Студеняк Ігор Петрович

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6св

Завантаження...

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Бендак Андрій Васильович, Копчанський Петер, Пал Юрій Олександрович, Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: основі, одержання, спосіб, нематичного, кристала, композита, рідкого, 6св

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Куцик Михайло Михайлович, Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: G01T 1/00

Мітки: випромінювання, основі, застосування, рентгенівського, реєстрації, cu6pse5i, матеріалу, тонкої, плівки, міді, йодид-пентаселенофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: рентгенівського, тонкої, міді, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, застосування, основі, плівки, випромінювання, cu6ps5i, реєстрації

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування матеріалу системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Олександр Олександрович, Куцик Михайло Михайлович, Макауз Іван Іванович, Молнар Золтан Рудольфович

МПК: G03C 1/705

Мітки: тонких, системі, пучка, ag-as-s, запису, матеріалу, допомогою, інформації, електронного, застосування, плівках

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/00, C30B 13/04, C30B 9/00 ...

Мітки: методом, складу, розплаву-розчину, вирощування, кристалізації, розчинів, спрямовано, спосіб, твердих, cu1-xagx)7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович

МПК: G01T 5/10, G01T 7/02

Мітки: матеріалу, рентгенівського, основі, cu7ges5i, випромінювання, йодид-пентатіогерманату, реєстрації, плівки, тонкої, застосування, міді

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: cu7ges5i, вирощування, спрямовано, кристалізації, методом, розплаву-розчину, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46, C30B 1/06 ...

Мітки: кристалізації, спрямовано, вирощування, спосіб, методом, розплаву-розчину, ag7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Рибак Стефан Олександрович, Куш Петер, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18, C23C 14/35

Мітки: матеріалу, йодид-пентатіофосфату, одержання, джерела, тонких, високопровідних, основі, енергії, міді, cu6ps5i, спосіб, твердоелектролітичного, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/04, C30B 9/00, C30B 13/00 ...

Мітки: розчину, спосіб, спрямовано, ag7ges5i, вирощування, розплаву, кристалізації, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Матеріал на основі системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Молнар Золтан Рудольфович, Макауз Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Олександр Олександрович, Куцик Михайло Михайлович

МПК: C03C 3/00, G03C 1/705

Мітки: запису, ag-as-s, електронного, пучка, допомогою, основі, інформації, системі, тонких, матеріал, плівках

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Рибак Стефан Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Мікула Маріан, Куш Петер

МПК: C01G 3/00, H01M 6/18, H01M 4/28 ...

Мітки: cu6ps5i, основі, йодид-пентатіофосфату, плівок, тонких, матеріалу, одержання, спосіб, високопровідних, джерела, енергії, твердоелектролітичного, міді

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Тімко Мілан, Студеняк Віктор Ігорович, Ковальчук Олександр Васильович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: спосіб, провідника, електричної, кристалу, cu6ps5i, внесення, суперіонного, підвищення, нього, провідності, рідкого, наночастинок, нематичного, 6снвт, шляхом

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Машіко Владислав Володимирович, Куш Петер

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: основі, джерела, матеріалу, плівки, енергії, міді, бромід-пентатіофосфату, застосування, тонкої, cu6ps5br, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур для керування частотою плазмонного резонансу в некристалічних халькогенідах

Завантаження...

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Куцик Михайло Михайлович, Пал Юрій Олександрович, Кокенєші Шандор, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Бучук Михайло Юрійович

МПК: H05H 1/42

Мітки: матеріалів, халькогенідах, сандвіч-структур, вигляді, одержання, частотою, композитних, плазмонного, резонансу, керування, некристалічних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Мікула Маріан, Машіко Владислав Володимирович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: плівки, бромід-пентатіофосфату, матеріалу, застосування, cu6ps5br, твердоелектролітичного, джерела, енергії, основі, тонкої, міді

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника

Завантаження...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович, Пал Юрій Олександрович, Копчанський Петер, Ковальчук Олександр Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: електричної, наночастинок, шляхом, спосіб, підвищення, нього, рідкого, провідника, кристалу, нематичного, провідності, суперіонного, внесення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Ямковий Олександр Олександрович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Демко Павло Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, cu6pse5i, твердоелектролітичного, матеріалу, енергії, джерела, міді, застосування, плівки, йодид-пентаселенофосфату, аморфної

