Вікулін Іван Михайлович

Газовий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 119798

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович, Годованюк Василь Миколайович, Горбачов Віктор Едуардович

МПК: G01N 27/00, H01J 9/00

Мітки: газовий, сенсор

Формула / Реферат:

Газовий сенсор, що містить світлодіод, фотоприймач та газочутливу напівпрозору пластинку, який відрізняється тим, що як фотоприймач використовується вимірювальний міст із двох пар фотодіодів, одна із них приймає відбите від пластинки світло та розташована зі сторони світлодіода, а друга - приймає світло, що проходить через пластинку та розташована із протилежного боку пластинки.

Оптоелектронний сенсор рівня рідини

Завантаження...

Номер патенту: 116574

Опубліковано: 25.05.2017

Автори: Ірха Василь Іванович, Горбачов Віктор Едуардович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01N 21/00

Мітки: рівня, рідини, сенсор, оптоелектронний

Формула / Реферат:

Оптоелектронний сенсор рівня рідини в замкнутому корпусі, всередині якого знаходяться випромінювач світла та два фотоприймачі, який відрізняється тим, що випромінювач і два фотоприймачі розташовані на верхній поверхні корпусу, а фотоприймачі включені в схему вимірювального мосту.

Спосіб виміру кутового положення осі обертання

Завантаження...

Номер патенту: 106235

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Ірха Юлія Вікторівна, Ірха Василь Іванович

МПК: G01C 1/00

Мітки: виміру, спосіб, обертання, кутового, положення, осі

Формула / Реферат:

Спосіб виміру кутового положення осі обертання оптоелектронним імпульсним методом з перетворенням вимірюваної величини в часові чи цифрові інтервали, який відрізняється тим, що з метою спрощення оптичної схеми точкове джерело світла розміщують на осі обертання, на додаткову скануючу вісь розміщують в нахиленому положенні увігнуте дзеркало на відстані від точкового джерела світла, дещо більшій від його фокусної відстані, зображення джерела,...

Датчик радіації

Завантаження...

Номер патенту: 103817

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Марколенко Павло Юрійович, Горбачов Віктор Едуардович, Веремьова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01N 23/00, H01L 31/00, G01T 1/00 ...

Мітки: датчик, радіації

Формула / Реферат:

Датчик радіації, що містить вимірювальний міст з чотирьох напівпровідникових елементів, який відрізняється тим, що використовують як всі чотири елементи польові транзистори, причому два елементи, що розташовані за однією діагоналлю мосту, мають від'ємний коефіцієнт струмової радіаційної чутливості, а два інші, які розташовані за другою діагоналлю, мають додатній коефіцієнт чутливості.

Напівпровідниковий дозиметр

Завантаження...

Номер патенту: 103816

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Веремьова Ганна Вікторівна, Горбачов Віктор Едуардович, Вікулін Іван Михайлович, Марколенко Павло Юрійович

МПК: G01T 1/00, H01L 31/00

Мітки: дозиметр, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий дозиметр на базі генератора релаксаційних коливань, що має одноперехідний транзистор, в електричне коло емітера якого ввімкнений конденсатор та елемент, що задає струм, який відрізняється тим, що як цій елемент використовують польовий транзистор.

Датчик магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 103575

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Веремьєва Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович, Марколенко Павло Юрійович, Горбачов Віктор Едуардович

МПК: H01L 31/00

Мітки: поля, датчик, магнітного

Формула / Реферат:

Датчик магнітного поля на основі двоколекторного магнітотранзистора з двома навантажувальними елементами в колах колекторів, які відрізняються тим, що як навантажувальні елементи використовуються магнітодіоди з протилежними знаками магніточутливості.

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 102232

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Криськів Світлана Казимирівна, Коробіцин Борис Васильович

МПК: H01L 27/00, G01R 31/28

Мітки: визначення, напівпровідників, ширини, забороненої, зони, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників за вимірянням вольтамперних характеристик при двох температурах, який відрізняється тим, що на гомогенних p-n-структурах при двох невисоких температурах кімнатній та вищій на 30…50 °C, вимірюються вольт-амперні характеристики при струмах, що відповідають лінійній ділянці, з котрих екстраполяцією до нуля струму визначаються струмові напруги відсічки і по отриманій формулі...

Фотоприймальний пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 99523

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Поляков Сергій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій на базі одноперехідного фототранзистора, який ввімкнено в схему генератора релаксаційних коливань з струмозадаючим елементом в ланцюжку бази і конденсатором С в ланцюжку емітер-база, який заряджений через біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що як струмозадаючий елемент бази одноперехідного фототранзистора використовується МДН-фототранзистор, в якому між металевим шаром затвору і діелектриком...

Оптичний модулятор

Завантаження...

