Варшава Славомир Степанович

Перетворювач змінного струму

Завантаження...

Номер патенту: 42999

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: H02M 7/00

Мітки: струму, змінного, перетворювач

Формула / Реферат:

Перетворювач змінного струму, який містить структуру, що включає резистивну область, ізоляційний шар, термоелектричну область, який відрізняється тим, що вся структура виконана з одного напівпровідникового ниткоподібного елемента p-Si у формі хрестоподібного зростка з двох кристалів - поздовжнього і поперечного, причому поздовжній кристал є резистивною областю, поперечний - термоелектричною, а вузол зростка - ізоляційним шаром.

Низькочастотний генератор

Завантаження...

Номер патенту: 42998

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович

МПК: H03B 7/00

Мітки: низькочастотний, генератор

Формула / Реферат:

Низькочастотний генератор, що містить з'єднані між собою резистори, джерело струму, який відрізняється тим, що резистори виконані у формі «Х»- подібного зростка двох ниткоподібних кристалів Si n-типу з питомим пором » 1,0 Ом×см, а джерело під'єднане до одного з резисторів.

Тензодатчик динамічної деформації

Завантаження...

Номер патенту: 43094

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Панков Юрій Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01B 7/00, G01B 5/30, G01B 7/16 ...

Мітки: деформації, динамічної, тензодатчик

Формула / Реферат:

Тензодатчик динамічної деформації, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала з точковими контактами на кінцях монокристала і струмовиводами, а також із проміжним точковим контактом, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використано напівпровідник кремній р - типу провідності, легований В та Аu, із питомим опором 0,02 Ом см, а проміжний точковий контакт встановлений зі зміщенням до одного з кінців...

Вимірювач магнітного поля і температури

Завантаження...

Номер патенту: 41659

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Гінгін Микола Петрович, Байцар Роман Іванович, Столярчук Петро Гаврилович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/32

Мітки: температури, поля, вимірювач, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала Si-Ge<Zn>, шар фериту Mn-Zn, який відрізняється тим. що терморезистор виконаний з двох послідовно з'єднаних чутливих елементів і розташований в шарі фериту, який виконано з суміші теплопровідної пасти і порошку фериту, і який нанесений на поверхню датчика...

Спосіб вирощування монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії

Завантаження...

Номер патенту: 40028

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Юр'єв Сергій Олексійович, Юрчишин Петро Іванович, Ющук Степан Іванович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/28, C30B 19/00

Мітки: рідинно-фазної, методом, монокристалічних, вирощування, плівок, спосіб, ферит-гранатів, епітаксії

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування   монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення під­кладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворювальних окисидів та розчинника, і осадження плі­вок при заданих температурних режимах,   який   відріз­няється тим, що  як     розчинник беруть суміш оксидів молібдену, вісмуту і свинцю в таких співвідношеннях (мол. %): МоО3 - 5.0-10.0;  Bі2О3 -...

Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 40269

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Варшава Славомир Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович, Буджак Ярослав Степанович

МПК: G01N 25/18

Мітки: ниткоподібних, кристалів, термоелектричних, параметрів, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

 Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових ниткоподібних кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 40268

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович

МПК: G01R 31/00

Мітки: кристалів, ниткоподібних, визначення, напівпровідникових, провідності, спосіб, типу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...

Спосіб отримання тонкоплівкового матеріалу твердого розчину pb(1-x)sn(x)se

Завантаження...

Номер патенту: 39072

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Шепетюк Володимир Андрійович, Запухляк Руслан Ігорович, Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 29/46, C30B 23/02

Мітки: pb(1-x)sn(x)se, отримання, твердого, тонкоплівкового, спосіб, матеріалу, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкового матеріалу твердого розчину Pb1-xSnxSe різного типу провідності методом гарячої стінки шляхом нагрівання підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагріванні стінок камери до Тс, додаткового джерела халькогену до Тд, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують твердий розчин Pb1-xSnxSe складу х= 0-0,15, для отримання плівок n-типу підкладку нагрівають до Тп= 423-560...

