Ткаченко Сергій Анатолійович

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Федоров Олександр Григорович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Горбенко Віталій Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Гриньов Борис Вікторович, Архіпов Павло Васильович, Возняк Тарас Іванович, Сідлецький Олег Цезаревич, Зоренко Юрій Володимирович, Павлик Богдан Васильович

МПК: C30B 29/00, C09K 11/00, G01T 1/20 ...

Мітки: комбінований, іонізуючих, випромінювань, сцинтилятор, реєстрації

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Евгеній Петрович, Архіпов Павло Васильович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: спосіб, тиглів, сировиною, наплавлення, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб наплавлення тигля шихтою, зокрема, для вирощування високотемпературних оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 108932

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Сідлецький Олег Цезарович, Курцев Даніїл Олександрович, Волошина Олеся Василівна, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євген Петрович, Кононець Валерій Вадимович, Бондар Валерій Григорович, Архипов Павел Васильович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: наплавлення, зокрема, тигля, спосіб, вирощування, високотемпературних, оксидів, шихтою

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення тигля шихтою, зокрема, для вирощування оксидних монокристалів, який включає завантаження шихти в бункер, який встановлюють співвісно над тиглем, здійснюють їх нагрівання у пічці з певною швидкістю, знижують швидкість нагрівання для перебігу твердофазового синтезу, продовжують нагрівання до отримання розплаву, після повного перетікання розплаву до тигля та витримки в тиглі, останній охолоджують до кімнатної температури,...

Пристрій для концентрування газових домішок, розчинених у розплаві

Завантаження...

Номер патенту: 101184

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Кудін Констянтин Олександрович, Галенін Євген Петрович, Софронов Дмитро Семенович, Сідлецький Олег Цезарович, Васюков Сергій Олександрович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: розчинених, концентрування, домішок, розплаві, газових, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для концентрування газових домішок, розчинених у розплаві, який відрізняється тим, що містить тигель з капілярною системою, на торці якої встановлений формоутворювач, що містить зовнішнє кільце і внутрішній елемент з капілярним каналом між ними, внутрішній елемент виконаний у формі циліндра з конусним вістрям на торці, який виступає над площиною торця на 0,4-0,6 мм.

Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 90632

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезарович, Зеленська Ольга Віталіївна, Волошина Олеся Василівна, Бондар Валерій Григорійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 15/00, C09K 11/77

Мітки: спосіб, активованих, рідкісноземельних, піросилікатів, елементів, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів, що включає приготування шихти шляхом змішування вихідних оксидів, їх прожарювання при температурі 1500±10 °С в атмосфері аргону, з наступним плавленням одержаної шихти й вирощування монокристалів методом Чохральского, який відрізняється тим, що використовують склад шихти, що відповідає співвідношенню (32,8-31,8) мол. % (Re2O3+A2O3) : (67,2-68,2) мол. %...

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину

Завантаження...

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Нагорняк Володимир Теодорович, Кудін Костянтин Олександрович, Софронов Дмитро Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євген Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/32, C30B 15/00 ...

Мітки: вісмуту, вирощування, германату, евлітину, монокристалів, структурою, середовище

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 88591

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Галенін Євген Петрович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: наплавлення, спосіб, сировиною, тиглів, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тигля сировиною для вирощування монокристалів, який полягає в тому, що сировину завантажують в тигель, розміщують тигель в ростовій камері, нагрівають й одержують розплав, довантажують сировину, який відрізняється тим, що довантаження здійснюють сплавленням до затравки попередньо вирощеного монокристала з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, й закріпленого в затравкоутримувачі безпосередньо після...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву за методом чохральського та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Євгеній Петрович, Бондар Валерій Григорійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/00

Мітки: вирощування, розплаву, пристрій, монокристалів, чохральського, здійснення, спосіб, методом

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Живильник порошкоподібних та сипучих матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 31454

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Галенін Євген Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: матеріалів, порошкоподібних, сипучих, живильник

Формула / Реферат:

Живильник порошкоподібних та сипучих продуктів, що містить бункер циліндричної форми, який відрізняється тим, що дно бункера жорстко з'єднано з приводом його обертання через підшипниковий вузол, який закріплено на напрямній полозків з можливістю зміни місця його кріплення на ній, ця напрямна закріплена на кронштейні з можливістю зміни кута її нахилу відносно горизонталі, а внутрішня бокова поверхня бункера обладнана двозахідними...