Номер патенту: 99283

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Веремйова Ганна Вікторівна, Курмашев Шаміль Джамашевич, Поляков Сергій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10, G02F 1/00

Мітки: модулятор, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникової структури, що містить p- і n-області, а також омічні контакти до них, який відрізняється тим, що проміж p- і n-областями розміщено напівпровідник з забороненою зоною, меншою, ніж заборонені зони p- і n-областей.

Газочутливий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 98930

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Ірха Юлія Вікторівна, Ірха Василь Іванович, Марколенко Павло Юрійович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01N 27/02

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на основі одноперехідного транзистора із газочутливим метал-діелектрик-напівпровідниковим (МДН) транзистором з індукованим каналом n-типу в колі емітера та МДН-газочутливого конденсатора, а також із струмозадавальним елементом в колі бази одноперехідного транзистора, який відрізняється тим, що як такий елемент використовується газочутливий МДН-транзистор з індукованим каналом...

Газочутливий пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 97656

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Ірха Василь Іванович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01N 27/02

Мітки: газочутливий, пристрій

Формула / Реферат:

Газочутливий пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів, два із яких являються польовими МДН-транзисторами з газочутливим затвором, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використовуються польові МДН-транзистори, причому два МДН-транзистори з позитивним знаком газочутливості, розташовані в протилежних плечах мосту, являють собою МДН-транзистори з індукованим каналом на основі напівпровідника n-типу провідності, а...

Генератор на основі одноперехідного транзистора

Завантаження...

Номер патенту: 92282

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Поляков Сергій Миколайович, Веремйова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: транзистора, одноперехідного, генератор, основі

Формула / Реферат:

Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід.

Газочутливий пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 90333

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Константинов Костянтин Васильович, Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович

МПК: G01N 27/00

Мітки: газочутливий, пристрій

Формула / Реферат:

Газочутливий пристрій, що містить чотирьохелементний вимірюваний міст із чутливими до газу резисторами, який відрізняється тим, що всі чотири елементи вимірів мосту використовують газочутливі резистори, по два із різними знаками чутливості, розташованими в протилежних плечах мосту, причому перший вхід мосту з'єднаний з першою шиною джерела живлення, а другий вхід мосту через додатково підключений резистор з'єднаний з другою шиною джерела...

Оптичний модулятор

Завантаження...

Номер патенту: 89074

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович

МПК: G02F 1/00, H01L 31/10

Мітки: оптичний, модулятор

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникової структури, що містить р-n-перехід, а також омічні контакти до р- і n-областей, який відрізняється тим, що р-n-перехід виготовлено з напівпровідників з різною шириною забороненої зони.

Газочутливий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 82587

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Константинов Костянтин Васильович, Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович

МПК: G01N 27/02

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить чотириелементний вимірювальний міст із чутливими до даного газу конденсаторами, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи мосту використовуються газочутливі конденсатори, причому як два газочутливих конденсатори із додатним знаком чутливості, розташовані в протилежних плечах мосту, використовуються конденсатори із Pd-Si3N4-SiO2-n-Si з товстими діелектричними шарами, а як два інших - із від'ємним знаком...

Фотоприймальний пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 82586

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Веремйова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах та фотоприймачі, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використано польові фототранзистори, причому як два фототранзистори з позитивним знаком фоточутливості, розташованих в протилежних плечах мосту, використовуються МДН-фототранзистори, а як два інших, з негативним знаком фоточутливості, використовуються МДН-фототранзистори з прошарком...

Спосіб отримання порошків карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 80418

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01C 17/00

Мітки: кремнію, порошків, спосіб, карбіду, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання порошків карбіду кремнію, в якому проводиться нагрів газів-реагентів силану та етилену, який відрізняється тим, що нагрів газів проводиться випромінюванням СО2-лазера.

Фотоприймальний пристрій

Завантаження...

Номер патенту: 79408

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: пристрій, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах, включно фотоприймачі, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використано фоторезистори, причому як два фоторезистори з позитивним знаком фоточутливості, розташовані у протилежних плечах мосту, використано сірчано-кадмієві фоторезистори, а як два інші, з негативним знаком фоточутливості, використано фоторезистори, які виготовлено із...

Газочутливий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 78991

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович, Константинов Костянтин Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить чотирьохелементний вимірювальний міст із чутливими до даного газу резисторами, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи мосту використовують газочутливі резистори, причому як два газочутливі резистори із позитивним знаком чутливості, розташовані в протилежних плечах мосту, використовують резистори із тонких плівок γ-Ре2О3, а як два інших, із негативним знаком чутливості, резистори із тонких...

Фотоприймач

Завантаження...

Номер патенту: 76593

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна, Годованюк Василь Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить генератор на одноперехідному фототранзисторі, в електричний контур емітера якого ввімкнутий конденсатор, який відрізняється тим, що як конденсатор використовується МДН-структура, електрична ємність якої зменшується із зменшенням напруги.

