H01C — Резистори

Номер патенту: 118742

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Кислий Дмитро Миколайович, Свиридов Віталій Юрійович, Сердюк Володимир Никандрович

МПК: G01R 19/10, G01R 19/00, G01R 19/20 ...

Мітки: вимірювання, струму, датчик

Формула / Реферат:

Датчик вимірювання струму, складається з магнітопроводу, охоплюючого провідника зі струмом, напівпровідникового перетворювача та струмопровідного шунта, який відрізняється тим, що додатково містить операційний підсилювач, мультивібратор та цифрову оптопару.

Номер патенту: 118235

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Кононенко Дмитро Сергійович, Жаботинська Вікторія Сергіївна, Краснянська Вікторія Володимирівна

МПК: H01C 7/18

Мітки: пристрій, нагрівальний

Формула / Реферат:

1. Нагрівальний пристрій, що містить металеву пластину, на якій сформований товстоплівковий нагрівальній елемент, який містить послідовно розташовані ізоляційний шар, за який використана паста, яка містить кварцовий пісок та скло, що кристалізується і не містить лугу, резистивний шар, за який використана паста для товстоплівкових резисторів, що містить провідну фазу та склов'яжуче, та захисний шар, за який використана паста на основі скла,...

Номер патенту: 113715

Опубліковано: 27.02.2017

Автор: Рева Володимир Іванович

МПК: H01B 1/00, H01C 17/065, H01C 7/02 ...

Мітки: резистора, спосіб, матеріалу, товстоплівкового, композиційного, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення композиційного матеріалу для товстоплівкового резистора, який включає отримання окремо порошків, що містять металоподібні бориди та склозв'язуюче, що кристалізується, шляхом розмелювання металоподібних боридів та склозв'язуючого, що кристалізується, та змішування їх з органічним зв'язуючим, який відрізняється тим, що створені окремо порошки металоподібних боридів та склозв'язуючого, що кристалізується, додатково спочатку...

Номер патенту: 113565

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Лепіх Ярослав Ілліч

МПК: C03C 29/00, C03C 3/062, C03C 27/02 ...

Мітки: нанокомпозитів, легкоплавке, скло

Формула / Реферат:

Легкоплавке скло для нанокомпозитів, що містить складові компоненти SiO2, Ві2О3, CdO, яке відрізняється тим, що додатково містить BaO, ZnO, MgO, В2О3, а інгредієнти взяті при наступному співвідношенні, мас.%: Ві2О3 55,0-68,5 ВаО 2,0-15,0 ZnO 5,0-8,0 SiO2 8,0-10,5 В2О3 ...

Номер патенту: 111131

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович, Українець Валентин Остапович, Семків Ігор Володимирович, Чекайло Микола Володимирович, Родич Володимир Михайлович

МПК: H01C 7/00

Мітки: застосування, резистивного, матеріалу, аргіродиту, ag8snse6

Формула / Реферат:

Застосування аргіродиту Ag8SnSe6 як резистивного матеріалу для виготовлення резисторів з функціональною залежністю електричного опору від часу.

Номер патенту: 110253

Опубліковано: 26.09.2016

Автор: Рева Володимир Іванович

МПК: H01B 1/00, H01C 7/00, H01C 7/02 ...

Мітки: композиційного, матеріалу, резистора, виготовлення, товстоплівкового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення композиційного матеріалу для товстоплівкового резистора, який включає отримання окремо порошків, що містять металоподібні бориди та склозв'язуюче, що кристалізується, шляхом розмелювання металоподібних боридів та склозв'язуючого, що кристалізується, та змішування їх з органічним зв'язуючим, який відрізняється тим, що створені окремо порошки металоподібних боридів та склозв'язуючого, що кристалізується, додатково спочатку...