Спосіб синтезу алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 50039

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Литвинов Леонід Аркадійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 29/04, C01B 31/06

Мітки: алмазу, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу алмазу, який включає осадження атомів вуглецю із середовища, що містить вуглець, у розплаві металу-каталізатора, який відрізняється тим, що як метал - каталізатор використовують метали з анізотропією швидкості кристалізації, аналогічною анізотропії швидкості кристалізації алмазу, і не взаємодіючи з вуглецем, осадження ведуть в умовах градієнту температур на запалювальні кристали алмазу.

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 47846

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович, Коваль Юрій Миколайович

МПК: C30B 15/34

Мітки: монокристалів, вирощування, профільованих, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів, що містить тигель із розміщеним у ньому пучком капілярів і розташованим на його торці формоутворювачем, який складається із зовнішнього і внутрішнього елементів із капілярним зазором між ними, який відрізняється тим, що зовнішній і внутрішній елементи формоутворювача виконані у вигляді циліндричних ступінчастих втулок, вставлених одна в другу з капілярним зазором, що має дві вертикальні...

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 36892

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: пристрій, вирощування, профільованих, монокристалів

Текст:

...на верхньому торці якого розміщений формоутворювач, що містить внутрішній і зовнішній елементи зібрані з капілярним зазором 4 між ними. Внутрішній елемент представляє собою фіксатор 2, оснащений стержнем 1, виконаним із незмочуємого розплавом матеріалу. Зовнішній елемент формоутворювача представляє собою матрицю 3, виконану з матеріалу, що змочується розплавом, при цьому змочуваність фіксатора 2 не має значення. Поверхня матриці 3, що...

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору

Завантаження...

Номер патенту: 34574

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/36

Мітки: вирощування, тикору, спосіб, монокристалів, лазерних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору, який включає плавлення початкової сировини та витягування кристала на затравку, орієнтовану в двох взаємно перпендикулярних площинах, який відрізняється тим, що вирощування здійснюють при оптимальному температурному градієнті на фронті кристалізації в залежності від кристалографічної орієнтації в напрямку роста [0001], [1120], [1010] відповідно: 4-5град/мм, 2,5-4град/мм та 5-6град/мм при...

Спосіб фарбування монокристалів корунду

Завантаження...

Номер патенту: 18037

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович, Коневський Віктор Семенович

МПК: C30B 33/00

Мітки: фарбування, спосіб, корунду, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ окрашивания монокристаллов корунда, включающий очистку поверхности и термообработку в окислительной среде в красящем порошке, отличающийся тем, что используют порошок оксида кобальта с фракционным составом 1-5 мкм, который предварительно активируют в течение 30-60 минут, а термообработку проводят при 1000-1300°С.

Спосіб нерознімного з’єднування монокристалів оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 5752

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Бороденко Юрій Афанасійович, Каневський Віктор Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривоносов Євген Володимирович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/22, C30B 33/06

Мітки: спосіб, з'єднування, монокристалів, нерознімного, оксидів

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ неразъемного соединения монокристаллов оксидов, включающий приведение их в контакт при наличии промежуточной прослойки между ними, нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве прослойки используют прокладку из монокристаллов лейкосапфира, контакт осуществляют с усилием 0,35-0,45 кг/см2, нагрев ведут до температуры на 5-10°С ниже температуры плавления германата висмута со скоростью 350-400°С/час, выдержку...