Студеняк Ігор Петрович

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6св

Завантаження...

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Копчанський Петер, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Пал Юрій Олександрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: 6св, нематичного, одержання, основі, рідкого, кристала, спосіб, композита

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Куцик Михайло Михайлович

МПК: G01T 1/00

Мітки: матеріалу, випромінювання, застосування, міді, тонкої, йодид-пентаселенофосфату, плівки, рентгенівського, реєстрації, cu6pse5i, основі

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Мікула Маріан, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: реєстрації, рентгенівського, cu6ps5i, випромінювання, плівки, тонкої, матеріалу, міді, застосування, основі, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування матеріалу системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Макауз Іван Іванович, Молнар Золтан Рудольфович, Куцик Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович

МПК: G03C 1/705

Мітки: системі, запису, тонких, ag-as-s, плівках, інформації, матеріалу, допомогою, застосування, пучка, електронного

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00, C30B 13/04 ...

Мітки: кристалізації, спосіб, розплаву-розчину, методом, твердих, cu1-xagx)7ges5i, спрямовано, розчинів, вирощування, складу

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: G01T 5/10, G01T 7/02

Мітки: рентгенівського, тонкої, йодид-пентатіогерманату, застосування, міді, основі, випромінювання, реєстрації, плівки, матеріалу, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: спосіб, cu7ges5i, кристалізації, спрямовано, розплаву-розчину, вирощування, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/02, C30B 1/06 ...

Мітки: кристалізації, спосіб, ag7ges5i, вирощування, спрямовано, розплаву-розчину, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Куш Петер, Рибак Стефан Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: тонких, матеріалу, високопровідних, джерела, йодид-пентатіофосфату, плівок, спосіб, міді, cu6ps5i, енергії, одержання, твердоелектролітичного, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/04, C30B 13/00 ...

Мітки: вирощування, спрямовано, ag7ges5i, методом, кристалізації, спосіб, розплаву, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Матеріал на основі системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Молнар Золтан Рудольфович, Куцик Михайло Михайлович, Макауз Іван Іванович, Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C03C 3/00, G03C 1/705

Мітки: інформації, системі, пучка, ag-as-s, тонких, матеріал, електронного, плівках, допомогою, запису, основі

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Мікула Маріан, Куш Петер, Рибак Стефан Олександрович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, C01G 3/00, H01M 4/28 ...

Мітки: cu6ps5i, твердоелектролітичного, матеріалу, енергії, джерела, одержання, йодид-пентатіофосфату, спосіб, тонких, міді, основі, високопровідних, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Копчанський Петер, Ковальчук Олександр Васильович

МПК: G02F 1/13, G01R 3/00

Мітки: провідника, підвищення, суперіонного, нематичного, спосіб, 6снвт, шляхом, електричної, cu6ps5i, внесення, нього, наночастинок, рідкого, провідності, кристалу

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Мікула Маріан, Машіко Владислав Володимирович, Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: cu6ps5br, тонкої, джерела, плівки, енергії, твердоелектролітичного, матеріалу, міді, застосування, основі, бромід-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур для керування частотою плазмонного резонансу в некристалічних халькогенідах

Завантаження...

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Шандор, Пал Юрій Олександрович, Куцик Михайло Михайлович, Бучук Михайло Юрійович

МПК: H05H 1/42

Мітки: частотою, керування, некристалічних, композитних, халькогенідах, матеріалів, резонансу, сандвіч-структур, спосіб, одержання, плазмонного, вигляді

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Машіко Владислав Володимирович, Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: cu6ps5br, енергії, основі, тонкої, бромід-пентатіофосфату, джерела, плівки, застосування, міді, твердоелектролітичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника

Завантаження...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Пал Юрій Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: суперіонного, спосіб, нематичного, наночастинок, провідності, рідкого, нього, провідника, шляхом, кристалу, електричної, внесення, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, cu6pse5i, енергії, йодид-пентаселенофосфату, джерела, основі, застосування, аморфної, твердоелектролітичного, плівки, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Біланчук Василь Васильович, Бендак Андрій Васильович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, джерела, енергії, основі, застосування, матеріалу, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, твердоелектролітичного, аморфної, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/04

