Ушанкін Юрій Володимирович

Спосіб очищення відходів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 92990

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Гринь Григорій Васильович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/00, C01B 33/02, C30B 33/08 ...

Мітки: спосіб, відходів, кремнію, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення відходів кремнію, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що процес ведуть в атмосфері аргону під тиском не менше 6000 Па та швидкості обертання тигля 0,4-2,0 об/хв., перед кристалізацією в розплав опускають затравку з вуглецевого матеріалу, збирають на неї чужорідні включення і витягують її з розплаву, а кристалізацію розплаву здійснюють зі...

Спосіб переробки відходів виробництва кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 91885

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Гринь Григорій Васильович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 33/00

Мітки: виробництва, відходів, переробки, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб переробки відходів виробництва кремнію, що включає плавлення відходів виробництва кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, витягування зливка із розплаву на затравку, який відрізняється тим, що процес здійснюють з відкритим екрануванням кварцового тигля з розплавом в атмосфері аргону під тиском не більше 200 Па та при величині його потоку не менше 1500 л/год., витримку розплаву здійснюють протягом 6-8 годин, витягування зливка...

Спосіб одержання монокристалів кремнію з необхідним вмістом вуглецю

Завантаження...

Номер патенту: 85176

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вмістом, кремнію, одержання, спосіб, монокристалів, необхідним, вуглецю

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію з необхідним вмістом вуглецю, що включає визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці кристала, відрізання від його нижнього торця частини з підвищеним вмістом вуглецю, повторне визначення концентрації атомів вуглецю на нижньому торці зливка, який відрізняється тим, що довжину частини монокристала з підвищеним вмістом вуглецю розраховують за формулою:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: монокристала, кремнію, вирощених, обробки, спосіб, злитків

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: бездефектної, зони, кремнію, спосіб, монокристала, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту

Завантаження...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристалічного, порушенні, спосіб, росту, одержання, кремнію, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.