МII: Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, Hg; MIV: Si, Ge, Sn) методом пульсуючого спрей-піролізу, що включає розпилення початкового прекурсору, який містить розчин хлоридів (MII.IVmCln) або ацетатів (MII,IVm(CH2COOH)n) металів та тіомочевини (SC(NH2)2) на поверхню нагрітої підкладки з наступним формуванням відповідної плівки, який відрізняється тим, що розпилення...

Енергонакопичуючий процесор світла

Завантаження...

Номер патенту: 115164

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Осінський Володимир Іванович, Дягілєв Андрій Володимирович, Демінський Петро Віталійович, Масол Ігор Віталійович, Осінський Андрій

МПК: H05B 37/02, G01J 3/51, H01L 33/00, G09G 3/34 ...

Мітки: світла, процесор, енергонакопичуючий

Формула / Реферат:

1. Енергонакопичуючий процесор світла в діапазоні довжин хвиль 0,2-12 мкм (енестор), який на єдиній підкладці кремнію містить світлодіодні структури з люмінофором та світлодіодні структури червоного (Red), зеленого (Green) та блакитного (Blue) випромінювання (RGB) в єдиному конструктиві з джерелом енергії, сонячною батареєю, акумулятором енергії, мікрооптикою та транзисторними мікросхемами живлення і керування, в селективних областях єдиної...

Світлодіод білого світла з монокристалічним фосфором

Завантаження...

Номер патенту: 113542

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Саввін Юрій Миколайович, Танько Аліна Вікторівна, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: F21K 99/00, H01L 33/00

Мітки: фосфором, білого, світла, світлодіод, монокристалічним

Формула / Реферат:

Світлодіод білого світла з монокристалічним фосфором, який містить світлодіодний чип з максимумом випромінювання на довжині хвилі =450 нм, монокристалічний фосфор YAG:Ce з концентрацією церію 0,1-0,2 ат.%, товщиною пластини 0,5-1мм і рельєфом поверхні, який відрізняється тим, що середньоквадратична шорсткість рельєфу поверхні монокристалічного фосфору складає 0,72-6,4...

Багатоканальний інфрачервоний газоаналізатор

Завантаження...

Номер патенту: 112635

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Ланьо Галина Вікторівна, Максютова Олена Володимирівна, Питьовка Оксана Юріївна, Панченко Оксана Дмитрівна

МПК: G02B 1/10, G01N 21/61, G01N 21/35 ...

Мітки: інфрачервоний, газоаналізатор, багатоканальний

Формула / Реферат:

Багатоканальний інфрачервоний газоаналізатор, що містить вимірювальну кювету з прозорими для світлового випромінювання вікнами, оптичні елементи, оптично зв'язані датчики, які здатні випромінювати та приймати світлове випромінювання й з'єднані з блоком генерації та обробки електричних сигналів, в який входять аналогово-цифровий перетворювач, мікропроцесор і пристрій для індикації, який відрізняється тим, що кожен із двох датчиків містить...

Інфрачервоний газоаналізатор

Завантаження...

Номер патенту: 112634

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Питьовка Оксана Юріївна, Кабацій Василь Миколайович, Максютова Олена Володимирівна, Блецкан Дмитро Іванович, Ланьо Галина Вікторівна

МПК: G02B 1/10, G01N 21/61, G01N 21/35 ...

Мітки: газоаналізатор, інфрачервоний

Формула / Реферат:

Інфрачервоний газоаналізатор, що містить вимірювальну кювету з прозорими для світлового випромінювання вікнами, оптичні елементи, оптично зв'язані датчики, які здатні випромінювати та приймати світлове випромінювання й з'єднані з блоком генерації та обробки електричних сигналів, в який входять аналогово-цифровий перетворювач, мікропроцесор і пристрій для індикації, який відрізняється тим, що кожен із датчиків містить теплопровідну основу, на...

Фототранзистор

Завантаження...

Номер патенту: 111228

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Прядко Володимир Васильович, Романюк Ігор Степанович, Галочкин Олександр Вікторович, Раренко Ганна Іларівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фототранзистор

Формула / Реферат:

Фототранзистор на основі напівпровідникового шару довжиною а, товщиною b та шириною с (a>c>>b), розміщений між обкладинками конденсатора, який відрізняється тим, що обкладинка конденсатора та діелектричний прошарок зі сторони випромінювання, яке реєструється, виконано з оптично-прозорих у заданому діапазоні довжин хвиль електропровідного та діелектричного матеріалів (Сr та SiC, відповідно), при цьому товщина напівпровідникового...

