H01L 33/00 — Напівпровідникові прилади щонайменше з одним потенційним бар’єром або з поверхневим бар’єром, спеціально призначені для світлового випромінювання; способи або пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки таких приладів або їх частин; конструктивні елементи таких приладів

Оптопара

Завантаження...

Номер патенту: 115905

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: G02B 27/00, G02B 1/10, G02B 1/115 ...

Мітки: оптопара

Формула / Реферат:

1. Оптопара, яка містить на одній підкладці випромінюючі та приймаючі світлове випромінювання активні елементи, що оптично з'єднані за допомогою оптичного ізолюючого покриття, яка відрізняється тим, що оптичне покриття утворене щонайменше з одного шару, отриманого з матеріалу халькогенідного склоподібного напівпровідника на основі багатокомпонентних систем, які містять Ge, Pb, Ga, As, Sb, S, Se, взятих у відповідних співвідношеннях, причому...

Спосіб одержання тонкої плівки

Завантаження...

Номер патенту: 116079

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Мостовий Андрій Ігорович, Ковалюк Тарас Тарасович, Майструк Едуард Васильович, Солован Михайло Миколайович

МПК: C23C 14/00, H01L 33/00

Мітки: плівки, спосіб, тонкої, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонкої плівки Cu2ZnSnSe4, який включає нанесення на підкладку плівки за допомогою магнетронного напилення з мішеней Zn, Sn, Сu та подальшого відпалу протягом 15 хвилин в парах селену, який відрізняється тим, що для нанесення плівки за допомогою реактивного магнетронного напилення при постійній напрузі використовують мішень Cu2ZnSn стехіометричного складу, а процес селенізації проводять при 450 °C.

Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук cu2(m11)(m1v)(s,se)4 (m11: mn, fe, co, ni, zn, cd, hg; m1v: si, ge, sn) методом пульсуючого спрей-піролізу

Завантаження...

Номер патенту: 115891

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Опанасюк Анатолій Сергійович, Доброжан Олександр Анатолійович, Курбатов Денис Ігоревич

МПК: C23C 14/00, H01L 33/00

Мітки: m11, спосіб, багатокомпонентних, пульсуючого, методом, полікристалічних, плівок, cu2(m11)(m1v)(s,se)4, спрей-піролізу, сполук, нанесення

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення полікристалічних плівок багатокомпонентних сполук Cu2(MII)(MIV)(S, Se)4 (МII: Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cd, Hg; MIV: Si, Ge, Sn) методом пульсуючого спрей-піролізу, що включає розпилення початкового прекурсору, який містить розчин хлоридів (MII.IVmCln) або ацетатів (MII,IVm(CH2COOH)n) металів та тіомочевини (SC(NH2)2) на поверхню нагрітої підкладки з наступним формуванням відповідної плівки, який відрізняється тим, що розпилення...

Енергонакопичуючий процесор світла

Завантаження...

Номер патенту: 115164

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Осінський Володимир Іванович, Демінський Петро Віталійович, Осінський Андрій, Дягілєв Андрій Володимирович, Масол Ігор Віталійович

МПК: H05B 37/02, H01L 33/00, G01J 3/51, G09G 3/34 ...

Мітки: світла, процесор, енергонакопичуючий

Формула / Реферат:

1. Енергонакопичуючий процесор світла в діапазоні довжин хвиль 0,2-12 мкм (енестор), який на єдиній підкладці кремнію містить світлодіодні структури з люмінофором та світлодіодні структури червоного (Red), зеленого (Green) та блакитного (Blue) випромінювання (RGB) в єдиному конструктиві з джерелом енергії, сонячною батареєю, акумулятором енергії, мікрооптикою та транзисторними мікросхемами живлення і керування, в селективних областях єдиної...

Світлодіод білого світла з монокристалічним фосфором

Завантаження...

