Тору Аокі

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 31/00, C30B 11/00

Мітки: характеристик, рідкому, детекторів, опроміненням, cdznte, рентгенівського, лазера, основі, багатократним, спосіб, середовищі, підвищення, гамма-випромінювання, імпульсами, виготовлення, переходом

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: генерованими, наносекундними, лазера, групи, імпульсами, деформаційними, твердофазного, поверхневого, а2в6, рідкому, спосіб, середовищі, елементами, хвилями, напівпровідників, ударними, легування, шару

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 41216

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/04, C30B 11/00

Мітки: спосіб, детекторів, g-випромінювання, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...

Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею

Завантаження...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі

МПК: H01L 21/04

Мітки: хвилею, пружною, групи, аiiвvi, спосіб, елементами, напівпровідникових, створенні, електричних, аiii, сполук, легування, приповерхневого, структур, бар'єрних

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...