Номер патенту: 110982

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Лепіх Ярослав Ілліч, Бугайова Тетяна Миколаївна

МПК: H01B 1/08, H01C 17/065

Мітки: резистивний, елементів, товстоплівкових, матеріал

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для товстоплівкових елементів, який містить струмопровідну фазу на основі оксидних сполук рутенію 6-10 мас. %, срібла 15-25 мас. % та паладію 2-6 мас. %, склозв'язуюче, органічне сполучне, який відрізняється тим, що як склозв'язуюче використовується легкоплавке скло наступного складу, мас. %: Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 ...

Номер патенту: 99653

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Залуцький Марко Володимирович, Руденко Едуард Михайлович, Білоголовський Михайло Олександрович

МПК: H01C 10/08, G01K 11/06

Мітки: високотемпературного, надпровідника, низькотемпературний, резистивний, термометр, основі

Формула / Реферат:

Низькотемпературний резистивний термометр на основі високотемпературного надпровідника, що містить тришарову структуру (тунельний перехід), утворену двома металевими плівками - нормальною і надпровідною, між якими знаходиться надтонкий шар ізолятора товщиною близько двох нанометрів, який відрізняється тим, що надпровідна плівка є високотемпературним надпровідником з d-хвильовою симетрією параметра порядку, орієнтованим так, що нормаль до...

Номер патенту: 95301

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Джомбі Джузеппіно, Мартеллі Сандро, Нері Джампаоло

МПК: H01C 10/00

Мітки: накопичувальних, армований, вдосконалений, резистор, водонагрівачів, електричний

Формула / Реферат:

1. Електричний резистор (R), призначений спеціально для електричних накопичувальних водонагрівачів, у складі:металевих трубок (1) нагрівального елемента,опори (2) з основою (2.1), на якій підготовлені відповідні гнізда (4; 4.1; 4.2) для розміщення й підтримки зазначених металевих трубок (1),який характеризується тим, щоу зазначених гніздах (4.1; 4.2) знаходиться клейка смола (6), придатна для кріплення зазначених...

Номер патенту: 93270

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Кулініч Олег Анатолійович, Брусенська Галина Іванівна, Софронков Олександр Наумович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01C 17/00

Мітки: кремнію, епітаксійних, формування, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію, що включає створення на поверхні напівпровідникової підкладки дислокації стоків радіаційних дефектів, який відрізняється тим, що на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксійного шару шляхом попереднього окислення поверхні підкладки і подальшого стравлювання шару оксиду створюється область дислокаційних сіток щільністю (109…1012) м-2.

Номер патенту: 90549

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Бугайова Тетяна Миколаївна, Лепіх Ярослав Ілліч

МПК: H01C 17/00

Мітки: резистивний, низькоомний, матеріал, елементів, товстоплівкових

Формула / Реферат:

Низькоомний резистивний матеріал для товстоплівкових елементів, що містить струмопровідну фазу на основі оксидних з'єднань рутенію, срібла та паладію, стеклозв'язуюче, органічне сполучне, який відрізняється тим, що як стеклозв'язуюче використовують легкоплавке скло наступного складу, (мас, %): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 ...

Номер патенту: 86863

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Білоус Анатолій Григорович, В'юнов Олег Іванович, Плутенко Тетяна Олександрівна

МПК: H01C 7/02, C04B 35/00

Мітки: титанатів, спосіб, сегнетоелектриків-напівпровідників, синтезу, твердих, основі, високотемпературних, калію-вісмуту, розчинів, барію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високотемпературного сегнетоелектрика-напівпровідника на основі титанатів барію та калію-вісмуту (1-х)ВаТіO3-xK0,5Ві0,5ТіО3 (0,05 £ х £ 0,15), який відрізняється тим, що для зниження температури спікання, зменшення втрат вісмуту і калію і електричного опору при кімнатній температурі, а також для підвищення температур Кюрі, як барійвмісні сполуки використовують попередньо приготований оксалатним методом титанат...