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода

Завантаження...

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Кирюша Олексій Іванович, Тесленко Галина Іванівна, Малютенко Володимир Костянтинович, Сологуб Владислав Вікторович

МПК: G01R 31/26, H01L 33/00

Мітки: спосіб, ефективності, електричної, світлодіода, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода , який включає прикладання до світлодіода електричної напруги  в прямому напрямку, вимірювання вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що напругу прикладають в імпульсному режимі, тривалість і частоту імпульсу підбирають шляхом їх...

Спосіб виготовлення світловипромінюючого пристрою на основі нанокристалів кадмій телуриду

Завантаження...

Номер патенту: 103984

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Борук Сергій Дмитрович, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C30B 7/00, C01B 19/04, C01G 11/00 ...

Мітки: виготовлення, основі, пристрою, нанокристалів, кадмій, телуриду, світловипромінюючого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого у видимій спектральній області пристрою, який включає нанесення шару світловипромінюючої речовини в суміші з полімером на ультрафіолетовий світлодіод та подальше висушування, який відрізняється тим, що світловипромінюючою речовиною служить водний розчин стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe з концентрацією (1,1·0,1)10-5 моль/л із 50±1,5 % водним розчином полімеру, причому...

Спосіб одержання тонких плівок cu2znsns4 (czts)

Завантаження...

Номер патенту: 103918

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Солован Михайло Миколайович, Мостовий Андрій Ігорович, Майструк Едуард Васильович, Ковалюк Тарас Тарасович, Брус Віктор Васильович, Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C23C 14/35, H01L 33/00

Мітки: cu2znsns4, одержання, czts, тонких, спосіб, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.

Універсальний портативний світлодіодний освітлювач

Завантаження...

Номер патенту: 100663

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Ярославський Ярослав Іванович, Маліновський Вадим Ігоревич, Кузьменко Лілія Вікторівна

МПК: H01L 33/00, F21V 29/00

Мітки: освітлювач, портативний, універсальний, світлодіодний

Формула / Реферат:

Універсальний портативний світлодіодний освітлювач, який містить корпус, монтажну панель із розміщеним на ній світлодіодним випромінювачем, які оптично з'єднані із фокусуючим елементом та тепловідвідний елемент, який відрізняється тим, що в нього введено портативне джерело електроенергії, блок стабілізації струму, вимикач та контролер заряду, який електрично з'єднаний із джерелом електроенергії, яке через блок стабілізації струму електрично...

Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок

Завантаження...

Номер патенту: 94627

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: виготовлення, плівок, спосіб, графітових, нарисованих, гетероструктур, основі, фоточутлівих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок, що включає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що графітову плівку спочатку рисують на розчинній підкладці, а потім переносять на гладку або наноструктуровану поверхню напівпровідникової підкладки і формують якісний оптичний контакт.

Спосіб виготовлення фоточутливих діодів шотткі на основі плівок графіту

Завантаження...

Номер патенту: 92087

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: плівок, діодів, шотткі, спосіб, виготовлення, основі, графіту, фоточутлівих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих діодів Шотткі на основі плівок графіту, що передбачає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що нанесення графітової плівки здійснюють шляхом ковзання об'ємного зразка високочистого графіту при фіксованому навантаженні по підготовленій поверхні напівпровідникової підкладки.

Фотоприймач n-tin/p-cdte

Завантаження...

Номер патенту: 92086

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Солован Михайло Миколайович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач n-TiN / p-CdTe, який містить поглинач оптичного випромінювання з p-CdTe та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді свіжотравленої монокристалічної підкладки p-CdTe, на яку нанесена плівка n-TiN, що має щільну структуру.

Фотодіод на основі p-hg3in2te6

Завантаження...

Номер патенту: 92085

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Майструк Едуард Васильович, Солован Михайло Миколайович, Кафанов Анатолій Михайлович

МПК: H01L 33/00

Мітки: p-hg3in2te6, фотодіод, основі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.