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, cu7ges5i, твердоелектролітичного, плівки, аморфної, матеріалу, енергії, міді, йодид-пентатіогерманату, джерела, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/04

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, кристалізації, розплаву, спрямовано, cu7ps6, методом, купрум(і)гексатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: спосіб, cu6ps5i, монокристалів, методом, спрямовано, кристалізації, розплаву, купрум(і)пентатіофосфату(v, вирощування, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: методом, розплаву, кристалізації, cu6ps5br, вирощування, монокристалів, купрум(і)пентатіофосфату(v, спрямовано, броміду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Томашовічова Наталія, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Завісова Власта, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: нематичного, провідності, іонної, композита, рідкого, основі, спосіб, підвищення, кристалу

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Шіпошова Катаріна, Тімко Мілан, Копчанський Петер, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Газова Зузана

МПК: G02F 1/13

Мітки: спосіб, магнітного, рідкого, ліотропного, оптимальної, визначення, створення, лізозиму, концентрації, кристалу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Бендак Андрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: аморфної, твердоелектролітичного, матеріалу, йодид-пентатіогерманату, застосування, енергії, міді, cu7ges5i, плівки, джерела, основі

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Демко Павло Юрійович

МПК: H01M 6/08

Мітки: застосування, міді, йодид-пентаселенофосфату, енергії, плівки, джерела, аморфної, основі, cu6pse5l, матеріалу, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C01G 35/00, C30B 11/00, C01G 5/00 ...

Мітки: спосіб, одержання, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, ag6tas5i

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6(pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Мінець Юрій Васильович, Кайла Маріанна Іванівна, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, cu6(pxas1-x)s5i, спосіб, допомогою, твердих, розчинів, купрум, йодиду, транспортних, монокристалів, вирощування, хімічних, пентатіофосфату-арсенату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Спосіб одержання ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (ag3ass3)0,6 (as2s3)0,4

Завантаження...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Петраченков Олександр Євгенович, Раті Йосип Йосипович

МПК: B81C 1/00

Мітки: ag3ass3)0,6, спосіб, ag-вмісних, плівки, as2s3)0,4, поверхні, одержання, віскерів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: джерела, монокристалу, твердоелектролітичного, основі, міді, йодид-пентаселеногерманату, енергії, матеріал, cu7gese5i

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/06

Мітки: спосіб, cu6ps5br, кристалізації, купрум(і, вирощування, спрямовано, розплаву, монокристалів, пентатіофосфату(v, методом, броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, cu6ps5i, вирощування, пентатіофосфату(v, розплаву, монокристалів, методом, спрямовано, купрум(і, йодиду, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, вирощування, розплаву, кристалізації, купрум(і, cu7ps6, гексатіофосфату, спосіб, спрямовано, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб одержання аргентум(і) пентатіотанталату(v) йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: пентатіотанталату(v, йодиду, аргентум(і, спосіб, одержання, ag6tas5i

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: купрум, cu6ps5(ci0,5i0,5, хлорид-йодиду, спосіб, розчинів, вирощування, пентатіофосфату, хімічних, реакцій, монокристалів, транспортних, допомогою, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu6ps5cl0,5br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: хімічних, cu6ps5cl0,5br0,5, реакцій, пентатіофосфату, купрум, розчинів, спосіб, монокристалів, твердих, вирощування, допомогою, транспортних, хлориду-броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Пономарьов Вадим Євгенович, Мінець Юрій Васильович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: міді, суперіонної, енергії, кераміки, застосування, джерела, нанокристалічного, твердоелектролітичного, матеріалу, йодид-пентатіофосфату, основі, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах

Завантаження...

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Олександр Олександрович, Рубіш Василь Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Поп Михайло Михайлович

МПК: C03C 23/00, C30B 28/00

Мітки: шару, поверхневого, одержання, стеклах, наноструктурованого, спосіб, халькогенідних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: матеріалу, розчину, монокристалу, твердоелектролітичного, джерела, твердого, cu7ge(s0,7se0,3)5i, енергії, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді сu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, плівки, матеріалу, аморфної, джерела, міді, йодид-пентатіофосфату, основі, сu6ps5i, енергії, застосування

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.