Номер патенту: 82232

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Володько Ольга Василівна, Цибульський Віталій Миколайович, Порхунов Олександр Іванович, Піскунов Вадим Георгійович

МПК: H01C 7/00

Мітки: резистивний, композиційний, матеріал

Формула / Реферат:

1. Резистивний композиційний матеріал, що містить в'яжуче на основі швидкотверднучого цементу, колоїдний графіт, термічно стабільний наповнювач, волокнистий наповнювач - хімічні електропровідні волокна завдовжки 4-6 мм, ультрадисперсний технічний вуглець з питомою поверхнею Sг=(90…100) м2/г, який відрізняється тим, що термічно стабільний наповнювач складається з кварцового піску і гранвідсіву при співвідношенні компонентів, мас. %: ...

Номер патенту: 81649

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Білоус Анатолій Григорович, В'юнов Олег Іванович, Плутенко Тетяна Олександрівна

МПК: H01C 7/02, C04B 35/00

Мітки: позисторний, основі, матеріал, барію-натрію-вісмуту, титанату

Формула / Реферат:

Позисторний матеріал на основі титанату барію-натрію-вісмуту, який відрізняється тим, що для зниження температури спікання і зменшення втрат летких компонентів, при його синтезі використовували попередньо приготований оксалатним методом титанат барію, що включає ВаО, Ві2О3, Na2O і ТіО2, у співвідношенні відповідно до формули (1-x)BaTiO3-xNa0,5Bi0,5TiO3 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): Na2O ...

Номер патенту: 81588

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Смертенко Петро Семенович, Пуд Олександр Аркадієвич, Дімітрієв Олег Петрович, Огурцов Микола Олександрович

МПК: H01L 21/28, H01C 1/00, H01L 21/00 ...

Мітки: поверхні, виготовлення, м'якої, омічного, спосіб, притискного, контакту, приладів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м'якої поверхні приладів, виконаного з водної суспензії електропровідного полімеру, який відрізняється тим, що водну суспензію полімеру наносять на підкладку поруватого діелектрика, просочують її, а потім випаровують залишкову вологу природним шляхом на повітрі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електропровідний полімер використовують...

Номер патенту: 80418

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Софронков Олександр Наумович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01C 17/00

Мітки: отримання, спосіб, карбіду, кремнію, порошків

Формула / Реферат:

Спосіб одержання порошків карбіду кремнію, в якому проводиться нагрів газів-реагентів силану та етилену, який відрізняється тим, що нагрів газів проводиться випромінюванням СО2-лазера.

Номер патенту: 76005

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: В'юнов Олег Іванович, Білоус Анатолій Григорович, Плутенко Тетяна Олександрівна

МПК: C04B 35/00, H01C 7/02

Мітки: позисторний, основі, барію-літію-вісмуту, титанату, матеріал

Формула / Реферат:

Позисторний матеріал на основі титанату барію-літію-вісмуту, який включає ВаО, Ві2О3, Li2O і ТіО2, який відрізняється тим, що для зниження питомого опору при кімнатній температурі барій частково заміщений іонами літію та вісмуту у співвідношенні відповідно до формули (1-x)ВаТіО3-хLі0,5Ві0,5ТіО3 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): Li2O 0,26-0,66 Вi2О3 ...

Номер патенту: 68374

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Костюк Олександр Анатолійович, Петров Сергій Іванович

МПК: A61N 5/06, F24C 7/00, F24D 15/00 ...

Мітки: елемент, склі, товстоплівковий, енергозберігаючий, нагрівальний

Формула / Реферат:

1. Енергозберігаючий товстоплівковий нагрівальний елемент на склі, що містить підкладку із скла з послідовно розміщеними на ній резистивним шаром та захисним шаром, який відрізняється тим, що між підкладкою і резистивним шаром додатково розміщений проміжний шар з підвищеною випромінювальною здатністю (ступенем чорноти тіла) 95-98 %.2. Енергозберігаючий товстоплівковий нагрівальний елемент на склі за п. 1, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 68124

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Бугайова Тетяна Миколаївна, Лавренова Тетяна Іванівна, Лепіх Ярослав Ілліч, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: C03C 14/00, H01C 17/00

Мітки: легкоплавке, скло, резисторів, товстоплівкових

Формула / Реферат:

Легкоплавке скло для товстоплівкових резисторів, що включає SiO2, Ві2О3, СdO, яке відрізняється тим, що додатково містить ZnO, MgO, В2О3, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (%, мас): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 В2О, 7,5-10,0 CdO 3,0-8,5 ...