Ємнісний датчик деформації

Завантаження...

Номер патенту: 38295

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Суберляк Олег Володимирович, Дем'ян Мирослав Лукич, Лучко Йосип Йосипович, Шекета Марія Леонтіївна

МПК: G01L 9/12, G01L 9/00

Мітки: ємнісний, датчик, деформації

Формула / Реферат:

 (21) 2000063562(54) (57)                                                                          Дата прийняття                                                                                        рішення                                                                                        10 квітня 2001р.             Ємнісний датчик деформації, що містить твердий діелектрик, виготовлений з полімеру,...

Ємнісний датчик тиску

Завантаження...

Номер патенту: 38294

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Суберляк Олег Володимирович, Варшава Славомир Степанович, Заікіна Ольга Степанівна, Дем'ян Мирослав Лукич, Лучко Йосип Йосипович

МПК: G01L 9/00, G01L 9/12

Мітки: датчик, тиску, ємнісний

Формула / Реферат:

      2000063561 (54) (57)Дата прийняття  рішення 10 квітня 2001р.          Ємнісний датчик тиску, що містить діелектричну плівку, виготовлену з полімеру, металічні електроди, розташовані з протилежних сторін плівки, відвідні контакти, який відрізняється   тим, що як полімер використаний співполімер полівінілового спирту з ефірами метакрилової кислоти.

Спосіб отримання термоелектричних сплавів pb1-xinxte:i

Завантаження...

Номер патенту: 35208

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/02

Мітки: сплавів, отримання, спосіб, термоелектричних, pb1-xinxte:i

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів Pb1-xlnxTe:l, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижча від температури точки плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до...

Спосіб отримання плівок pвte

Завантаження...

Номер патенту: 35209

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, отримання, плівок, pвte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок РbТе шляхом нагріву підкладки до температури Tn=400-600 K, випаровуванні вихідної речовини РbТе при Тв=820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки витримують в атмосфері кисню на протязі 0,5 год при тиску PO2=(10-1-10) Па і піддають термічній обробці у вакуумі при ~600 К протягом 1,2 год.

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію

Завантаження...

Номер патенту: 35211

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Варшава Славомир Степанович, Матеїк Галина Дмитрівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: сплавів, отримання, спосіб, основі, свинцю, германію, термоелектричних, телуриду, олова

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини (~1250 К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання...

Спосіб отримання тонких плівок pbte методом гарячої стінки

Завантаження...

Номер патенту: 35210

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Запухляк Руслан Ігорович, Калинюк Михайло Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, методом, тонких, гарячої, стінки, спосіб, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок РbТе методом гарячої стінки шляхом, нагріву підкладки до температури Тп=420-470 К, випаровуванні вихідної речовини РbТе при Тв=820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки піддавалися ізохронному відпалу у вакуумі на протязі однієї години при температурі Тi=500 К.

Термоелектричний датчик вологості

Завантаження...

Номер патенту: 35198

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Бортнік Галина Миколаївна, Столярчук Петро Гаврилович

МПК: G03G 21/00, G01N 25/00

Мітки: датчик, вологості, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний датчик вологості, що містить чутливий елемент з напівпровідникового ниткоподібного кристала голчастої форми, до якого під'єднані контактні вітки, які є одночасно сухим і вологим термометрами відповідно, і під'єднані до вимірювального приладу, а вістря чутливого елемента перебуває в контакті з пористим змочуваним матеріалом, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконано з кремнію р-типу з питомим опором...

Датчик магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 33149

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Пелех Любов Миколаївна, Варшава Славомир Степанович, Венгер Евген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: H01L 43/06

Мітки: магнітного, поля, датчик

Текст:

...витягнуті HP з 2-а контактами кожен, дозволяв підвищити багатократно чутливість датчика» оскільки практично не Існує обмежень на їх КІЛЬКІСТЬ , те хнологія їх виготовлення в набагато простіша, ніж елементів лолла, оскільки не Існує проблеми холдЕвських контактів, що особливо важливо для мікрокристалів, якими в ниткопо діб ні кристали. Окрім цього, встановлення МР на кільцевому фериті дозволяє сумістити функції підкладки І концентратора...

