C30B — Вирощування монокристалів

Номер патенту: 116113

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Димшиц Ольга Сєргєєвна, Жилін Алєксандр Алєксандровіч

МПК: C03C 10/12, C30B 29/20, A44C 27/00 ...

Мітки: матеріал, ювелірний, термостійкий, синтетичний

Формула / Реферат:

1. Термостійкий синтетичний ювелірний матеріал, який містить:композиційний нанокристалічний матеріал, що має нанорозмірні оксидні та силікатні кристалічні фази, причому цей композиційний нанокристалічний матеріал містить:щонайменше одну кристалічну фазу, що вибрана з групи, яка складається з: шпінелі, кварцоподібних фаз, сапфірину, енстатиту, петалітоподібної фази, кордієриту, вілеміту, циркону, алюмотитанатів магнію, рутилу,...

Номер патенту: 122646

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Окрепка Галина Михайлівна, Халавка Юрій Богданович, Тинкевич Олена Олександрівна

МПК: C01G 11/00, C30B 7/00

Мітки: телуриду, спосіб, колоїдного, нанокристалів, кадмію, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб колоїдного синтезу нанокристалів кадмію телуриду високої концентрації шляхом змішування прекурсорів кадмію та телуру в присутності стабілізуючого ліганду, який відрізняється тим, що як прекурсор телур використовують свіжоприготовлений розчин політелуридів, який отримують шляхом пропускання гідрогену телуриду через 1М водний розчин натрію гідроксиду, рН якого варіюється в межах 8-12, до зміни забарвлення розчину на фіолетове.

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович, Боскін Олег Осипович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/20, H01L 21/208 ...

Мітки: епітаксії, очищення, спосіб, фазі, рідинної, розчину-розплаву, змочування, підкладки

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Номер патенту: 122252

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Турко Борис Ігорович, Топоровська Лілія Романівна, Серкіз Роман Ярославович, Парандій Петро Петрович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/00, B82B 3/00 ...

Мітки: отримання, композитного, фотокаталізатора, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора, за яким з розчину реагентів вирощують наноструктури ZnO з n-типом електропровідності на шарі зародків ZnO з n-типом електропровідності, що міститься на поруватому кремнії з р-типом електропровідності, який відрізняється тим, що як наноструктури використовують наноквіти ZnO з розвиненою поверхнею.

Номер патенту: 115688

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Тіщенко Ігор Юрійович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/04

Мітки: кремнієвих, виготовлення, спосіб, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин, що включає розрізання з припуском квадратованого чи псевдоквадратованого зливка монокристалічного чи мультикристалічного кремнію на пластини з припуском та видалення припуску з торцевих поверхонь пластини шляхом обробки за допомогою високоенергетичного вузьконаправленого газового потоку, який відрізняється тим, що при видаленні припуску одночасно на торцевій поверхні формують фаску, при цьому...

Номер патенту: 121322

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Розанцев Георгій Михайлович, Марійчак Олександра Юріївна, Радіо Сергій Вікторович

МПК: C30B 29/32, C01G 41/00

Мітки: лантаноїд(ііі)-вмісних, одержання, поліоксовольфраматів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалічних солей лантаноїд(III)-вмісних поліоксовольфраматів із аніоном зі структурою Пікока-Уіклі, що включає послідовне додавання розчинів натрію вольфрамату, нітратної кислоти й лантаноїду нітрату у стехіометричному відношенні, який відрізняється тим, що проводиться висолювання дією апротонного розчинника ацетону, витримування розчину з кристалами у щільно закритій хімічній склянці за 6 °C упродовж 48 годин,...

Номер патенту: 115607

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Гайдук Андрій Ігоревич, Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Євген Петрович, Андрєєв Олександр Євгенійович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/34, B23K 28/00 ...

Мітки: з'єднання, спосіб, деталей, кристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання сапфірових деталей, що включає розташування деталей відносно один одного з капілярним зазором між контактними поверхнями, подачу розплаву в зону з'єднання та подальшу кристалізацію контактної зони, який відрізняється тим, що подача розплаву в зону з'єднання здійснюють з поверхні краплі розплаву, яку створюють в поглибленні на торці утримувача, форма і розмір якого збігаються з конфігурацією контактної зони, а об'єм краплі...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/04, C30B 13/00 ...