Номер патенту: 97211

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Дональ Дітер, Брюкль Олівер, Лессманн-Міске Ханс-Хеннінг

МПК: H01C 7/10, H01F 29/04, H03K 17/68 ...

Мітки: перемикач, напівпровідниковими, елементами, перемикальними, ступеневий

Формула / Реферат:

1. Ступеневий перемикач із напівпровідниковими перемикальними елементами для безрозривного перемикання відводів обмотки ступеневого трансформатора, що міститьдві силові ланки, виконані з можливістю з'єднання з відповідними відводами обмотки трансформатора,причому напівпровідникові перемикальні елементи виконані у формі біполярних транзисторів із ізольованим затвором (БТІЗ) (Ian, Iap; Ibn, Ibp),причому кожна із двох...

Номер патенту: 97210

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Брюккль Олівер, Лессманн-Міске Ханс-Хеннінг, Дональ Дітер

МПК: H01F 29/04, H03K 17/68, H01C 7/10 ...

Мітки: безрозривного, відводів, ступеневого, перемикання, обмоток, спосіб, трансформатора

Формула / Реферат:

1. Спосіб безрозривного перемикання відводів обмотки ступеневого трансформатора, що містить дві силових ланки (tap n, tap n+1),причому кожну з двох силових ланок (tap n, tap n+1) механічним перемикачем (DSa, DSb) та послідовно підключеною до нього групою з двох включених зустрічно-послідовно біполярних транзисторів з ізольованим затвором (БТІЗ) (Ian, Iap; Ibn, Ibp) з'єднують зі спільним силовим відводом, причому паралельно кожному...

Номер патенту: 66247

Опубліковано: 26.12.2011

Автор: Данковцев Віктор Петрович

МПК: H01C 1/00

Мітки: котла, роботою, блока, силового, модуль, електричного, керування, тиристорний

Формула / Реферат:

1. Тиристорний модуль для силового блока керування роботою електричного котла, що містить не менше одного тиристора, встановленого на охолоджувачі, що охолоджується рідиною (теплоносієм), яка протікає по трубопроводу, що підводиться до електричного котла, охолоджувач виконаний у вигляді герметичної вставки в трубопровід з вхідним та вихідним патрубками, який відрізняється тим, що тиристор встановлений на основі негерметичного електровідсіку,...

Номер патенту: 93057

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Кульматицький Володимир Володимирович, Кукс Сергій Володимирович, Шумілов Юрій Миколайович, Шумілов Михайло Юрійович

МПК: H02H 3/00, H01T 1/00, H01C 7/12 ...

Мітки: пзпн, перенапруг, захисту, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для захисту від перенапруг, що містить обмежувач перенапруг з нелінійними оксид-цинковими резисторами, фарфоровий ізолятор і два електроди для формування іскрового однократного проміжку, один з яких лінійний, який відрізняється тим, що лінійний електрод закріплений на шпильці фарфорового ізолятора, обмежувач перенапруг сполучений послідовно і співвісно з фарфоровим ізолятором, між якими закріплений другий електрод, при цьому...

Номер патенту: 56544

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Максимов Володимир Миколайович, Острик Віктор Дмитрович, Тельніков Євгеній Якович, Шибаєв Володимир Олександрович

МПК: H01C 7/118, H05B 3/62, H05B 3/68 ...