Датчик для вимірювання температури і магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 33148

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Венгер Евген Федорович, Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/00

Мітки: вимірювання, магнітного, датчик, поля, температури

Текст:

...Х-и,5 з питомим опором 5ии-Іши Омш контакти створені з привареного лудженого мідного дроту, закріпленого ІНДІЄМ. встановлено, що виготовлення чутливого елемента датчика а пресованого марганець-цинкового фериту даного складу І питомого опору *абе»~ печуе добру температурну чутливість датчика в Інтервалі U».,+IOU°C s коефіцієнтом тК0-£ 5&/R, а також його чутливість до магнітних полів s коефіцієнтом^^ Ом /тл дз Оскільки...

Спосіб отримання тонких ванадієвих плівок термічним резистивним нагрівом

Завантаження...

Номер патенту: 33147

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Набитович Йосиф Дмитрович, Варшава Славомир Степанович, Сусол Петро Іванович

МПК: H01C 17/075, C23C 14/26

Мітки: тонких, ванадієвих, резистивним, термічним, нагрівом, отримання, плівок, спосіб

Текст:

...заповнюють двома І більше ванадієвими стрічками,при цьому температуру випар-* нику задають в межах 1850 - 20S0 °С» температуру підкладки * ЗЬО - *Ю0 °С ,а глибина вакууму складав 9,3« І О" 5 Па, запропонована конструкція випарника дозволяв проводити процес випаровування при температурах 1850 - 20Ь0 °С»розміщення наваж* ки » ванадієвої стрічки по всі* довжині робочої частини вольфра* у О/ тервалі температур І швидкосте* випарру:вання...

Детектор нвч-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 33039

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович, Байцар Роман Іванович

МПК: G01R 21/00

Мітки: детектор, нвч-випромінювання

Текст:

...На фіг. зображений детектор НВЧ-випромІнювання, де ЧВ --ї , контакти - 2, струмопідводи - 3, феритові кільця - 4 . ( детектор НВЧ-випромінювання містить ЧЕ А. з напівпровідникового ниткоподібного монокристала твердого розчину$Li-x &&xскладу х=и,і)І, легованого/# І Аб/ , з питомим опором и,7 Ом,см, з контактами- 2 та струмопідводаьй- 3; на ЧЕ- І встановлені ферлтоБІ кільця- 4. Феритові кільця - 4 можуть мати форму тороїдальних...

Спосіб отримання чотирьохкомпонентного твердого розчину на основі сполук а-4, в-6.

Завантаження...

Номер патенту: 31810

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, розчину, сполук, чотирьохкомпонентного, а-4, спосіб, в-6, твердого, основі

Текст:

...-768 с). Однак, ці способи їх отримання складні, дорогі, не дозволяють плавно керувати електричними і термоелектричними параметрами. Найбільш близькими до запропонованого винаходу є спосіб отримання чотирьохкомпонентного твердого розчину на основі сполук А^В^ , який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцевій вакуумованій ампулі, поміщають у двохзонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення...

Спосіб виготовлення напівпровідникового терморезистивного датчика

Завантаження...

Номер патенту: 31815

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Возний Орест Зеновійович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Евген Федорович, Шкумбатюк Петро Степанович

МПК: G01N 27/12, G01K 7/00, G01N 19/00 ...

Мітки: датчика, терморезистивного, виготовлення, напівпровідникового, спосіб

Текст:

...аморфного сплаву QeTe , відокремлюють підкладку І на сплав наносять з про тилежних сторін [п -контакти. Використання лазерної технологїі сплавлення пластинки Тв підкладкою Н-Оє з при певних режимах дозволяє порівняно просто одержати аморфний ибТє , який є основою для створення напівпровідникового тернорезистивного датчика; нові властивості аморфного сплаву забезпечують те, що датчик, крім температури, може вимірювати І другий...

Спосіб отримання твердого розчину pbte-snte

Завантаження...