Номер патенту: 113542

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Ніжанковський Сергій Вікторович, Саввін Юрій Миколайович, Танько Аліна Вікторівна

МПК: H01L 33/00, F21K 99/00

Мітки: фосфором, світла, монокристалічним, світлодіод, білого

Формула / Реферат:

Світлодіод білого світла з монокристалічним фосфором, який містить світлодіодний чип з максимумом випромінювання на довжині хвилі =450 нм, монокристалічний фосфор YAG:Ce з концентрацією церію 0,1-0,2 ат.%, товщиною пластини 0,5-1мм і рельєфом поверхні, який відрізняється тим, що середньоквадратична шорсткість рельєфу поверхні монокристалічного фосфору складає 0,72-6,4...

Багатоканальний інфрачервоний газоаналізатор

Завантаження...

Номер патенту: 112635

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Питьовка Оксана Юріївна, Кабацій Василь Миколайович, Ланьо Галина Вікторівна, Панченко Оксана Дмитрівна, Максютова Олена Володимирівна

МПК: G01N 21/61, G01N 21/35, G02B 1/10 ...

Мітки: газоаналізатор, багатоканальний, інфрачервоний

Формула / Реферат:

Багатоканальний інфрачервоний газоаналізатор, що містить вимірювальну кювету з прозорими для світлового випромінювання вікнами, оптичні елементи, оптично зв'язані датчики, які здатні випромінювати та приймати світлове випромінювання й з'єднані з блоком генерації та обробки електричних сигналів, в який входять аналогово-цифровий перетворювач, мікропроцесор і пристрій для індикації, який відрізняється тим, що кожен із двох датчиків містить...

Інфрачервоний газоаналізатор

Завантаження...

Номер патенту: 112634

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Ланьо Галина Вікторівна, Блецкан Дмитро Іванович, Питьовка Оксана Юріївна, Кабацій Василь Миколайович, Максютова Олена Володимирівна

МПК: G02B 1/10, G01N 21/35, G01N 21/61 ...

Мітки: інфрачервоний, газоаналізатор

Формула / Реферат:

Інфрачервоний газоаналізатор, що містить вимірювальну кювету з прозорими для світлового випромінювання вікнами, оптичні елементи, оптично зв'язані датчики, які здатні випромінювати та приймати світлове випромінювання й з'єднані з блоком генерації та обробки електричних сигналів, в який входять аналогово-цифровий перетворювач, мікропроцесор і пристрій для індикації, який відрізняється тим, що кожен із датчиків містить теплопровідну основу, на...

Фототранзистор

Завантаження...

Номер патенту: 111228

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Романюк Ігор Степанович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Раренко Ганна Іларівна, Галочкин Олександр Вікторович, Прядко Володимир Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фототранзистор

Формула / Реферат:

Фототранзистор на основі напівпровідникового шару довжиною а, товщиною b та шириною с (a>c>>b), розміщений між обкладинками конденсатора, який відрізняється тим, що обкладинка конденсатора та діелектричний прошарок зі сторони випромінювання, яке реєструється, виконано з оптично-прозорих у заданому діапазоні довжин хвиль електропровідного та діелектричного матеріалів (Сr та SiC, відповідно), при цьому товщина напівпровідникового...

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода

Завантаження...

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Сологуб Владислав Вікторович, Малютенко Володимир Костянтинович, Кирюша Олексій Іванович, Тесленко Галина Іванівна

МПК: H01L 33/00, G01R 31/26

Мітки: спосіб, світлодіода, електричної, ефективності, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання електричної ефективності світлодіода , який включає прикладання до світлодіода електричної напруги  в прямому напрямку, вимірювання вольт-амперної характеристики, який відрізняється тим, що напругу прикладають в імпульсному режимі, тривалість і частоту імпульсу підбирають шляхом їх...

Спосіб виготовлення світловипромінюючого пристрою на основі нанокристалів кадмій телуриду

Завантаження...

Номер патенту: 103984

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Борук Сергій Дмитрович, Демчина Любомир Андрійович, Курик Андрій Онуфрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна

МПК: C01B 19/04, C01G 11/00, C30B 7/00 ...

