Патенти з міткою «електрофізичних»

Терморегульована кріостатна система для магнітофізичних та електрофізичних досліджень

Завантаження...

Номер патенту: 112992

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Сафронов Віталій Вікторович, Пилипчук Олександр Сергійович, Жарков Іван Павлович, Порошин Володимир Миколайович, Ходунов Володимир Олександрович

МПК: F17C 3/00, B01L 7/00, F25D 3/10 ...

Мітки: система, електрофізичних, терморегульована, кріостатна, досліджень, магнітофізичних

Формула / Реферат:

1. Терморегульована кріостатна система для магнітофізичних та електрофізичних досліджень, яка містить кріостат, усередині знімного зовнішнього корпусу якого розташовані послідовно по вертикальній осі перша посудина для кріогенної рідини і друга рознімна посудина для кріогенної рідини, в якій розташований надпровідний соленоїд і яка охоплена радіаційним екраном, що з'єднаний із першою посудиною, притому, що посудини мають зовнішні і внутрішні...

Спосіб покращення електрофізичних характеристик сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 110584

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Коротченков Олег Олександрович, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Подолян Артем Олександрович, Ященко Лариса Миколаївна, Курилюк Алла Миколаївна, Стебленко Людмила Петрівна, Калініченко Дмитро Володимирович, Кобзар Юлія Леонідівна, Науменко Світлана Миколаївна, Кріт Олексій Миколайович, Воронцова Любов Олексіївна

МПК: H01L 31/049, H01L 21/00

Мітки: сонячних, електрофізичних, спосіб, характеристик, покращення, елементів

Формула / Реферат:

Спосіб покращення електрофізичних характеристик сонячних елементів, який полягає в нанесенні на поверхню кремнію сонячної якості полімерної епоксиуретанової плівки та витримці сформованої структури в стаціонарному магнітному полі при кімнатній температурі, який відрізняється тим, що до складу полімерної епоксиуретанової плівки включають кремнієвмісний наповнювач з концентрацією С=0,001-1 мас. % і час витримки в стаціонарному магнітному...

Пристрій для вимірів електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 100080

Опубліковано: 10.07.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01N 13/00, G01N 27/406, G01Q 10/00 ...

Мітки: пристрій, напівпровідникового, матеріалу, вимірів, параметрів, електрофізичних

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить вимірювальні зонди, вимірювальну головку, важіль, пружину, механізми підйому і опускання зондів, переміщення вимірюваного зразка, переміщення вимірювальної головки щодо зразка, блоків управління і вимірювання, який відрізняється тим, що зонди жорстко кріпляться на вимірювальної головці, виконаній у вигляді плоскої металевої пластини, яка...

Пристрій для нвч-контролю електрофізичних параметрів твердотільних структур

Завантаження...

Номер патенту: 93890

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: G01R 17/00, G01R 27/00

Мітки: твердотільних, пристрій, електрофізичних, нвч-контролю, параметрів, структур

Формула / Реферат:

1. Пристрій для НВЧ-контролю електрофізичних параметрів твердотільних структур, що містить НВЧ-генератор, резонаторний зонд, керований за допомогою комп'ютера предметний столик, генератор модульованої частоти F, з'єднаний з пов'язаними зі спрямованим відгалужувачем двома синхронними детекторами, вихід першого з яких, що працює на частоті F, пов'язано з комп'ютером та НВЧ-генератором, а вихід другого, що працює на частоті 2F, з'єднано з...

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик

Завантаження...

Номер патенту: 86709

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович

МПК: G01N 3/18, H01L 21/324, H01L 21/322 ...

Мітки: тіл, деформацій, електрофізичних, дослідження, одновісних, пристрій, характеристик, твердих, створення

Формула / Реферат:

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах

Завантаження...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: G01R 1/00

Мітки: температурах, характеристик, зондовий, вимірювання, різних, структур, напівпровідникових, електрофізичних, пристрій

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Спосіб in situ визначення електрофізичних параметрів та товщини плівок

Завантаження...