Мітки: розплаву-розчину, кристалізації, вирощування, складу, спосіб, спрямовано, методом, cu1-xagx)7ges5i, твердих, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Возняк Тарас Іванович, Павлик Богдан Васильович, Герасимов Ярослав Віталійович, Горбенко Віталій Іванович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Зоренко Юрій Володимирович, Шикоряк Йосип Андрійович, Архіпов Павло Васильович, Федоров Олександр Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: G01T 1/20, C30B 29/00, C09K 11/00 ...

Мітки: іонізуючих, сцинтилятор, комбінований, випромінювань, реєстрації

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Танько Аліна Вікторівна, Баранов В'ячеслав Валерійович, Романенко Андрій Олександрович, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/14, C30B 11/02 ...

Мітки: тугоплавких, методом, пристрій, монокристалів, кристалізації, вирощування, оксидів, горизонтально, спрямовано

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: вирощування, методом, спосіб, кристалізації, cu7ges5i, спрямовано, розплаву-розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 119994

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Коптєв Михайло Михайлович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/10

Мітки: речовин, коефіцієнтом, кристалів, розширення, від'ємним, температурним, об`ємного, тигель, вирощування

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від'ємним температурним коефіцієнтом об'ємного розширення, виконаний у вигляді циліндра, пласке дно якого з'єднане з циліндричною боковою поверхнею по сферичній поверхні, який відрізняється тим, що бокова поверхня тигля виконана у вигляді хвилястого профілю.

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46, C30B 1/06 ...

Мітки: методом, ag7ges5i, спосіб, вирощування, кристалізації, розплаву-розчину, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Бурченя Андрій Віталійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Гордєєв Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович

МПК: C30B 7/00

Мітки: високого, затравці, тиску, температури, пристрій, стабільності, монокристалів, області, вирощування, алмазу, термодинамічно

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Архіпов Павло Васильович, Галенін Евгеній Петрович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: сировиною, вирощування, тиглів, спосіб, наплавлення, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Номер патенту: 118819

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Павлюк Олексій Вікторович, Сливка Юрій Іванович, Миськів Мар'ян Григорович, Лук'янов Михайло Юрійович

МПК: C30B 7/12

Мітки: монокристалів, спосіб, координаційних, сполук, синтезу, іонних, купрум(і)-олефінових

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу іонних p-комплексів купруму(І), що включає проведення електрохімічного відновлення солей купруму(ΙΙ) на мідних електродах в присутності органічного ліганду в розчиннику з одночасним окисненням міді з мідних електродів до купруму(І), який відрізняється тим, що електрохімічне відновлення проводять у двофазній суміші, що містить водний або метанольний розчин солі купруму(ІІ) та ацетонітрильний або толуеновий розчин...

Номер патенту: 118459

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Луньов Сергій Валентинович, Хвищун Микола В'ячеславович, Маслюк Володимир Трохимович, Зімич Андрій Іванович

МПК: C30B 33/02, C30B 15/00, C30B 33/04 ...

Мітки: отримання, спосіб, мікросенсора, магніточутливого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання магніточутливого мікросенсора, що включає одержання напівпровідникового домішкового монокристалу, піддавання його ізотермічному відпалу та з'єднання після охолодження до кімнатної температури з двома парами контактів, який відрізняється тим, що домішковий монокристал виготовляють з речовини n-типу провідності, та додатково опромінюють його потоком високоенергетичних електронів, а ізотермічний відпал здійснюють після...

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Будаковський Сергій Валентинович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Козьмін Юрій Семенович, Суздаль Віктор Семенович, Тонкошкур Володимир Миколайович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20

Мітки: монокристалів, розплаву, вирощування, ампулі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: властивостями, шаруватих, одержання, спосіб, bi2te3, матеріалів, феромагнітними, bi2se3, кристалів, температури, основі, кімнатний, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 31/00, C30B 11/00

Мітки: лазера, гамма-випромінювання, переходом, підвищення, спосіб, cdznte, рентгенівського, рідкому, основі, середовищі, виготовлення, детекторів, багатократним, характеристик, опроміненням, імпульсами

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00, H01L 21/00

Мітки: групи, а2в6, поверхневого, шару, генерованими, напівпровідників, наносекундними, імпульсами, спосіб, середовищі, рідкому, деформаційними, легування, твердофазного, лазера, хвилями, ударними, елементами

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Юрченко Антон Миколайович, Воронов Олексій Петрович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14, C30B 7/04 ...