Номер патенту: 31812

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 15/10

Мітки: отримання, розчину, pbte-snte, твердого, спосіб

Текст:

...параметрами. Найбільш близькими до запропонованого винаходу є спосіб отримання твердого розчину PbTe-SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в графітовому поршні і поміщають в двохзонну піч, температура першої" зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони € нижчою від температури плавлення вихідної речовини, поршень з вихідною речовиною перемішують з першої зони у...

Спосіб отримання твердого розчину sn-in-tе

Завантаження...

Номер патенту: 31811

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 15/10

Мітки: отримання, спосіб, sn-in-tе, розчину, твердого

Текст:

...нижчою від температури плавлення вихідної речовини, поршень з вихідною речовиною переміщують з першої зони у другу з швидкістю біля 25 мм/хв і обертаючи його при цьому із швидкістю І з оо/хв до здійснення кристалізації, іщішиди LUL щм^щіГшшдну речовину Sn-In-Te вибирають з перерізом Встановлено, що при 2,8 ат. % In твердий розчин Бпо^Те-ІфТез має максимальні значення термоефективності а2а> що дає можливість за рахунок певного вмісту In...

Багатофункціональний датчик

Завантаження...

Номер патенту: 28394

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Прохорович Анатолій Вікторович, Венгер Євген Федорович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/16, G01B 7/00 ...

Мітки: датчик, багатофункціональний

Формула / Реферат:

1. Багатофункціональний датчик, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала, точкові контакти, який відрізняється тим, що чутливий елемент виготовлено з голчастого монокристала твердого розчину Si1-хGex складу х=0,05, легованого Zn, з питомим опором 0,5 Ом.см, чутливий елемент складається з 3-х частин, утворених 4-а точковими контактами так, що частина з сторони більшого поперечного перерізу використана як...

Вимірювач магнітного поля і температури

Завантаження...

Номер патенту: 28393

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Байцар Роман Іванович, Венгер Євген Федорович, Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: H01L 43/08, G01K 7/32

Мітки: поля, вимірювач, температури, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge<Zn> з питомим опором 0,6-1,0 Oм.cм, а підкладку - з...

Hизькотемпературний сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 29027

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Вайнберг Віктор Володимирович, Бортнік Галина Миколаївна, Венгер Євген Федорович, Варшава Славомир Степанович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: H01L 43/08, G05D 23/20, G01K 7/16 ...

Мітки: сенсор, hизькотемпературний

Формула / Реферат:

Низькотемпературний сенсор, що містить чутливий елемент з напівпровідникового ниткоподібного кристала з під’єднаними струмовиводами, розташований на підкладці, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконано з телуру з питомим опором 0,6 Ом. см при 300 К, а відношення діаметра до довжини становить 0,05-0,1.

Спосіб визначення точки роси

Завантаження...

Номер патенту: 29026

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Рак Володимир Степанович, Венгер Євген Федорович, Байцар Роман Іванович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: G01N 25/56, G01N 25/64

Мітки: роси, визначення, спосіб, точки

Формула / Реферат:

Спосіб визначення точки роси, згідно якого збуджують незатухаючі коливання резонатора, при термоелектричному охолодкелні вимірюють частоту коливань резонатора і температуру, з яких визначають точку роси, який відрізняється тим, що резонатор виконують у вигляді струни з ниткоподібного напівпровідникового кристала Si-Ge, яку закріплюють на дзеркальній, кремнієвій підкладці в деформованому стані, а точку роси визначають при скачкоподібній зміні...

Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату

Завантаження...

Номер патенту: 25599

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Костюк Петро Степанович, Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович

МПК: H01F 10/08, H01F 41/14

Мітки: заміщеного, плівок, спосіб, гранату, залізо-ітрієвого, епітаксійних, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату методом рідкофазної епітаксії, що включає занурення підкладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворюючих окислів Fe2O3, Y2O3, La2O3 і розчинника PbO, B2O3 і осадження плівок при заданих режимах, який відрізняється тим, що в склад суміші додають Sc2O3 і вміст окислів в суміші беруть, моль. %: PbO - 81,021; В2O3 - 5,184; Fe2O3 - 13,265;...

