Замуруєва Оксана Валеріївна

Спосіб отримання фоторезисторів на основі кристалів tlinse2

Завантаження...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Мирончук Галина Леонідівна, Махновець Ганна Володимирівна, Кітик Іван Васильович, Замуруєва Оксана Валеріївна, Коровицький Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: фоторезисторів, отримання, tlinse2, кристалів, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (tiinse2)

Завантаження...

Номер патенту: 109140

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Мирончук Галина Леонідівна, Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович, Пясецький Міхал

МПК: C22C 45/00, C30B 31/00, H01L 31/00 ...

Мітки: фотопровідності, кристалів, tiinse2, підвищення, індинату, талію, спосіб, халькогеніду

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2), що включає завантаження його у ростовий контейнер, відкачку останнього, вміщення його у піч, виведення її на температурний режим та введення легуючих елементів, який відрізняється тим, що у ростовий контейнер з халькогенідом індинату талію одночасно завантажують лігатуру, до складу якої вводять елементи IV групи кремній (Si) та германій (Ge).2....