Мітки: кадмій, виготовлення, телуриду, основі, нанокристалів, спосіб, пристрою, світловипромінюючого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого у видимій спектральній області пристрою, який включає нанесення шару світловипромінюючої речовини в суміші з полімером на ультрафіолетовий світлодіод та подальше висушування, який відрізняється тим, що світловипромінюючою речовиною служить водний розчин стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe з концентрацією (1,1·0,1)10-5 моль/л із 50±1,5 % водним розчином полімеру, причому...

Спосіб одержання тонких плівок cu2znsns4 (czts)

Завантаження...

Номер патенту: 103918

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Солован Михайло Миколайович, Мостовий Андрій Ігорович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Тарас Тарасович, Брус Віктор Васильович, Козярський Іван Петрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: H01L 33/00, C23C 14/35

Мітки: cu2znsns4, одержання, тонких, плівок, спосіб, czts

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.

Універсальний портативний світлодіодний освітлювач

Завантаження...

Номер патенту: 100663

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Ярославський Ярослав Іванович, Кузьменко Лілія Вікторівна, Маліновський Вадим Ігоревич

МПК: F21V 29/00, H01L 33/00

Мітки: портативний, універсальний, світлодіодний, освітлювач

Формула / Реферат:

Універсальний портативний світлодіодний освітлювач, який містить корпус, монтажну панель із розміщеним на ній світлодіодним випромінювачем, які оптично з'єднані із фокусуючим елементом та тепловідвідний елемент, який відрізняється тим, що в нього введено портативне джерело електроенергії, блок стабілізації струму, вимикач та контролер заряду, який електрично з'єднаний із джерелом електроенергії, яке через блок стабілізації струму електрично...

Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок

Завантаження...

Номер патенту: 94627

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фоточутлівих, виготовлення, гетероструктур, спосіб, плівок, нарисованих, основі, графітових

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі нарисованих графітових плівок, що включає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що графітову плівку спочатку рисують на розчинній підкладці, а потім переносять на гладку або наноструктуровану поверхню напівпровідникової підкладки і формують якісний оптичний контакт.

Спосіб виготовлення фоточутливих діодів шотткі на основі плівок графіту

Завантаження...

Номер патенту: 92087

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: плівок, спосіб, шотткі, графіту, фоточутлівих, виготовлення, основі, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих діодів Шотткі на основі плівок графіту, що передбачає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що нанесення графітової плівки здійснюють шляхом ковзання об'ємного зразка високочистого графіту при фіксованому навантаженні по підготовленій поверхні напівпровідникової підкладки.

Фотоприймач n-tin/p-cdte

Завантаження...

Номер патенту: 92086

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Ілащук Марія Іванівна, Солован Михайло Миколайович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач n-TiN / p-CdTe, який містить поглинач оптичного випромінювання з p-CdTe та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді свіжотравленої монокристалічної підкладки p-CdTe, на яку нанесена плівка n-TiN, що має щільну структуру.

Фотодіод на основі p-hg3in2te6

Завантаження...

Номер патенту: 92085

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович, Солован Михайло Миколайович, Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: p-hg3in2te6, основі, фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.

Фотодіод на основі гетероструктури

Завантаження...

Номер патенту: 92084

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Кафанов Анатолій Михайлович, Мостовий Андрій Ігорович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: основі, гетероструктурі, фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а як фронтальний шар - плівка n-ТiO2.

Лампа світлодіодна з високоефективним тепловідведенням та рідинним охолоджувачем

Завантаження...

Номер патенту: 105976

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Гарасимчук Костянтин Андрійович, Романова Тетяна Іванівна, Носанов Микола Ілліч

МПК: F21V 29/00, H01L 33/00, F21L 4/00 ...

Мітки: високоефективним, охолоджувачем, світлодіодна, лампа, тепловідведенням, рідинним

Формула / Реферат:

Лампа світлодіодна, що містить напівсферичний розсіювач із полікарбонату, світлодіодний модуль (СДМ), розташований на плоскій поверхні корпуса із полімерного матеріалу, тепловідведення, металевий різьбовий цоколь, яка відрізняється тим, що розсіювач виконаний прозорим, СДМ виконаний у вигляді модуля Acrich2, причому корпус є основним тепловідведенням лампи і виконаний у вигляді зрізаного конуса з теплорозсіювального полімеру композитного...