Мітки: товстоплівковий, елемент, нагрівальний

Формула / Реферат:

Товстоплівковий нагрівальний елемент, що містить сталеву (керамічну) підкладку з послідовно розміщеними на ній ізолюючим та захисним шарами, між якими розміщений резистивний шар, який відрізняється тим, що як матеріал резистивного шару використано композиційну пасту на основі порошку боридів рідкоземельних та/або перехідних елементів з домішками порошку алюмінію, кремнію або алюмінію, або кремнію.

Номер патенту: 53575

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сировєтнік Владислав Сергійович, Зеленін Анатолій Миколайович

МПК: H01C 3/00

Мітки: синтезаторів, складної, двійкових, частот, ансамблів, допомогою, радіосигналів, формування, типу, непрямого, форми, маніпульованих, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для формування ансамблів двійкових маніпульованих радіосигналів складної форми за допомогою синтезаторів частот непрямого типу, що включає перший генератор, перший та другий двовходові ключі та двовходовий суматор, при цьому вихід першого генератора з'єднаний з входом першого ключа, виходи першого та другого ключів з'єднані з входами першого суматора, вихід якого є виходом пристрою, який відрізняється тим, що в нього введені...

Номер патенту: 90309

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Шумілов Михайло Юрійович, Кульматицький Володимир Володимирович, Шумілов Юрій Миколайович

МПК: H01C 7/12, H01T 1/00

Мітки: захисту, пристрій, перенапруг

Формула / Реферат:

1. Пристрій для захисту від перенапруг, що містить поміщену в захисну полімерну оболонку колонку нелінійних варисторів з нижнім і верхнім металевими електродами на її кінцях, обмежувач вигину і кручення пристрою, діелектричні склопластикові стрижні, які утворюють каркас навколо колонки нелінійних варисторів, що встановлені в отворах металевих електродів, притискні шайби, які встановлені між колонкою нелінійних варисторів та верхнім і нижнім...

Номер патенту: 43677

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Корецький Валерій Миколайович, Риптік Парасковія Афанасіївна, Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович, Смирнов Анатолій Миколайович

МПК: H01C 17/06

Мітки: матеріал, низькоомний, резистивний

Формула / Реферат:

1. Низькоомний резистивний матеріал, що містить провідну фазу на основі рутенату свинцю, склозв'язку й органічне сполучне, який відрізняється тим, що він додатково містить порошок паладію й срібла при наступних співвідношеннях компонентів, мас. %: рутенат свинцю 6-10 склозв'язка 35-40 порошок паладію 2-6 срібло ...

Номер патенту: 42005

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Човган Анатолій Дмитрович, Малова Алла Іллівна, Бугайов Олег Володимирович, Глушаков Володимир Миколайович, Татарський Олексій Дмитрович

МПК: H01C 13/00

Мітки: резистивний, модуль

Формула / Реферат:

1. Резистивний модуль, що містить стрічковий резистивний елемент, укріплений за допомогою утримувачів в ізоляторах, стягнутих шпильками, і виводи, виконані у вигляді плоских шин з отворами для під'єднування до електричних ланцюгів схеми, який відрізняється тим, що на кінцях шпильок закріплені кутові ізолятори, які містять майданчики з плоскими поверхнями, розташованими перпендикулярно площинам резистивної стрічки і виступаючими за її розміри...

Номер патенту: 40001

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Осипьонок Микола Михайлович, Смертенко Петро Семенович, Пуд Олександр Аркадієвич, Дімітрієв Олег Петрович

МПК: H01C 1/00, H01L 21/28, H01L 21/00 ...

Мітки: структур, гнучкого, контакту, основі, омічного, нанесення, спосіб, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення омічного контакту до структур на основі полікристалічного CdS, що включає нанесення на підкладинку водної суспензії порошкоподібного CdS з домішкою CdCl2 в кількості 10 мас. %, з подальшим спіканням цього шару в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що як омічний контакт до полікристалічного шару CdS використане вуглецеве волокно, яке попередньо відпалюють в атмосфері інертного газу при температурі...