Номер патенту: 103404

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Ласлов Гейза Елемірович, Пилипко Михайло Михайлович, Качер Ігор Емануілович

МПК: G01N 27/02

Мітки: плівок, товщини, електрофізичних, параметрів, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб in situ визначення електрофізичних параметрів та товщини плівок, який включає вимірювання попередньо нанесеними на підкладку рівновіддаленими чотирма зондами питомого опору плівки і визначення питомого опору для першого шару як r1=AU/I, де A - константа, U - спад напруги між внутрішніми електродами, I - струм протікання, який відрізняється тим, що додатково наносять ще один зонд і вимірювання питомого опору і товщини шарів плівок...

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H04N 5/257

Мітки: скануючий, мікрохвильовий, напівпровідникових, мікроскоп, електрофізичних, структур, контролю, параметрів

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: вимірювання, напівпровідникових, зондовий, структур, характеристик, електрофізичних, пристрій

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Спосіб in situ визначення електрофізичних параметрів та товщини плівок

Завантаження...

Номер патенту: 71861

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Качер Ігор Емануілович, Ласлов Гейза Елемірович, Пилипко Михайло Михайлович

МПК: G01N 9/00

Мітки: електрофізичних, параметрів, товщини, спосіб, плівок, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб in situ визначення електрофізичних параметрів та товщини плівок, який включає вимірювання попередньо нанесеними на підкладку рівновіддаленими чотирма зондами питомого опору плівки і визначення питомого опору для першого шару як , де  - константа,

Терморегульована кріостатна система для магнітооптичних та електрофізичних досліджень

Завантаження...

Номер патенту: 98974

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Жарков Іван Павлович, Чмуль Анатолій Григорович, Ходунов Володимир Олександрович, Сафронов Віталій Вікторович

МПК: B01L 7/00, F25D 3/10, F25B 19/00 ...

Мітки: досліджень, магнітооптичних, кріостатна, терморегульована, електрофізичних, система

Формула / Реферат:

1. Кріостат для магнітооптичних досліджень і фізико-технічних випробувань, усередині знімного зовнішнього корпусу якого розташовано послідовно, зверху по вертикальній осі, першу посудину для кріогенної рідини і другу рознімну посудину для кріогенної рідини, в якій розташований надпровідний соленоїд, і яка охоплена радіаційним екраном, що з'єднаний із першою посудиною для рідини, притому, що посудини мають зовнішні і внутрішні стінки і трубки...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: електрофізичних, зондовий, напівпровідникових, характеристик, вимірювання, пристрій, структур

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 92595

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01J 5/50, G01N 27/22

Мітки: спосіб, електрофізичних, неоднорідностей, матеріалах, розподілу, визначення, кристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах шляхом переміщення електродів відносно поверхні зразка з одночасним вимірюванням в змінному електричному полі їх електрофізичних параметрів, який відрізняється тим, що на плоскому електроді розміщують еталонний зразок товщиною  з pівномірним розподілом діелектричної проникності

Спосіб аналізу електрофізичних параметрів грунтових шарів та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 88044

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Кулік Алла Федорівна, Шугуров Олег Олегович

МПК: G01N 27/00, G01N 33/24

Мітки: здійснення, спосіб, електрофізичних, шарів, пристрій, грунтових, параметрів, аналізу

Формула / Реферат:

1. Спосіб аналізу електрофізичних параметрів грунтових шарів, який полягає в тому, що вимірювальні електроди розміщують у матеріалі грунту, екранованому корпусом від змін вологості, впливу температури, електростатичного і магнітного зовнішніх полів, після чого реєструють електрофізичні параметри грунту в кожному з горизонтальних шарів грунту, який відрізняється тим, що в грунт вводять два рівнобіжних ряди з n електродів у кожному ряді,...