Газовий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 76166

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Ірха Василь Іванович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01N 27/02

Мітки: сенсор, газовий

Формула / Реферат:

Газовий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на основі одноперехідного транзистора зі струмозадавальним елементом та конденсатором в колі емітера, який відрізняється тим, що як елемент використовують МДН-транзистор, з індукованим каналом n-типу, а як конденсатор - МДН-структуру з двома виводами від металу та напівпровідника.

Фотоприймач

Завантаження...

Номер патенту: 68148

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Марколенко Павло Юрійович, Горбачов Віктор Едуардович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, на базі генератора релаксаційних коливань, що вміщує кремнієвий одноперехідний фототранзистор, в електричний контур емітера якого ввімкнуто конденсатор і кремнієвий біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що біполярний фототранзистор виконано з германію.

Газочутливий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 62105

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Німцович Андрій Іванович, Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович

МПК: G01N 27/02

Мітки: газочутливий, сенсор

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на основі одноперехідного транзистора з резистором R та конденсатором С, який відрізняється тим, що як конденсатор та резистор використані елементи, величини С та R яких узгоджено змінюються залежно від концентрації даного газу.

Фотоприймач

Завантаження...

Номер патенту: 58429

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Вікуліна Лідія Федорівна, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Німцович Андрій Іванович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить одноперехідний фототранзистор на базі напівпровідника n-типу провідності з двома омічними контактами, емітерним p-n-переходом між ними та областю n-типу в емітерній р-області, який відрізняється тим, що в емітерній p-області сформовано додаткову область n-типу.

Паста для лудіння і паяння

Завантаження...

Номер патенту: 57636

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Корецький Валерій Миколайович, Смирнов Анатолій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: B23K 1/00, B23K 35/36, B23K 35/24 ...

Мітки: лудіння, паяння, паста

Формула / Реферат:

Паста для лудіння і паяння, що містить суміш каніфолі, дибутилфталату, порошку припою ПОС-61, яка відрізняється тим, що склад пасти додатково містить касторове масло, діетиламін солянокислий, малеїнову кислоту або малеїновий ангідрид, а інгредієнти узяті у наступному співвідношенні (в % по масі): каніфоль 1-11 дибутилфталат 2-4 касторове масло ...

Одноперехідний тензотранзистор

Завантаження...

Номер патенту: 53618

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01L 9/04

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні і другим омічним контактом на протилежній стороні та розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що поруч з другим омічним контактом на базі розташовано перехід метал-напівпровідник, який електрично поєднано з цим омічним контактом.

Магніточутливий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 49256

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Вікуліна Лідія Федорівна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 29/82

Мітки: магніточутливий, сенсор

Формула / Реферат:

Магніточутливий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на базі одноперехідного транзистора, який доповнено конденсатором С, який відрізняється тим, що до схеми генератора включений біполярний магнітотранзистор в двополюсному включенні (тобто з відключеною базою).

Низькоомний резистивний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43677

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Риптік Парасковія Афанасіївна, Корецький Валерій Миколайович, Смирнов Анатолій Миколайович, Сидорець Ростислав Григорович

МПК: H01C 17/06

Мітки: низькоомний, матеріал, резистивний

Формула / Реферат:

1. Низькоомний резистивний матеріал, що містить провідну фазу на основі рутенату свинцю, склозв'язку й органічне сполучне, який відрізняється тим, що він додатково містить порошок паладію й срібла при наступних співвідношеннях компонентів, мас. %: рутенат свинцю 6-10 склозв'язка 35-40 порошок паладію 2-6 срібло ...

Водорозчинний флюс

Завантаження...

Номер патенту: 40464

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Смирнов Анатолій Миколайович, Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович, Корецький Валерій Миколайович

МПК: B23K 35/362, B23K 35/00

Мітки: водорозчинний, флюс

Формула / Реферат:

Водорозчинний флюс, який містить триетаноламін, фталевий ангідрит, етиловий спирт, який відрізняється тим, що він додатково містить розчин поліетиленгліколевих ефірів синтетичних спиртів та дистильовану воду при наступних співвідношеннях компонентів, мас. %: триетаноламін 4,0-18,0 фталевий ангідрит 6,0-22,0 синтанол 1,0-2,0 ...

Паста для лудіння і паяння

Завантаження...

Номер патенту: 40362

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Смирнов Анатолій Миколайович, Сидорець Ростислав Григорович, Корецький Валерій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Джужук Олександр Костянтинович

МПК: B23K 1/00

Мітки: паяння, паста, лудіння

Формула / Реферат:

1. Паста для лудіння і паяння, що містить порошкоподібний припій, каніфоль, зв'язуюче - ланолін, яка відрізняється тим, що додатково містить бромід-н-бутилтриалкіламоній при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: каніфоль 1-7 ланолін 1-5 бромід-н-бутилтриалкіламоній 5-14 порошкоподібний припій ...