Номер патенту: 85893

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Гусєйнов Гасан Абдулалі Огли, Адейкін Олексій Олександрович, Адейкін Ігор Олександрович

МПК: H02H 9/04, H01T 1/00, H01C 7/12 ...

Мітки: захисту, спосіб, перенапруг, пристрій, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для захисту від перенапруг, який містить колонку послідовно з'єднаних варисторів з металевими кінцевими електродами, розміщену між верхнім і нижнім фланцями, захисну діелектричну гільзу, що обгортає колонку варисторів, армуючий каркас, виконаний із скловолокна хрестоподібним намотуванням, ромбоподібні отвори, заповнені ізолюючим матеріалом, еластомерну ребристу захисну оболонку, розміщену на армуючому каркасі, який відрізняється...

Номер патенту: 39276

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Володько Ольга Василівна, Порхунов Олександр Іванович, Приходько Микола Васильович, Піскунов Вадим Георгійович

МПК: H01C 7/00

Мітки: композиційний, резистивний, матеріал

Формула / Реферат:

1. Резистивний композиційний матеріал, що містить хімічне електропровідне волокно, цемент, термічно стабільний наповнювач, лугостійке скловолокно і воду, який відрізняється тим, що як термічно стабільний наповнювач містить кварцовий пісок і електрокорунд при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: хімічне електропровідне волокно 1,8-4,2 цемент 28,1-36,4 ...

Номер патенту: 38932

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Гончар Артур Григорович, Захарченко Ігор Віталійович, Паустовський Олександр Васильович, Рудь Борис Михайлович, Тельніков Євгеній Якович, Шелудько Володимир Євгенійович

МПК: H01C 17/00

Мітки: спосіб, тензочутливості, підвищення, коефіцієнта, товстої, плівки, резистивної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення коефіцієнта тензочутливості резистивної товстої плівки на основі твердого розчину діоксиду олова, легованого сурмою, який відрізняється тим, що поверхню плівки оброблюють лазером, який працює в режимі модульованої добротності резонатора при таких параметрах випромінювання: довжина хвилі l=1,06 мкм, енергія імпульсу Е=160×10-3 Дж, тривалість імпульсу t=15×10-9с.

Номер патенту: 85243

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Гайскій Віталій Олександрович, Гайський Павло Віталійович

МПК: G01K 7/16, H01C 13/00

Мітки: спосіб, резистора, ньому, еквівалентного, опору, зразкового, реалізований, температури, вимірювач

Формула / Реферат:

1. Вимірювач температури або опору, еквівалентного опору зразкового резистора, що містить ланцюжок з розміщених локально на загальній теплопровідній підкладці і послідовно підключених n резисторів з відомими залежностями їх опорів від температури, який відрізняється тим, що використаний ланцюжок з n резисторів з різними залежностями їх опорів від температури, при цьому один зовнішній вивід ланцюжка підключений до входу генератора струму,...

Номер патенту: 38119

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Коваленко Леонід Леонідович

МПК: C04B 35/46, H01C 7/02

Мітки: основі, позисторний, низькотемпературний, барію, керамічний, титанату, матеріал

Формула / Реферат:

Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, який включає ВаСО3, SrCO3, TiO2 і Y2O3 кваліфікації "оcобливо чистий", який відрізняється тим, що він одержаний частковим заміщенням іонів титану на іони олова відповідно до формули: (Ba1-x-ySryYx)(Ti1-y'Sny')O3; (0,002<x<0,006; 0,05≤у≤0,15; 0,05≤у'≤0,15), та додатковим введенням домішки ТіС при такому співвідношенні...