Універсальний світлодіодний освітлювач для окулярів

Завантаження...

Номер патенту: 88396

Опубліковано: 11.03.2014

Автори: Домбровський Олександр Георгійович, Маліновський Вадим Ігоревич, Кожем'яко Володимир Прокопович, Ярославський Ярослав Іванович

МПК: F21V 29/00, H01L 33/00

Мітки: світлодіодний, освітлювач, окулярів, універсальний

Формула / Реферат:

Універсальний світлодіодний освітлювач для окулярів, який містить корпус, в якому розміщено світлодіодне джерело, портативне джерело електроенергії та вимикач, який відрізняється тим, що в нього введено драйвер електричного струму та фокусуючий оптичний елемент, який оптично з'єднаний із світлодіодним джерелом, а портативне джерело електроенергії, вимикач та драйвер послідовно електрично з'єднані із світлодіодним джерелом, пристрій також...

Спосіб виготовлення світловипромінюючого діода на основі нанокомпозитної органо-неорганічної гетероструктури

Завантаження...

Номер патенту: 82982

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Крижановська Олександра Сергіївна, Погорелова Наталія Володимирівна, Матвієнко Оксана Олеговна, Ващенко Валерій Володимирович, Саввін Юрій Миколайович, Семиноженко Володимир Петрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: основі, виготовлення, гетероструктурі, світловипромінюючого, нанокомпозитної, діода, спосіб, органо-неорганічної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світловипромінюючого діода на основі нанокомпозитної планарної органо-неорганічної гетероструктури, що включає послідовне нанесення на підкладку з електропровідним покриттям ІТО дірково-інжекційного шару, дірково-транспортного шару, емісійного шару з напівпровідникових нанокристалів, електрон-інжекційного шару та катода, який відрізняється тим, що емісійний шар на основі напівпровідникових нанокристалів наносять у вигляді...

Гетерофотодіод

Завантаження...

Номер патенту: 80759

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Кафанов Анатолій Михайлович, Солован Михайло Миколайович

МПК: H01L 33/00

Мітки: гетерофотодіод

Формула / Реферат:

 Гетерофотодіод, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а нанесена на підкладку плівка n-TiN.

Спосіб виготовлення органічного світлодіода

Завантаження...

Номер патенту: 76968

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Возняк Леся Юріївна, Черпак Владислав Володимирович, Хом'як Семен Володимирович, Волинюк Дмитро Юрійович, Готра Зенон Юрійович, Стахіра Павло Йосипович

МПК: H01L 33/00

Мітки: світлодіода, органічного, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення органічного світлодіода, згідно якого на підкладці з електропровідним покриттям оксиду індію наносять дірково-транспортний шар, зверху наносять органічну напівпровідникову плівку трихінолінат алюмінію та поверх якої формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що дірково-транспортний шар виконаний з органічного напівпровідникового матеріалу...

Пристрій для виявлення локальних дефектних областей в p-n переходах пластин сонячних батарей

Завантаження...

Номер патенту: 76273

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович, Попов Володимир Михайлович

МПК: H01L 33/00

Мітки: локальних, дефектних, сонячних, областей, виявлення, переходах, батарей, пластин, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для виявлення локальних дефектних областей в p-n переходах пластин сонячних батарей, який містить нагрівний стіл, пластину сонячної батареї на нагрівному столі, полімерну плівку з диспергованим в ній холестеричним рідким кристалом на поверхні пластини сонячної батареї, контактний пристрій для подачі напруги до p-n переходу, джерело напруги, вимірювальні прилади, який відрізняється тим, що містить металеву платформу, контактний...

Комплекс для відеозйомки на цифровий фотоапарат в інфрачервоному діапазоні світла та в умовах недостатньої освітленості квзф-3

Завантаження...