Пристрій для визначення нелінійності електрофізичних характеристик матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 31812

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Скрипник Юрій Олексійович, Ваганов Олексій Анатолійович

МПК: G01N 22/00

Мітки: визначення, електрофізичних, характеристик, пристрій, матеріалів, нелінійності

Формула / Реферат:

1. Пристрій для визначення нелінійності електрофізичних характеристик матеріалів, що містить НВЧ-генератор, НВЧ-гетеродин, передавальну і приймальну антени, послідовно з'єднані НВЧ-підсилювач, балансний змішувач, вхід якого підключений до виходу НВЧ-гетеродина, і підсилювач проміжної частоти, комутаційний генератор, перший фільтр нижніх частот, та послідовно з'єднані синхронний детектор, другий фільтр нижніх частот і вольтметр, який...

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 19435

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Сизов Федір Федорович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Гузенко Генадій Олексійович, Лисюк Ігор Олександрович

МПК: G01R 1/00

Мітки: характеристик, напівпровідникових, структур, вимірювання, установка, електрофізичних, зондова

Формула / Реферат:

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що складається з станини, П-подібного кронштейна з закріпленим на ньому мікроскопом, координатного столика, розташованого під мікроскопом, двох приводів горизонтального переміщення і приводу вертикального переміщення координатного столика і зондів, що забезпечують електричні контакти з елементами, що тестуються, яка відрізняється тим, що установка...

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 40420

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Лисецький Лонгин Миколайович, Галунов Микола Захарович, Маліков Віталій Якович, Стаднік Петро Омел'янович

МПК: G01N 29/00

Мітки: матеріалів, властивостей, електрофізичних, вимірювання, пристрій, рідкокристалічних

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів, що містить корпус, нагрівник, вимірювальний та високовольтний електроди, ізолюючу прокладку і рідкокристалічний матеріал між електродами, який відрізняється тим, що до пристрою введено перфоровану прокладку, діаметри перфорацій в якій перевищують товщину прокладки.

Автогенераторний вимірювач електрофізичних параметрів матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 34598

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Каламєєць Тетяна Петрівна, Скрипник Юрій Олексійович

МПК: G01N 27/72, G01N 27/06

Мітки: вимірювач, електрофізичних, параметрів, матеріалів, автогенераторний

Формула / Реферат:

Автогенераторний вимірювач електрофізичних параметрів матеріалів, що містить у собі ємнісний або індуктивний робочий давач з матеріалом, що досліджується, автоматичний перемикач, два автогенератори, балансний змішувач, входами з'єднаний з виходами автогенераторів, виходом з'єднаний з послідовно включеними фільтром нижніх частот, формувачем коротких імпульсів, реверсивним лічильником імпульсів та цифровим відліковим пристроєм, генератор...

Спосіб контролю електрофізичних параметрів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 11658

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Ергаков Валерій Костянтинович, Любченко Олексій Вікторович, Сальков Євген Андрійович, Лукинський Юрій Леонідович, Рябіков Віктор Михайлович, Карачевцева Людмила Анатольєвна

МПК: H01L 21/66

Мітки: контролю, спосіб, напівпровідників, параметрів, електрофізичних

Формула / Реферат:

Способ контроля электрофизических пара­метров полупроводников, основанный на измере­нии электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффици­ента Холла от величины магнитного поля, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвиж­ности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении...

Альфа-установка для радіаційного регулювання електрофізичних параметрів напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 11383

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Леваднюк Едуард Нікодимович, Бідник Дмитро Ілліч, Ірінархов Сергій Михайлович, Школьний Арнольд Костянтинович, Вікулін Олександр Олександрович, Терентьєв Борис Михайлович

МПК: G21H 5/00

Мітки: структур, регулювання, напівпровідникових, радіаційного, альфа-установка, електрофізичних, параметрів

Формула / Реферат:

I. Альфа-установка для радиационного регу­лирования электрофизических параметров полу­проводниковых структур, состоящая из камеры облучения с облучателсм на основе радионуклидных источников альфа-излучения, держателя объ­ектов облучения, расположенного над облучателем, и системы перемещения объектов об­лучения, отличающаяся тем, что, с целью повы­шения эффективности радиационного воздействия на объекты облучения и радиационной безопасно­сти...