Фотодіод на основі гетероструктури

Завантаження...

Номер патенту: 92084

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Кафанов Анатолій Михайлович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Мостовий Андрій Ігорович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотодіод, основі, гетероструктурі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а як фронтальний шар - плівка n-ТiO2.

Лампа світлодіодна з високоефективним тепловідведенням та рідинним охолоджувачем

Завантаження...

Номер патенту: 105976

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Гарасимчук Костянтин Андрійович, Носанов Микола Ілліч, Романова Тетяна Іванівна

МПК: H01L 33/00, F21V 29/00, F21L 4/00 ...

Мітки: охолоджувачем, світлодіодна, високоефективним, лампа, рідинним, тепловідведенням

Формула / Реферат:

Лампа світлодіодна, що містить напівсферичний розсіювач із полікарбонату, світлодіодний модуль (СДМ), розташований на плоскій поверхні корпуса із полімерного матеріалу, тепловідведення, металевий різьбовий цоколь, яка відрізняється тим, що розсіювач виконаний прозорим, СДМ виконаний у вигляді модуля Acrich2, причому корпус є основним тепловідведенням лампи і виконаний у вигляді зрізаного конуса з теплорозсіювального полімеру композитного...

Універсальний світлодіодний освітлювач для окулярів

Завантаження...

Номер патенту: 88396

Опубліковано: 11.03.2014

Автори: Маліновський Вадим Ігоревич, Ярославський Ярослав Іванович, Домбровський Олександр Георгійович, Кожем'яко Володимир Прокопович

МПК: F21V 29/00, H01L 33/00

Мітки: окулярів, освітлювач, світлодіодний, універсальний

Формула / Реферат:

Універсальний світлодіодний освітлювач для окулярів, який містить корпус, в якому розміщено світлодіодне джерело, портативне джерело електроенергії та вимикач, який відрізняється тим, що в нього введено драйвер електричного струму та фокусуючий оптичний елемент, який оптично з'єднаний із світлодіодним джерелом, а портативне джерело електроенергії, вимикач та драйвер послідовно електрично з'єднані із світлодіодним джерелом, пристрій також...

Спосіб виготовлення світловипромінюючого діода на основі нанокомпозитної органо-неорганічної гетероструктури

Завантаження...

Номер патенту: 82982

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ващенко Валерій Володимирович, Семиноженко Володимир Петрович, Погорелова Наталія Володимирівна, Крижановська Олександра Сергіївна, Саввін Юрій Миколайович, Матвієнко Оксана Олеговна

МПК: H01L 33/00

Мітки: основі, органо-неорганічної, світловипромінюючого, спосіб, виготовлення, діода, нанокомпозитної, гетероструктурі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого діода на основі нанокомпозитної планарної органо-неорганічної гетероструктури, що включає послідовне нанесення на підкладку з електропровідним покриттям ІТО дірково-інжекційного шару, дірково-транспортного шару, емісійного шару з напівпровідникових нанокристалів, електрон-інжекційного шару та катода, який відрізняється тим, що емісійний шар на основі напівпровідникових нанокристалів наносять у вигляді...

Гетерофотодіод

Завантаження...

Номер патенту: 80759

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Солован Михайло Миколайович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович

МПК: H01L 33/00

Мітки: гетерофотодіод

Формула / Реферат:

 Гетерофотодіод, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а нанесена на підкладку плівка n-TiN.

Спосіб виготовлення органічного світлодіода

Завантаження...

Номер патенту: 76968

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Черпак Владислав Володимирович, Готра Зенон Юрійович, Стахіра Павло Йосипович, Хом'як Семен Володимирович, Волинюк Дмитро Юрійович, Возняк Леся Юріївна

МПК: H01L 33/00

Мітки: органічного, світлодіода, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення органічного світлодіода, згідно якого на підкладці з електропровідним покриттям оксиду індію наносять дірково-транспортний шар, зверху наносять органічну напівпровідникову плівку трихінолінат алюмінію та поверх якої формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що дірково-транспортний шар виконаний з органічного напівпровідникового матеріалу...

Пристрій для виявлення локальних дефектних областей в p-n переходах пластин сонячних батарей

Завантаження...

