Студеняк Ігор Петрович

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Пал Юрій Олександрович, Копчанський Петер, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: рідкого, основі, кристала, 6св, композита, спосіб, одержання, нематичного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Куцик Михайло Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: G01T 1/00

Мітки: основі, застосування, міді, реєстрації, матеріалу, рентгенівського, випромінювання, йодид-пентаселенофосфату, плівки, тонкої, cu6pse5i

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Мікула Маріан, Соломон Андрій Михайлович, Бендак Андрій Васильович, Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: основі, реєстрації, рентгенівського, cu6ps5i, плівки, застосування, випромінювання, йодид-пентатіофосфату, тонкої, міді, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Макауз Іван Іванович, Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Куцик Михайло Михайлович, Молнар Золтан Рудольфович

МПК: G03C 1/705

Мітки: електронного, інформації, ag-as-s, пучка, плівках, запису, допомогою, матеріалу, тонких, системі, застосування

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00, C30B 13/04 ...

Мітки: складу, спрямовано, розплаву-розчину, методом, твердих, розчинів, cu1-xagx)7ges5i, кристалізації, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01T 5/10, G01T 7/02

Мітки: плівки, тонкої, випромінювання, міді, реєстрації, рентгенівського, основі, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, застосування, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: вирощування, спосіб, методом, спрямовано, кристалізації, розплаву-розчину, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46, C30B 1/06 ...

Мітки: кристалізації, розплаву-розчину, вирощування, спрямовано, спосіб, методом, ag7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Рибак Стефан Олександрович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, C23C 14/35

Мітки: міді, cu6ps5i, енергії, джерела, тонких, спосіб, матеріалу, йодид-пентатіофосфату, плівок, твердоелектролітичного, основі, високопровідних, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/04, C30B 13/00 ...

Мітки: спрямовано, розплаву, кристалізації, розчину, ag7ges5i, вирощування, спосіб, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Куцик Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Олександр Олександрович, Макауз Іван Іванович, Молнар Золтан Рудольфович

МПК: C03C 3/00, G03C 1/705

Мітки: матеріал, електронного, плівках, ag-as-s, системі, пучка, інформації, запису, тонких, основі, допомогою

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Рибак Стефан Олександрович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан

МПК: H01M 4/28, C01G 3/00, H01M 6/18 ...

Мітки: твердоелектролітичного, джерела, основі, міді, тонких, плівок, енергії, високопровідних, cu6ps5i, спосіб, матеріалу, одержання, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Копчанський Петер, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: внесення, cu6ps5i, кристалу, спосіб, суперіонного, нього, електричної, рідкого, нематичного, підвищення, наночастинок, 6снвт, шляхом, провідника, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Машіко Владислав Володимирович, Бендак Андрій Васильович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, основі, плівки, cu6ps5br, джерела, застосування, міді, матеріалу, твердоелектролітичного, тонкої, бромід-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Куцик Михайло Михайлович, Бучук Михайло Юрійович, Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Шандор, Пал Юрій Олександрович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H05H 1/42

Мітки: плазмонного, спосіб, сандвіч-структур, некристалічних, резонансу, композитних, одержання, вигляді, халькогенідах, матеріалів, керування, частотою

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Машіко Владислав Володимирович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: тонкої, міді, джерела, твердоелектролітичного, плівки, основі, cu6ps5br, енергії, бромід-пентатіофосфату, матеріалу, застосування

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Пал Юрій Олександрович, Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: нього, наночастинок, спосіб, провідності, кристалу, суперіонного, нематичного, внесення, підвищення, провідника, рідкого, електричної, шляхом

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: застосування, твердоелектролітичного, аморфної, джерела, енергії, основі, матеріалу, йодид-пентаселенофосфату, плівки, cu6pse5i, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Гуранич Павло Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: застосування, аморфної, йодид-пентатіогерманату, міді, твердоелектролітичного, джерела, енергії, основі, плівки, cu7ges5i, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/04

Мітки: монокристалів, методом, cu7ps6, спосіб, купрум(і)гексатіофосфату, розплаву, кристалізації, вирощування, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: монокристалів, спрямовано, методом, купрум(і)пентатіофосфату(v, йодиду, розплаву, спосіб, кристалізації, cu6ps5i, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: методом, купрум(і)пентатіофосфату(v, спосіб, розплаву, спрямовано, кристалізації, броміду, вирощування, монокристалів, cu6ps5br

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Томашовічова Наталія, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Завісова Власта, Копчанський Петер, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: кристалу, основі, підвищення, провідності, спосіб, композита, рідкого, іонної, нематичного

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Шіпошова Катаріна, Газова Зузана

МПК: G02F 1/13

Мітки: магнітного, визначення, оптимальної, рідкого, лізозиму, концентрації, кристалу, створення, спосіб, ліотропного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Біланчук Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: аморфної, основі, йодид-пентатіогерманату, міді, енергії, cu7ges5i, твердоелектролітичного, матеріалу, джерела, плівки, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Ямковий Олександр Олександрович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Віктор Ігорович, Демко Павло Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/08

Мітки: плівки, твердоелектролітичного, йодид-пентаселенофосфату, аморфної, матеріалу, основі, енергії, міді, cu6pse5l, джерела, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00, C01G 5/00, C01G 35/00 ...

Мітки: ag6tas5i, спосіб, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кайла Маріанна Іванівна

МПК: C30B 11/14

Мітки: транспортних, розчинів, пентатіофосфату-арсенату, хімічних, допомогою, йодиду, монокристалів, купрум, cu6(pxas1-x)s5i, вирощування, твердих, спосіб, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Петраченков Олександр Євгенович, Кокенєші Олександр Олександрович, Раті Йосип Йосипович, Неймет Юрій Юрійович

МПК: B81C 1/00

Мітки: as2s3)0,4, плівки, ag-вмісних, ag3ass3)0,6, одержання, поверхні, спосіб, віскерів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, твердоелектролітичного, матеріал, монокристалу, йодид-пентаселеногерманату, енергії, джерела, cu7gese5i, основі

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: кристалізації, вирощування, cu6ps5br, методом, броміду, пентатіофосфату(v, спрямовано, спосіб, купрум(і, розплаву, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, пентатіофосфату(v, спрямовано, вирощування, йодиду, монокристалів, методом, купрум(і, спосіб, розплаву, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: гексатіофосфату, монокристалів, cu7ps6, спрямовано, розплаву, вирощування, кристалізації, методом, спосіб, купрум(і

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: йодиду, одержання, ag6tas5i, спосіб, аргентум(і, пентатіотанталату(v

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, транспортних, хімічних, пентатіофосфату, реакцій, хлорид-йодиду, купрум, cu6ps5(ci0,5i0,5, монокристалів, твердих, розчинів, вирощування, допомогою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu6ps5cl0,5br0,5, реакцій, розчинів, транспортних, пентатіофосфату, хімічних, монокристалів, твердих, купрум, хлориду-броміду, допомогою, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Бучук Роман Юрійович, Мінець Юрій Васильович, Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: міді, джерела, енергії, суперіонної, твердоелектролітичного, cu6ps5i, основі, нанокристалічного, матеріалу, застосування, кераміки, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Поп Михайло Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 28/00, C03C 23/00

Мітки: стеклах, поверхневого, халькогенідних, шару, спосіб, наноструктурованого, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, застосування, розчину, джерела, cu7ge(s0,7se0,3)5i, твердого, енергії, матеріалу, монокристалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович, Мінець Юрій Васильович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: твердоелектролітичного, застосування, енергії, плівки, матеріалу, сu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, основі, аморфної, міді, джерела

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.