Тору Аокі

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118037

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі

МПК: H01L 31/00, C30B 11/00

Мітки: багатократним, імпульсами, виготовлення, підвищення, середовищі, основі, детекторів, cdznte, гамма-випромінювання, опроміненням, спосіб, переходом, рідкому, лазера, характеристик, рентгенівського

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі

Завантаження...

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: шару, рідкому, твердофазного, лазера, спосіб, групи, ударними, генерованими, легування, елементами, середовищі, поверхневого, напівпровідників, імпульсами, а2в6, деформаційними, наносекундними, хвилями

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 41216

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/04, C30B 11/00

Мітки: виготовлення, детекторів, спосіб, g-випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...

Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею

Завантаження...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/04

Мітки: пружною, напівпровідникових, структур, приповерхневого, аiii, хвилею, електричних, бар'єрних, спосіб, легування, створенні, сполук, аiiвvi, групи, елементами

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...