Номер патенту: 76006

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Слижук Володимир Михайлович, Керницький Іван Степанович, Григоришин Олександр Миколайович, Цимбалюк Михайло Михайлович, Зачек Олег Ігорович, Струс Василь Михайлович

МПК: F21L 13/00, G03B 15/00, H01L 33/00 ...

Мітки: квзф-3, комплекс, відеозйомки, діапазоні, недостатньої, світла, фотоапарат, умовах, освітленості, інфрачервоному, цифровий

Формула / Реферат:

Комплекс для відеозйомки на цифровий фотоапарат в інфрачервоному діапазоні світла та в умовах недостатньої освітленості КВЗФ-3, що містить фотоапарат, до якого приєднано освітлювач, який містить корпус з кронштейном для кріплення на фотоапараті, матрицю із світлодіодів з дзеркальним рефлектором, закриту розсіюючим склом, акумуляторну батарею живлення з трьох циліндричних акумуляторів та вимикач живлення, який відрізняється тим, що матриця із...

Жезл інспектора даі модернізований з ультрафіолетовим підсвіченням для перевірки документів та алкотестером жм-4

Завантаження...

Номер патенту: 75208

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Керницький Іван Степанович, Слижук Володимир Михайлович, Цимбалюк Михайло Михайлович, Струс Василь Михайлович, Григоришин Олександр Миколайович, Зачек Олег Ігорович

МПК: H01L 33/00, F21L 13/00

Мітки: ультрафіолетовим, модернізований, жм-4, даі, перевірки, алкотестером, документів, підсвіченням, жезл, інспектора

Формула / Реферат:

1. Жезл інспектора ДАІ модернізований з ультрафіолетовим підсвіченням для перевірки документів та алкотестером містить корпус, що складається з елементів білого та чорного кольору, і руків'я, яке приєднується за допомогою різьби до корпусу, у руків'ї розміщено акумуляторну батарею, зарядний пристрій для заряджання акумуляторної батареї із штепсельною вилкою, яка закрита різьбовою кришкою, та світлодіодним індикатором заряджання, кнопку...

Спосіб конверсії енергії випромінювання джерел світла

Завантаження...

Номер патенту: 74351

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Пабат Анатолій Іванович, Кирєєв Володимир Петрович, Яловий Олександр Васильович

МПК: H01L 33/00, H01J 63/00

Мітки: світла, випромінювання, спосіб, енергії, джерел, конверсії

Формула / Реферат:

Спосіб конверсії енергії випромінювання джерел світла, що включає опромінювання невидимим інфрачервоним або ультрафіолетовим випромінюванням перетворювачів енергії випромінювання, який відрізняється тим, що як перетворювачі енергії невидимого інфрачервоного випромінювання, яке генерується лампами розжарювання, або невидимого ультрафіолетового випромінювання, яке генерується газорозрядними лампами, використовують виконані у вигляді...

Суперлюмінесцентне діодне джерело світла

Завантаження...

Номер патенту: 68640

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осінський Володимир Іванович, Масол Ігор Віталійович, Демінський Петро Віталійович

МПК: H01L 33/00, H05B 33/20

Мітки: джерело, суперлюмінесцентне, світла, діодне

Формула / Реферат:

Суперлюмінесцентне діодне джерело світла, що містить гетероструктурні чіпи, мікрорезонатори, яке відрізняється тим, що в один або декілька гетероструктурних чіпів введено мікрорезонатори когерентного випромінювання, котрі розміщені всередині або зовні випромінюючих гетеропереходів, під'єднаних окремо від гетероструктур спонтанних світлодіодів до системи управління та живлення, а гібридно-інтегральна структура виконана в гібридному або...

Випромінююча матрична гетероепітаксійна структура

Завантаження...