Номер патенту: 76273

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: H01L 33/00

Мітки: виявлення, сонячних, батарей, дефектних, переходах, пластин, локальних, областей, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для виявлення локальних дефектних областей в p-n переходах пластин сонячних батарей, який містить нагрівний стіл, пластину сонячної батареї на нагрівному столі, полімерну плівку з диспергованим в ній холестеричним рідким кристалом на поверхні пластини сонячної батареї, контактний пристрій для подачі напруги до p-n переходу, джерело напруги, вимірювальні прилади, який відрізняється тим, що містить металеву платформу, контактний...

Комплекс для відеозйомки на цифровий фотоапарат в інфрачервоному діапазоні світла та в умовах недостатньої освітленості квзф-3

Завантаження...

Номер патенту: 76006

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Керницький Іван Степанович, Григоришин Олександр Миколайович, Цимбалюк Михайло Михайлович, Струс Василь Михайлович, Слижук Володимир Михайлович, Зачек Олег Ігорович

МПК: G03B 15/00, F21L 13/00, H01L 33/00 ...

Мітки: відеозйомки, квзф-3, діапазоні, цифровий, інфрачервоному, умовах, комплекс, фотоапарат, освітленості, світла, недостатньої

Формула / Реферат:

Комплекс для відеозйомки на цифровий фотоапарат в інфрачервоному діапазоні світла та в умовах недостатньої освітленості КВЗФ-3, що містить фотоапарат, до якого приєднано освітлювач, який містить корпус з кронштейном для кріплення на фотоапараті, матрицю із світлодіодів з дзеркальним рефлектором, закриту розсіюючим склом, акумуляторну батарею живлення з трьох циліндричних акумуляторів та вимикач живлення, який відрізняється тим, що матриця із...

Жезл інспектора даі модернізований з ультрафіолетовим підсвіченням для перевірки документів та алкотестером жм-4

Завантаження...

Номер патенту: 75208

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Слижук Володимир Михайлович, Цимбалюк Михайло Михайлович, Керницький Іван Степанович, Струс Василь Михайлович, Зачек Олег Ігорович, Григоришин Олександр Миколайович

МПК: F21L 13/00, H01L 33/00

Мітки: ультрафіолетовим, модернізований, жезл, інспектора, жм-4, даі, документів, алкотестером, перевірки, підсвіченням

Формула / Реферат:

1. Жезл інспектора ДАІ модернізований з ультрафіолетовим підсвіченням для перевірки документів та алкотестером містить корпус, що складається з елементів білого та чорного кольору, і руків'я, яке приєднується за допомогою різьби до корпусу, у руків'ї розміщено акумуляторну батарею, зарядний пристрій для заряджання акумуляторної батареї із штепсельною вилкою, яка закрита різьбовою кришкою, та світлодіодним індикатором заряджання, кнопку...

Спосіб конверсії енергії випромінювання джерел світла

Завантаження...

Номер патенту: 74351

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Кирєєв Володимир Петрович, Яловий Олександр Васильович, Пабат Анатолій Іванович

МПК: H01L 33/00, H01J 63/00

Мітки: світла, конверсії, випромінювання, джерел, спосіб, енергії

Формула / Реферат:

Спосіб конверсії енергії випромінювання джерел світла, що включає опромінювання невидимим інфрачервоним або ультрафіолетовим випромінюванням перетворювачів енергії випромінювання, який відрізняється тим, що як перетворювачі енергії невидимого інфрачервоного випромінювання, яке генерується лампами розжарювання, або невидимого ультрафіолетового випромінювання, яке генерується газорозрядними лампами, використовують виконані у вигляді...

Суперлюмінесцентне діодне джерело світла

Завантаження...

Номер патенту: 68640

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Демінський Петро Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Масол Ігор Віталійович

МПК: H01L 33/00, H05B 33/20

Мітки: світла, діодне, джерело, суперлюмінесцентне

Формула / Реферат:

Суперлюмінесцентне діодне джерело світла, що містить гетероструктурні чіпи, мікрорезонатори, яке відрізняється тим, що в один або декілька гетероструктурних чіпів введено мікрорезонатори когерентного випромінювання, котрі розміщені всередині або зовні випромінюючих гетеропереходів, під'єднаних окремо від гетероструктур спонтанних світлодіодів до системи управління та живлення, а гібридно-інтегральна структура виконана в гібридному або...