Мітки: орієнтованих, монокристалів, вирощування, спосіб, дигідрофосфату, літію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Номер патенту: 117157

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Бондаренко Борис Іванович, Дмітрієв Валерій Максимович, Сімейко Костянтин Віталійович, Кожан Олексій Пантелеймонович

МПК: B01J 8/42, B01J 19/14, B01J 8/18 ...

Мітки: псевдозрідженому, реактор, високотемпературних, шарі, процесів

Формула / Реферат:

Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі, що включає зовнішній циліндричний корпус з теплоізоляцією, в якому встановлено реакційну камеру з псевдозрідженим шаром, у верхній частині якої співвісно встановлений рухомий електрод, а у нижній - повітряна камера з газопровідними трубками та газорозподільними ковпачками, який відрізняється тим, що він оснащений нагрівальною камерою з нагрівним елементом, розміщеним всередині...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Рибалка Ірина Анатоліївна, Звєрєва Віра Сергіївна, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 29/46, C01G 9/00, C01B 19/00 ...

Мітки: селеніду, спосіб, цинку, отримання, шихти

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Мирончук Галина Леонідівна, Махновець Ганна Володимирівна, Кітик Іван Васильович, Коровицький Андрій Михайлович, Замуруєва Оксана Валеріївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, кристалів, основі, tlinse2, фоторезисторів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Горгут Галина Петрівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Влох Ростислав Орестович

МПК: C30B 11/00

Мітки: 0,167, монокристалів, x=0,333, отримання, спосіб, 0,200, agxgaxge1-xse2, 0,250

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Дяденчук Альона Федорівна, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00, C30B 29/06 ...

Мітки: елементів, кремнії, отримання, поруватого, монокристалічному, використанням, кремнію, спосіб, нанорозмірного, сонячних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Номер патенту: 116463

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Оптасюк Сергій Васильович, Серпак Наталія Федорівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Сергій Дмитрович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/46

Мітки: нанокристалів, високочистих, телуриду, колоїдних, синтезу, кадмію, спосіб, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу високочистих колоїдних розчинів нанокристалів кадмію телуриду, який включає синтез нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора в деіонізованій воді, причому як модифікатор використовують тіогліколеву кислоту з концентрацією 4,6.10-2-1,15.10-1 моль/л, а синтез проводять впродовж 2-9 хв., який відрізняється тим, що до отриманого водного колоїдного розчину нанокристалів кадмію...

Номер патенту: 116091

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Жартовський Олександр Володимирович, Кривунь Валентина Степанівна

МПК: C30B 30/00

Мітки: вихідних, речовин, нових, продуктів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів, що включає подачу інгредієнтів, нагрівання та осадження інгредієнтів з парової фази, який відрізняється тим, що на металеві поверхні, оброблені з шорсткістю 25…3,2 мкм, розташовані паралельно одна напроти одної, наносять суміш вихідних продуктів у вигляді пасти, поверхні зближують до дотику, пропускають імпульсний електричний струм, поверхні нагрівають до температури не вище температури...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, tlhgcl3, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, матеріалу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, tl3pbі5, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, тl3рbвr5, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, тlpbi3, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Капустник Олексій Костянтинович, Коваленко Назар Олегович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріал, легованого, заліза, елементів, активних, монокристалічний, ізовалентною, домішкою, твердого, розчину, кадмію-марганцю, основі, телуриду, іч-лазерів

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Долженкова Олена Федорівна, Притула Ігор Михайлович, Безкровна Ольга Миколаївна, Коваленко Назар Олегович, Костенюкова Олена Ігоревна

МПК: C30B 7/00

Мітки: вирощування, кристалів, дигідрофосфату, калію, допованих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, tlhgbr3, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: ga5,94ln3,96er0,1se15, монокристалу, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 1/00

Мітки: одержання, ga5,46ln4,47er0,07s15, спосіб, монокристалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Баранов В'ячеслав Валерійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович, Танько Аліна Вікторівна, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20, C30B 11/14 ...

Мітки: кристалізації, тугоплавких, вирощування, горизонтально, монокристалів, спосіб, оксидів, методом, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...