Ткаченко Сергій Анатолійович

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Зоренко Юрій Володимирович, Павлик Богдан Васильович, Архіпов Павло Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Зоренко Тетяна Євгенівна, Федоров Олександр Григорович, Возняк Тарас Іванович, Герасимов Ярослав Віталійович, Горбенко Віталій Іванович

МПК: C30B 29/00, C09K 11/00, G01T 1/20 ...

Мітки: реєстрації, випромінювань, сцинтилятор, іонізуючих, комбінований

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Архіпов Павло Васильович, Галенін Евгеній Петрович, Сідлецький Олег Цезаревич, Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: сировиною, спосіб, тиглів, монокристалів, вирощування, наплавлення

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб наплавлення тигля шихтою, зокрема, для вирощування високотемпературних оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 108932

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Бондар Валерій Григорович, Сідлецький Олег Цезарович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Архипов Павел Васильович, Галенін Євген Петрович, Курцев Даніїл Олександрович, Кононець Валерій Вадимович, Волошина Олеся Василівна

МПК: C30B 15/00

Мітки: оксидів, тигля, зокрема, високотемпературних, спосіб, наплавлення, вирощування, шихтою

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення тигля шихтою, зокрема, для вирощування оксидних монокристалів, який включає завантаження шихти в бункер, який встановлюють співвісно над тиглем, здійснюють їх нагрівання у пічці з певною швидкістю, знижують швидкість нагрівання для перебігу твердофазового синтезу, продовжують нагрівання до отримання розплаву, після повного перетікання розплаву до тигля та витримки в тиглі, останній охолоджують до кімнатної температури,...

Пристрій для концентрування газових домішок, розчинених у розплаві

Завантаження...

Номер патенту: 101184

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Васюков Сергій Олександрович, Кудін Констянтин Олександрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Софронов Дмитро Семенович, Сідлецький Олег Цезарович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євген Петрович

МПК: C30B 15/34

Мітки: домішок, розплаві, газових, розчинених, пристрій, концентрування

Формула / Реферат:

Пристрій для концентрування газових домішок, розчинених у розплаві, який відрізняється тим, що містить тигель з капілярною системою, на торці якої встановлений формоутворювач, що містить зовнішнє кільце і внутрішній елемент з капілярним каналом між ними, внутрішній елемент виконаний у формі циліндра з конусним вістрям на торці, який виступає над площиною торця на 0,4-0,6 мм.

Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 90632

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Сідлецький Олег Цезарович, Зеленська Ольга Віталіївна, Гриньов Борис Вікторович, Волошина Олеся Василівна, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C09K 11/77, C30B 15/00

Мітки: піросилікатів, активованих, елементів, монокристалів, рідкісноземельних, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів, що включає приготування шихти шляхом змішування вихідних оксидів, їх прожарювання при температурі 1500±10 °С в атмосфері аргону, з наступним плавленням одержаної шихти й вирощування монокристалів методом Чохральского, який відрізняється тим, що використовують склад шихти, що відповідає співвідношенню (32,8-31,8) мол. % (Re2O3+A2O3) : (67,2-68,2) мол. %...

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину

Завантаження...

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Євген Петрович, Софронов Дмитро Семенович, Кудін Костянтин Олександрович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/32, C30B 15/00 ...

Мітки: вісмуту, середовище, германату, вирощування, евлітину, монокристалів, структурою

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 88591

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євген Петрович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: наплавлення, сировиною, тиглів, вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тигля сировиною для вирощування монокристалів, який полягає в тому, що сировину завантажують в тигель, розміщують тигель в ростовій камері, нагрівають й одержують розплав, довантажують сировину, який відрізняється тим, що довантаження здійснюють сплавленням до затравки попередньо вирощеного монокристала з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, й закріпленого в затравкоутримувачі безпосередньо після...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву за методом чохральського та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Галенін Євгеній Петрович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Бондар Валерій Григорійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Герасимов Ярослав Віталійович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/00

Мітки: пристрій, здійснення, спосіб, вирощування, розплаву, методом, монокристалів, чохральського

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Живильник порошкоподібних та сипучих матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 31454