Випромінююча матрична гетероепітаксійна структура

Завантаження...

Номер патенту: 66596

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Осінський Володимир Іванович, Демінський Петро Віталійович, Ляхова Наталія Миколаївна, Масол Ігор Віталійович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: випромінююча, структура, гетероепітаксійна, матрична

Формула / Реферат:

1. Випромінююча матрична гетероепітаксійна наноструктура, що включає підкладку, випромінюючі елементи, систему джерела живлення, яка відрізняється тим, що підкладка виконана із кремнію, арсеніду галію, карбіду кремнію, алюмінію, міді, на підкладку нанесена перша контактна система додатного (+) та/або від'ємного (-) полюса джерела живлення, на наномайданчиках якої в нанопорах поверхневого шару, зокрема оксиду алюмінію, епітаксійно розташовані...

Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур

Завантаження...

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Ляхова Наталія Миколаївна, Осінський Володимир Іванович, Ляхова Ніна Олегівна

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: гетероструктур, пристрій, епітаксійного, напівпровідникових, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Інфрачервоний газовий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 65520

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Когут Микола Макарович, ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ, Севастьянов Володимир Валентинович

МПК: G02B 1/00, H01L 33/00

Мітки: інфрачервоний, газовий, сенсор

Формула / Реферат:

1. Інфрачервоний газовий сенсор, який складається з оптично зв'язаних джерел з широким спектром інфрачервоного випромінювання і одного або більше селективних приймачів інфрачервоного випромінювання, робочої кювети з отворами для газообміну з середовищами, сферичних або параболічних дзеркал, розташованих так, що джерело випромінювання зображується на вхідних отворах приймачів, який відрізняється тим, що містить один випромінювач і один або...

Жезл модифікований працівника даі з ультрафіолетовою підсвіткою для перевірки документів жм-2

Завантаження...

Номер патенту: 63102

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Струс Василь Михайлович, Слижук Володимир Михайлович, Керницький Іван Степанович, Сеник Володимир Васильович, Щур Богдан Володимирович, Марін Олександр Костянтинович, Зачек Олег Ігорович

МПК: H01L 33/00, F21L 4/00

Мітки: ультрафіолетовою, підсвіткою, модифікований, перевірки, жм-2, даі, жезл, працівника, документів

Формула / Реферат:

Жезл модифікований працівника ДАІ з ультрафіолетовою підсвіткою для перевірки документів ЖМ-2, що містить корпус, що складається з елементів білого та чорного кольору, і руків'я, яке приєднується різьбою до корпусу, у руків'ї розміщено акумуляторну батарею, зарядний пристрій для заряджання акумуляторної батареї із штепсельною вилкою, яка закрита різьбовою кришкою, та світлодіодним індикатором заряджання, кнопку вмикання ліхтаря, перемикач...

Оптрон на основі квантових точок телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Халавка Юрій Богданович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Щербак Лариса Павлівна, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 21/04, H01L 33/00, H01L 51/00 ...

Мітки: квантових, кадмію, телуриду, основі, оптрон, точок

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Сонячний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 62625

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Ковалюк Захар Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Ілащук Марія Іванівна

МПК: H01L 33/00

Мітки: сонячний, елемент

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент на основі анізотипної гетероструктури n-TiO2/p-CdTe, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку n-ТіО2, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді сколотої монокристалічної підкладки p-CdTe, а нанесена на підкладку плівка n-ТіО2 має щільну структуру.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що фронтальний контакт сонячного елемента виконаний...

Випромінювач інфрачервоний кварцовий

Завантаження...

Номер патенту: 60971

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кучин Роман Анатолійович, Кучин Валерій Павлович

МПК: F41G 1/00, F21K 99/00, G01S 7/36 ...

Мітки: кварцовий, випромінювач, інфрачервоний

Формула / Реферат:

1. Випромінювач інфрачервоний кварцовий, який містить кварцовий стрижень з проточками з навитою у них хромонікелевою проволокою у вигляді спіралі та поміщений у кварцову трубку, який відрізняється тим, що виконаний у вигляді кварцової трубки, на якій наплавлені буртики з кварцу у вигляді спіралеподібного шнека по висоті та ширині паза співмірні з діаметром нагрівальної спіралі, розташованої у пазах шнека, при цьому всередині шнека, вздовж...