Номер патенту: 66596

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Ляхова Наталія Миколаївна, Осінський Володимир Іванович, Демінський Петро Віталійович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: структура, гетероепітаксійна, випромінююча, матрична

Формула / Реферат:

1. Випромінююча матрична гетероепітаксійна наноструктура, що включає підкладку, випромінюючі елементи, систему джерела живлення, яка відрізняється тим, що підкладка виконана із кремнію, арсеніду галію, карбіду кремнію, алюмінію, міді, на підкладку нанесена перша контактна система додатного (+) та/або від'ємного (-) полюса джерела живлення, на наномайданчиках якої в нанопорах поверхневого шару, зокрема оксиду алюмінію, епітаксійно розташовані...

Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур

Завантаження...

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Ляхова Ніна Олегівна, Ляхова Наталія Миколаївна, Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: вирощування, епітаксійного, пристрій, напівпровідникових, гетероструктур

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Інфрачервоний газовий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 65520

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Когут Микола Макарович, Севастьянов Володимир Валентинович, ШАРАН МИКОЛА МИКОЛАЙОВИЧ

МПК: G02B 1/00, H01L 33/00

Мітки: інфрачервоний, сенсор, газовий

Формула / Реферат:

1. Інфрачервоний газовий сенсор, який складається з оптично зв'язаних джерел з широким спектром інфрачервоного випромінювання і одного або більше селективних приймачів інфрачервоного випромінювання, робочої кювети з отворами для газообміну з середовищами, сферичних або параболічних дзеркал, розташованих так, що джерело випромінювання зображується на вхідних отворах приймачів, який відрізняється тим, що містить один випромінювач і один або...

Жезл модифікований працівника даі з ультрафіолетовою підсвіткою для перевірки документів жм-2

Завантаження...

Номер патенту: 63102

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Керницький Іван Степанович, Сеник Володимир Васильович, Струс Василь Михайлович, Слижук Володимир Михайлович, Зачек Олег Ігорович, Щур Богдан Володимирович, Марін Олександр Костянтинович

МПК: F21L 4/00, H01L 33/00

Мітки: документів, модифікований, підсвіткою, перевірки, жезл, працівника, даі, ультрафіолетовою, жм-2

Формула / Реферат:

Жезл модифікований працівника ДАІ з ультрафіолетовою підсвіткою для перевірки документів ЖМ-2, що містить корпус, що складається з елементів білого та чорного кольору, і руків'я, яке приєднується різьбою до корпусу, у руків'ї розміщено акумуляторну батарею, зарядний пристрій для заряджання акумуляторної батареї із штепсельною вилкою, яка закрита різьбовою кришкою, та світлодіодним індикатором заряджання, кнопку вмикання ліхтаря, перемикач...

Оптрон на основі квантових точок телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Щербак Лариса Павлівна, Будзуляк Сергій Іванович, Калитчук Сергій Михайлович, Халавка Юрій Богданович

МПК: H01L 21/04, H01L 51/00, H01L 33/00 ...

Мітки: телуриду, точок, кадмію, квантових, оптрон, основі

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Сонячний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 62625

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Брус Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: елемент, сонячний

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент на основі анізотипної гетероструктури n-TiO2/p-CdTe, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку n-ТіО2, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді сколотої монокристалічної підкладки p-CdTe, а нанесена на підкладку плівка n-ТіО2 має щільну структуру.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що фронтальний контакт сонячного елемента виконаний...

Випромінювач інфрачервоний кварцовий

Завантаження...

Номер патенту: 60971

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кучин Валерій Павлович, Кучин Роман Анатолійович

МПК: F21K 99/00, G01S 7/36, F41G 1/00 ...

Мітки: інфрачервоний, кварцовий, випромінювач

Формула / Реферат:

1. Випромінювач інфрачервоний кварцовий, який містить кварцовий стрижень з проточками з навитою у них хромонікелевою проволокою у вигляді спіралі та поміщений у кварцову трубку, який відрізняється тим, що виконаний у вигляді кварцової трубки, на якій наплавлені буртики з кварцу у вигляді спіралеподібного шнека по висоті та ширині паза співмірні з діаметром нагрівальної спіралі, розташованої у пазах шнека, при цьому всередині шнека, вздовж...