Номер патенту: 84007

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Козуб Борис Володимирович, Кошелєв Геннадій Миколайович, Пімченко Юрій Петрович, Кім Єн Дар

МПК: H01C 7/12, H01T 1/00

Мітки: перенапруг, електроенергетичних, захисту, пристрій, об'єктів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для захисту від перенапруг електроенергетичних об'єктів, що містить ребристий електроізоляційний корпус з металевими електродами на його кінцях, розміщену усередині нього колонку щонайменше з двох варисторів, електрично пов'язаних із згаданими металевими електродами, які скріплені між собою щонайменше двома діелектричними стрижнями, закріпленими в їх отворах і встановленими в тілі електроізоляційного корпусу, який відрізняється...

Номер патенту: 31083

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Шумілов Михайло Юрійович, Кульматицький Володимир Володимирович, Шумілов Юрій Миколайович

МПК: H01T 1/00, H01C 7/12

Мітки: пристрій, захисту, перенапруг

Формула / Реферат:

1. Пристрій для захисту від перенапруг, що містить поміщену в захисну полімерну оболонку колонку нелінійних варисторів з нижнім і верхнім металевими електродами на її кінцях, обмежувач вигину і кручення пристрою, діелектричні склопластикові стрижні, які утворюють каркас навколо колонки нелінійних варисторів, що встановлені в отворах металевих електродів, притискні шайби, які встановлені між колонкою нелінійних варисторів та верхнім і нижнім...

Номер патенту: 82294

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Ларін Володимир Сергійович, Куцева Наталія Олександрівна, Башев Валерій Федорович, Брехаря Григорій Павлович

МПК: C22C 19/07, C22C 45/00, C22C 38/10 ...

Мітки: кобальту, обробки, термомеханічної, сплаву, скляний, спосіб, аморфного, жилою, основі, оболонці, мікродроту

Формула / Реферат:

Спосіб термомеханічної обробки мікродроту з жилою з аморфного сплаву на основі кобальту в скляній оболонці, що включає термічну обробку одержаного за методом Улітовського-Тейлора вказаного мікродроту, який відрізняється тим, що термічну обробку цього мікродроту проводять при температурі 793-803 К протягом 1770-1830 с з додатковою пластичною деформацією одноосьовим розтягуванням 125-135 МПа, яку здійснюють одночасно.

Номер патенту: 27540

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бережанський Володимир Михайлович

МПК: H01C 8/00

Мітки: пороговою, n-moн-транзисторів, спосіб, від`ємною, отримання, напругою

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання n-MOH-транзисторів з від'ємною пороговою напругою, що включає всі операції формування кремнієвих субмікронних структур, який відрізняється тим, що з метою забезпечення його температурної стабільності, а також недопущення значного росту радіаційних дефектів, проводиться багатозарядна імплантація кремнію іонами фтору F--.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що енергія і доза двозарядних іонів F-- складає...

Номер патенту: 24417

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Порхунов Олександр Іванович, Володько Ольга Василівна, Піскунов Вадим Георгійович

МПК: H01C 7/00

Мітки: матеріал, композиційний, резистивний

Формула / Реферат:

1. Резистивний композиційний матеріал, що містить в'яжуче на основі швидкотверднучого цементу, колоїдний графіт, термічно стабільний наповнювач у вигляді кварцового піску і/або електрокорунду, волокнистий наповнювач, який відрізняється тим, що як електропровідний компонент він додатково містить ультрадисперсний технічний вуглець з питомою поверхнею Sг=90...100 м2/г, а як волокнистий наповнювач - хімічні електропровідні волокна завдовжки...

Номер патенту: 23876

Опубліковано: 11.06.2007

Автор: Ротнер Сергій Михайлович

МПК: H01C 1/02

Мітки: резистор

Формула / Реферат:

Резистор, який містить корпус, виконаний у вигляді об'ємної геометричної фігури, з крипільним елементом, розташованим у периферійній частині корпусу, контактна поверхня якого частково виконана із керамічної підкладки, внутрішня поверхня якої містить резистивний елемент і зв'язані з ним клеми, який відрізняється тим, що контактна поверхня виконана ламаною, при цьому керамічна підкладка розташована в такий спосіб, що її горизонтальна площина...