Спосіб отримання епітаксійних плівок (snте)х

Завантаження...

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Шепетюк Володимир Андрійович, Байцар Роман Іванович, Белей Мирон Іванович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/46

Мітки: спосіб, snте)х, плівок, отримання, епітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (snте)х

Завантаження...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Шепетюк Володимир Андрійович, Буджак Ярослав Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 29/46

Мітки: спосіб, епітаксійних, шарів, snте)х, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...

Hапівпровідhиковий термоаhемометр

Завантаження...

Номер патенту: 21771

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Карасьов Олексій Павлович, Новицький Данило Миколайович, Байцар Роман Іванович

МПК: G01K 5/00

Мітки: термоаhемометр, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий термоанемометр, який містить чутливий елемент з ниткоподібного моно­кристала твердого розчину Si-Ge з електричними контактами, струмовиводами, держак, електрич­ну вимірювальну схему, який відрізняється тим, що контакти виготовлені випрямними, причому в твердому розчині Si-Ge вміст Ge становить 0,01, і питомий опір монкристала рівний або перевищує 4 Ом • см.

Фотоелектричний перетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 15098

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Байцар Роман Іванович, Островська Анастасія Степанівна, Пелех Любов Миколаївна, Варшава Славомир Степанович, Нечипорук Ірина Євгенівна

МПК: H01L 31/02

Мітки: перетворювач, фотоелектричний

Формула / Реферат:

Фотоелектричний перетворювач, що містить чутливий елемент з напівпровідникового монокристала з електричними контактами, який відрізняється тим, що чутливий елемент виготовлений з твердого розчину  складу   з питомим опором  з величиною конусності  один з електричних контактів приєднаний безпосередньо до торця чутливого елемента, а другий - зміщений відносно протилежного кінця чутливого елемента на  де  - довжина кристала.

Датчик тиску

Завантаження...

Номер патенту: 11226

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Варшава Славомир Степанович, Щербай Константин Степанович, Островська Анастасія Степанівна, Воронін Валерій Олександрович

МПК: G01L 11/00, G01L 9/02

Мітки: тиску, датчик

Формула / Реферат:

(57) Датчик давления, содержащий диэлектрическую подложку, на которой размещен полупроводниковый чувствительный элемент на основе твердого раствора GaAs1-xPx (x -= 0,4) с электрическими контактами, отличающийся тем, что в нем чувствительный элемент выполнен в виде нитевидного кристалла, при этом твердый раствор GaAs1-xPx легирован медью сконцентрацией носителей 2*1013-8*1013 см3.

Датчик температури

Завантаження...

Номер патенту: 9808

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Чєкаєв Анатолій Міхайловіч, Щербай Костянтин Степанович, Варшава Славомир Степанович, Пелех Любов Миколаївна

МПК: G01K 7/16

Мітки: датчик, температури

Формула / Реферат:

(57) Датчик температуры, содержащий чувствительный элемент из нитевидного монокристалла GaAs с электрическими выводами, каждый из которых выполнен из двух проводников разного поперечного сечения, и наполнитель, размещенные в полости герметизированного корпуса, отличающийся тем, что одна из граней нитевидного монокристалла покрыта графитом, его электрические выводы закреплены на стенках корпуса, выполненного из монокристаллического корунда, а...

Термоелектричний датчик швидкості потоку

Завантаження...

Номер патенту: 1294

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Варшава Славомир Степанович, Стельмах Олег Богданович, Чекурін Василь Феодосійович, Потапчук Галина Миколаївна

МПК: G01P 5/10

Мітки: потоку, датчик, швидкості, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоэлектрический датчик скорости потока, содержащий терморезистор, включенный в измерительную схему, защитный экран и источник тока, отличающийся тем, что в него введены ограничительный резисторный вольтметр постоянного тока с параллельно подключенным к нему конденсатором, причем вольтметр постоянного тока последовательно соединен в ограничительным резистором и терморезистором, при этом защитный экран выполнен в виде цилиндрического...