Спосіб визначення придатності фотолюмінофорних суспензій для виготовлення білих світлодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 60543

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Олексенко Павло Феофанович, Камуз Олег Олександрович, Хміль Денис Миколайович, Камуз Олександр Михайлович, Камуз Валентина Григорівна, Алексенко Наталія Григорівна

МПК: H05B 33/14, H01L 33/00

Мітки: придатності, білих, виготовлення, визначення, суспензій, спосіб, фотолюмінофорних, світлодіодів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення придатності фотолюмінофорних суспензій для виготовлення білих світлодіодів, який включає вимірювання кольорових координат х1 та у1 на кольоровій діаграмі МКО точки колірності білого світлодіода, який складається з синього свiтлодiода та фотолюмінофорної суспензії, та визначення кольорових координат х2 та у2 еталонної точки, який відрізняється тим, що додатково вимірюються кольорові координати синього світлодіода х3 та у3 і...

Світлодіодна матриця

Завантаження...

Номер патенту: 60357

Опубліковано: 10.06.2011

Автор: Мелешенко Сергій Анатолійович

МПК: F21S 2/00, F21S 8/00, H01L 33/00 ...

Мітки: світлодіодна, матриця

Формула / Реферат:

1. Світлодіодна матриця, що містить N-кількість напівпровідникових світлодіодів з електричними контактами, встановлених на основі, яка відрізняється тим, що матриця виконана у вигляді двох паралельних панелей, між якими знаходяться вентиляційні отвори, причому світлодіоди розміщені рівномірно на зовнішній поверхні верхньої панелі, а панелі з'єднані між собою додатковими світлодіодами, які розміщені по периметру матриці під кутом 90° до...

Жезл модифікований працівника даі жм-1

Завантаження...

Номер патенту: 55305

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Керницький Іван Степанович, Зачек Олег Ігорович, Щур Богдан Володимирович, Слижук Володимир Михайлович, Сеник Володимир Васильович

МПК: H01L 33/00, F21L 4/00

Мітки: жезл, жм-1, модифікований, працівника, даі

Формула / Реферат:

Жезл модифікований працівника ДАІ, який  містить корпус з елементами білого та чорного кольору і руків'я, яке посередництвом різьби приєднується до корпусу, у руків'ї розміщено акумуляторну батарею, зарядний пристрій для її заряду із штепсельною вилкою, яка закрита різьбовою кришкою, та світлодіод для підсвічування жезла в темну пору доби, який відрізняється тим, що у руків'ї розміщено акумуляторну батарею, складену з акумуляторів...

Комплекс для відеозйомки на цифровий фотоапарат в умовах недостатньої освітленості квзф-1

Завантаження...

Номер патенту: 54804

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Дідик Михайло Богданович, Керницький Іван Степанович, Слижук Володимир Михайлович, Зачек Олег Ігорович, Щур Богдан Володимирович

МПК: H01L 33/00, G03B 15/03, F21L 4/00 ...

Мітки: освітленості, комплекс, цифровий, недостатньої, умовах, відеозйомки, квзф-1, фотоапарат

Формула / Реферат:

Комплекс для відеозйомки на цифровий фотоапарат в умовах недостатньої освітленості, що містить фотоапарат, який відрізняється тим, що до фотоапарата приєднано освітлювач, який містить корпус з кронштейном для кріплення на фотоапараті, матрицю із світлодіодів з дзеркальним рефлектором, закриту розсіювальним склом, батарею живлення, вимикач живлення та рознімання для заряджання батареї.

Напівпровідниковий світловипромінюючий пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 54550

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Фордзюн Юрій Іванович, Блецкан Дмитро Іванович, Мигалина Юрій Вікентійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: світловипромінюючий, пристрій, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий випромінюючий пристрій, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, який відрізняється тим, що містить n³2 активних елементів з p-n-переходами, які випромінюють в максимумах на m³2 заданих довжинах хвиль, узгоджених для кожного із m³2 інтервалів температур робочого діапазону, час та тривалість роботи...