Спосіб визначення придатності фотолюмінофорних суспензій для виготовлення білих світлодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 60543

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Камуз Валентина Григорівна, Хміль Денис Миколайович, Камуз Олександр Михайлович, Алексенко Наталія Григорівна, Камуз Олег Олександрович, Олексенко Павло Феофанович

МПК: H01L 33/00, H05B 33/14

Мітки: білих, суспензій, фотолюмінофорних, придатності, визначення, світлодіодів, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення придатності фотолюмінофорних суспензій для виготовлення білих світлодіодів, який включає вимірювання кольорових координат х1 та у1 на кольоровій діаграмі МКО точки колірності білого світлодіода, який складається з синього свiтлодiода та фотолюмінофорної суспензії, та визначення кольорових координат х2 та у2 еталонної точки, який відрізняється тим, що додатково вимірюються кольорові координати синього світлодіода х3 та у3 і...

Світлодіодна матриця

Завантаження...

Номер патенту: 60357

Опубліковано: 10.06.2011

Автор: Мелешенко Сергій Анатолійович

МПК: F21S 8/00, H01L 33/00, F21S 2/00 ...

Мітки: матриця, світлодіодна

Формула / Реферат:

1. Світлодіодна матриця, що містить N-кількість напівпровідникових світлодіодів з електричними контактами, встановлених на основі, яка відрізняється тим, що матриця виконана у вигляді двох паралельних панелей, між якими знаходяться вентиляційні отвори, причому світлодіоди розміщені рівномірно на зовнішній поверхні верхньої панелі, а панелі з'єднані між собою додатковими світлодіодами, які розміщені по периметру матриці під кутом 90° до...

Жезл модифікований працівника даі жм-1

Завантаження...

Номер патенту: 55305

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Сеник Володимир Васильович, Щур Богдан Володимирович, Зачек Олег Ігорович, Слижук Володимир Михайлович, Керницький Іван Степанович

МПК: F21L 4/00, H01L 33/00

Мітки: даі, жм-1, жезл, модифікований, працівника

Формула / Реферат:

Жезл модифікований працівника ДАІ, який  містить корпус з елементами білого та чорного кольору і руків'я, яке посередництвом різьби приєднується до корпусу, у руків'ї розміщено акумуляторну батарею, зарядний пристрій для її заряду із штепсельною вилкою, яка закрита різьбовою кришкою, та світлодіод для підсвічування жезла в темну пору доби, який відрізняється тим, що у руків'ї розміщено акумуляторну батарею, складену з акумуляторів...

Комплекс для відеозйомки на цифровий фотоапарат в умовах недостатньої освітленості квзф-1

Завантаження...

Номер патенту: 54804

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Зачек Олег Ігорович, Дідик Михайло Богданович, Керницький Іван Степанович, Щур Богдан Володимирович, Слижук Володимир Михайлович

МПК: F21L 4/00, H01L 33/00, G03B 15/03 ...

Мітки: фотоапарат, квзф-1, цифровий, відеозйомки, недостатньої, комплекс, умовах, освітленості

Формула / Реферат:

Комплекс для відеозйомки на цифровий фотоапарат в умовах недостатньої освітленості, що містить фотоапарат, який відрізняється тим, що до фотоапарата приєднано освітлювач, який містить корпус з кронштейном для кріплення на фотоапараті, матрицю із світлодіодів з дзеркальним рефлектором, закриту розсіювальним склом, батарею живлення, вимикач живлення та рознімання для заряджання батареї.

Напівпровідниковий світловипромінюючий пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 54550

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Мигалина Юрій Вікентійович, Фордзюн Юрій Іванович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: H01L 33/00

Мітки: пристрій, напівпровідниковий, світловипромінюючий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий випромінюючий пристрій, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, який відрізняється тим, що містить n³2 активних елементів з p-n-переходами, які випромінюють в максимумах на m³2 заданих довжинах хвиль, узгоджених для кожного із m³2 інтервалів температур робочого діапазону, час та тривалість роботи...