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Галенін Євген Петрович, Нагорняк Володимир Теодорович, Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: порошкоподібних, живильник, матеріалів, сипучих

Формула / Реферат:

Живильник порошкоподібних та сипучих продуктів, що містить бункер циліндричної форми, який відрізняється тим, що дно бункера жорстко з'єднано з приводом його обертання через підшипниковий вузол, який закріплено на напрямній полозків з можливістю зміни місця його кріплення на ній, ця напрямна закріплена на кронштейні з можливістю зміни кута її нахилу відносно горизонталі, а внутрішня бокова поверхня бункера обладнана двозахідними...

Спосіб синтезу алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 50039

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Литвинов Леонід Аркадійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C01B 31/06, C30B 29/04

Мітки: алмазу, спосіб, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу алмазу, який включає осадження атомів вуглецю із середовища, що містить вуглець, у розплаві металу-каталізатора, який відрізняється тим, що як метал - каталізатор використовують метали з анізотропією швидкості кристалізації, аналогічною анізотропії швидкості кристалізації алмазу, і не взаємодіючи з вуглецем, осадження ведуть в умовах градієнту температур на запалювальні кристали алмазу.

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 47846

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Коваль Юрій Миколайович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: профільованих, монокристалів, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів, що містить тигель із розміщеним у ньому пучком капілярів і розташованим на його торці формоутворювачем, який складається із зовнішнього і внутрішнього елементів із капілярним зазором між ними, який відрізняється тим, що зовнішній і внутрішній елементи формоутворювача виконані у вигляді циліндричних ступінчастих втулок, вставлених одна в другу з капілярним зазором, що має дві вертикальні...

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 36892

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: пристрій, профільованих, вирощування, монокристалів

Текст:

...на верхньому торці якого розміщений формоутворювач, що містить внутрішній і зовнішній елементи зібрані з капілярним зазором 4 між ними. Внутрішній елемент представляє собою фіксатор 2, оснащений стержнем 1, виконаним із незмочуємого розплавом матеріалу. Зовнішній елемент формоутворювача представляє собою матрицю 3, виконану з матеріалу, що змочується розплавом, при цьому змочуваність фіксатора 2 не має значення. Поверхня матриці 3, що...

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору

Завантаження...

Номер патенту: 34574

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Кривоносов Євгеній Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/36

Мітки: вирощування, лазерних, спосіб, тикору, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору, який включає плавлення початкової сировини та витягування кристала на затравку, орієнтовану в двох взаємно перпендикулярних площинах, який відрізняється тим, що вирощування здійснюють при оптимальному температурному градієнті на фронті кристалізації в залежності від кристалографічної орієнтації в напрямку роста [0001], [1120], [1010] відповідно: 4-5град/мм, 2,5-4град/мм та 5-6град/мм при...

Спосіб фарбування монокристалів корунду

Завантаження...

Номер патенту: 18037

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович, Коневський Віктор Семенович

МПК: C30B 33/00

Мітки: корунду, монокристалів, спосіб, фарбування

Формула / Реферат:

Способ окрашивания монокристаллов корунда, включающий очистку поверхности и термообработку в окислительной среде в красящем порошке, отличающийся тем, что используют порошок оксида кобальта с фракционным составом 1-5 мкм, который предварительно активируют в течение 30-60 минут, а термообработку проводят при 1000-1300°С.

Спосіб нерознімного з’єднування монокристалів оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 5752

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Литвинов Леонід Аркадійович, Рижиков Володимир Діомидович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Каневський Віктор Семенович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривоносов Євген Володимирович

МПК: C30B 29/22, C30B 33/06

Мітки: спосіб, нерознімного, з'єднування, оксидів, монокристалів

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ неразъемного соединения монокристаллов оксидов, включающий приведение их в контакт при наличии промежуточной прослойки между ними, нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве прослойки используют прокладку из монокристаллов лейкосапфира, контакт осуществляют с усилием 0,35-0,45 кг/см2, нагрев ведут до температуры на 5-10°С ниже температуры плавления германата висмута со скоростью 350-400°С/час, выдержку...