Мітки: кристалізації, спрямовано, розплаву, спосіб, монокристалів, cu7ps6, методом, вирощування, купрум(і)гексатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: спосіб, cu6ps5i, спрямовано, вирощування, монокристалів, кристалізації, купрум(і)пентатіофосфату(v, розплаву, методом, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, розплаву, кристалізації, спрямовано, вирощування, купрум(і)пентатіофосфату(v, броміду, cu6ps5br, методом, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Завісова Власта, Ковальчук Олександр Васильович, Томашовічова Наталія, Копчанський Петер, Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: підвищення, спосіб, нематичного, композита, іонної, рідкого, основі, провідності, кристалу

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан, Газова Зузана, Копчанський Петер, Шіпошова Катаріна

МПК: G02F 1/13

Мітки: ліотропного, спосіб, лізозиму, рідкого, концентрації, створення, визначення, магнітного, кристалу, оптимальної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Біланчук Василь Васильович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: cu7ges5i, міді, енергії, матеріалу, плівки, аморфної, твердоелектролітичного, основі, застосування, йодид-пентатіогерманату, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Демко Павло Юрійович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/08

Мітки: застосування, плівки, енергії, твердоелектролітичного, основі, міді, йодид-пентаселенофосфату, джерела, матеріалу, аморфної, cu6pse5l

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: спосіб, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, одержання, ag6tas5i

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6(pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кайла Маріанна Іванівна, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: транспортних, хімічних, спосіб, вирощування, розчинів, твердих, допомогою, купрум, йодиду, cu6(pxas1-x)s5i, монокристалів, пентатіофосфату-арсенату, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Спосіб одержання ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (ag3ass3)0,6 (as2s3)0,4

Завантаження...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Петраченков Олександр Євгенович, Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Раті Йосип Йосипович

МПК: B81C 1/00

Мітки: спосіб, as2s3)0,4, ag3ass3)0,6, ag-вмісних, плівки, одержання, віскерів, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: монокристалу, твердоелектролітичного, основі, міді, матеріал, енергії, cu7gese5i, йодид-пентаселеногерманату, джерела

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: спосіб, пентатіофосфату(v, монокристалів, купрум(і, спрямовано, методом, броміду, розплаву, кристалізації, вирощування, cu6ps5br

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пентатіофосфату(v, розплаву, вирощування, кристалізації, спрямовано, cu6ps5i, методом, монокристалів, купрум(і, йодиду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, cu7ps6, гексатіофосфату, монокристалів, купрум(і, спрямовано, методом, розплаву, спосіб, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб одержання аргентум(і) пентатіотанталату(v) йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: йодиду, пентатіотанталату(v, ag6tas5i, спосіб, одержання, аргентум(і

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, хлорид-йодиду, твердих, розчинів, вирощування, транспортних, хімічних, cu6ps5(ci0,5i0,5, спосіб, допомогою, пентатіофосфату, монокристалів, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu6ps5cl0,5br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, твердих, хімічних, реакцій, розчинів, пентатіофосфату, допомогою, хлориду-броміду, вирощування, транспортних, cu6ps5cl0,5br0,5, спосіб, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Пономарьов Вадим Євгенович, Мінець Юрій Васильович, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: нанокристалічного, кераміки, твердоелектролітичного, суперіонної, йодид-пентатіофосфату, енергії, основі, cu6ps5i, застосування, міді, джерела, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах

Завантаження...

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Олександр Олександрович, Поп Михайло Михайлович

МПК: C30B 28/00, C03C 23/00

Мітки: стеклах, спосіб, одержання, наноструктурованого, шару, поверхневого, халькогенідних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердого, розчину, твердоелектролітичного, джерела, матеріалу, монокристалу, cu7ge(s0,7se0,3)5i, енергії, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді сu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: йодид-пентатіофосфату, джерела, застосування, аморфної, міді, основі, твердоелектролітичного, енергії, матеріалу, сu6ps5i, плівки

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.