Напівпровідниковий фотоприймач

Завантаження...

Номер патенту: 34141

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Дмитрієв Михайло Володимирович

МПК: H01L 31/042, H01J 15/00

Мітки: напівпровідниковий, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач, що містить випрямні контакти, який відрізняється тим, що на освітлюваній стороні розташовано чотири напівпрозорі електроди, створюючі з напівпровідником випрямні контакти, електрично не зв'язані між собою і розділені зазорами шириною, рівною діаметру світлової плями d, а в центрі фотоприймача електроди рівновіддалені один від одного на відстань D, яка дорівнює d+2L, де L - дифузійна довжина неосновних...

Скло для виготовлення легкоплавкої фарби

Завантаження...

Номер патенту: 33913

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Смирнов Анатолій Миколайович, Лемза Віктор Дмитрович, Сидорець Ростислав Григорович

МПК: C03C 3/00

Мітки: виготовлення, скло, легкоплавкої, фарби

Формула / Реферат:

Скло для виготовлення легкоплавкої фарби, що включає РbО, В2О3, SiO2, ZrO2, Nd2О3, яке відрізняється тим, що воно додатково містить СuО при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: РbО 75,6-76,0 70-90 % В2O3 14,3-13,0 SiO2 5,1-6,0 ZrО2 4,0-4,5 Nd2O3 ...

Спосіб охолодження нагрівника

Завантаження...

Номер патенту: 31461

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Дмитрієв Михайло Володимирович, Вікулін Іван Михайлович, Панов Леонід Іванович

МПК: F25B 9/00

Мітки: нагрівника, спосіб, охолодження

Формула / Реферат:

Спосіб охолодження нагрівника, який передбачає примусове повітряне охолодження нагрівника, який відрізняється тим, що охолоджувану поверхню піддають впливу акустичних хвиль з частотою із діапазону від 25 до 130 Гц.

Оптичний модулятор

Завантаження...

Номер патенту: 28502

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Міронченко Тетяна Іванівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G02F 1/01

Мітки: модулятор, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникового кристала, що містить р-n-перехід, а також омічний контакт, який відрізняється тим, що на напівпровідниковому кристалі поблизу р-n-переходу розміщено додатковий омічний контакт, який електрично сполучено з р-n-преходом, що здатний забезпечити порогове змінення оптичної прозорості напівпровідникового кристала.

Оптичний модулятор

Завантаження...

Номер патенту: 26020

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Ірха Василь Іванович, Панфілов Максим Іванович

МПК: G02F 1/00

Мітки: оптичний, модулятор

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, що містить напівпровідникову пластину з р-n-переходом з однієї сторони та омічний контакт на протилежній стороні, який відрізняється тим, що ці два контакти виконані в вигляді сітки з довжиною сторони комірки, рівній двом довжинам дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду, а промінь світла направлений перпендикулярно контактам.

Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів

Завантаження...

Номер патенту: 20814

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович, Пучкова Надія Сергіївна, Смирнов Анатолій Миколайович

МПК: C03C 14/00

Мітки: резисторів, товстоплівкових, скло, високовольтних

Формула / Реферат:

1. Скло для високовольтних товстоплівкових резисторів, що містить PbO, SiО2, Al2O3, яке відрізняється тим, що додатково містить ТіО2 і ВаО при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: РbО – 50...60, SiO2 - 25...35, Al2O3 - 5...10, ВаО - 5...10, ТiO2 - 1...5.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після здрібнювання (помелу) на планетарному млині його додатково класифікують методом центрифугування за розмірами частинок 1-0...

Одноперехідний фототранзистор

Завантаження...

Номер патенту: 20016

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Панфілов Максим Іванович, Вікулін Іван Михайлович, Никифоров Станислав Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фототранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-n-переходу сформовано додаткову область n-типу.

Одноперехідний тензотранзистор

Завантаження...

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Мінгальов Володимир Олександрович, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 29/00

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Фотоприймач

Завантаження...

Номер патенту: 19922

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Мінгальов Володимир Олександрович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.

Датчик тиску

Завантаження...

Номер патенту: 14490

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Прохоров Георгій Валерійович, Вікулін Іван Михайлович, Мінгальов Володимир Олександрович

МПК: G01L 9/04

Мітки: тиску, датчик

Формула / Реферат:

Датчик тиску, що являє собою мембрану з напівпровідника першого типу провідності, в якій утворений вимірювальний міст з чотирьох тензорезисторів другого типу провідності, який відрізняється тим, що з метою збільшення тензочутливості в поверхню кожного тензорезистора вбудована додаткова область першого типу провідності.