Студеняк Віктор Ігорович

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Віктор Ігорович, Копчанський Петер

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: провідності, нього, 6снвт, підвищення, cu6ps5i, електричної, спосіб, наночастинок, внесення, кристалу, суперіонного, рідкого, провідника, нематичного, шляхом

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Мікула Маріан, Машіко Владислав Володимирович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: cu6ps5br, міді, основі, плівки, бромід-пентатіофосфату, енергії, застосування, тонкої, матеріалу, джерела, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Машіко Владислав Володимирович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: енергії, твердоелектролітичного, cu6ps5br, застосування, міді, матеріалу, тонкої, бромід-пентатіофосфату, джерела, основі, плівки

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Демко Павло Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ямковий Олександр Олександрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: енергії, плівки, аморфної, твердоелектролітичного, основі, джерела, cu6pse5i, міді, матеріалу, застосування, йодид-пентаселенофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/08

Мітки: аморфної, застосування, міді, основі, енергії, джерела, матеріалу, йодид-пентаселенофосфату, cu6pse5l, твердоелектролітичного, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.