Студеняк Ігор Петрович

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6св

Завантаження...

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович, Пал Юрій Олександрович, Копчанський Петер, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: композита, рідкого, нематичного, одержання, спосіб, кристала, 6св, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Куцик Михайло Михайлович

МПК: G01T 1/00

Мітки: плівки, матеріалу, випромінювання, основі, міді, тонкої, cu6pse5i, реєстрації, застосування, йодид-пентаселенофосфату, рентгенівського

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Мікула Маріан, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: застосування, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, плівки, cu6ps5i, рентгенівського, випромінювання, тонкої, міді, основі, реєстрації

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування матеріалу системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Молнар Золтан Рудольфович, Куцик Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Макауз Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G03C 1/705

Мітки: плівках, системі, інформації, електронного, матеріалу, пучка, застосування, допомогою, запису, тонких, ag-as-s

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/04, C30B 9/00, C30B 13/00 ...

Мітки: розчинів, розплаву-розчину, cu1-xagx)7ges5i, вирощування, спосіб, спрямовано, кристалізації, методом, складу, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: G01T 5/10, G01T 7/02

Мітки: реєстрації, міді, основі, плівки, застосування, рентгенівського, йодид-пентатіогерманату, випромінювання, матеріалу, тонкої, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: методом, спосіб, спрямовано, cu7ges5i, розплаву-розчину, вирощування, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46, C30B 1/06 ...

Мітки: вирощування, методом, розплаву-розчину, ag7ges5i, спрямовано, кристалізації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Рибак Стефан Олександрович, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: одержання, йодид-пентатіофосфату, основі, спосіб, високопровідних, cu6ps5i, джерела, тонких, міді, твердоелектролітичного, енергії, матеріалу, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: ag7ges5i, методом, вирощування, розчину, спрямовано, спосіб, розплаву, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Матеріал на основі системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Макауз Іван Іванович, Кокенєші Олександр Олександрович, Куцик Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Молнар Золтан Рудольфович

МПК: C03C 3/00, G03C 1/705

Мітки: інформації, плівках, тонких, запису, електронного, допомогою, основі, ag-as-s, пучка, матеріал, системі

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Рибак Стефан Олександрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18, C01G 3/00, H01M 4/28 ...

Мітки: високопровідних, міді, джерела, основі, йодид-пентатіофосфату, плівок, матеріалу, cu6ps5i, тонких, твердоелектролітичного, спосіб, енергії, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Віктор Ігорович, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13, G01R 3/00

Мітки: внесення, суперіонного, шляхом, нього, рідкого, 6снвт, підвищення, електричної, провідника, кристалу, наночастинок, нематичного, спосіб, провідності, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Машіко Владислав Володимирович, Мікула Маріан, Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: застосування, cu6ps5br, основі, бромід-пентатіофосфату, тонкої, енергії, твердоелектролітичного, міді, джерела, матеріалу, плівки

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур для керування частотою плазмонного резонансу в некристалічних халькогенідах

Завантаження...

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Куцик Михайло Михайлович, Пал Юрій Олександрович, Бучук Михайло Юрійович, Кокенєші Шандор, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H05H 1/42

Мітки: керування, сандвіч-структур, спосіб, резонансу, вигляді, композитних, одержання, матеріалів, некристалічних, плазмонного, халькогенідах, частотою

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Бендак Андрій Васильович, Мікула Маріан, Машіко Владислав Володимирович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: застосування, тонкої, енергії, джерела, матеріалу, міді, cu6ps5br, бромід-пентатіофосфату, плівки, твердоелектролітичного, основі

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника

Завантаження...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Тімко Мілан, Пал Юрій Олександрович, Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: електричної, нематичного, кристалу, рідкого, провідності, шляхом, нього, суперіонного, наночастинок, внесення, підвищення, провідника, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, застосування, аморфної, плівки, енергії, міді, джерела, основі, cu6pse5i, матеріалу, йодид-пентаселенофосфату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: застосування, cu7ges5i, йодид-пентатіогерманату, плівки, матеріалу, енергії, аморфної, основі, міді, твердоелектролітичного, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Севрюков Дмитро Володимирович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/04

Мітки: розплаву, монокристалів, cu7ps6, методом, вирощування, спрямовано, спосіб, кристалізації, купрум(і)гексатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: монокристалів, розплаву, йодиду, методом, спрямовано, вирощування, купрум(і)пентатіофосфату(v, cu6ps5i, спосіб, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: розплаву, спосіб, методом, спрямовано, купрум(і)пентатіофосфату(v, броміду, кристалізації, вирощування, cu6ps5br, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Тімко Мілан, Томашовічова Наталія, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Завісова Власта, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: рідкого, підвищення, основі, кристалу, спосіб, іонної, композита, нематичного, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Газова Зузана, Тімко Мілан, Копчанський Петер, Шіпошова Катаріна

МПК: G02F 1/13

Мітки: оптимальної, ліотропного, концентрації, рідкого, спосіб, магнітного, лізозиму, визначення, створення, кристалу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: аморфної, джерела, міді, плівки, йодид-пентатіогерманату, твердоелектролітичного, основі, енергії, матеріалу, cu7ges5i, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Демко Павло Юрійович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/08

Мітки: джерела, міді, йодид-пентаселенофосфату, матеріалу, твердоелектролітичного, cu6pse5l, аморфної, плівки, застосування, основі, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00, C30B 11/00 ...

Мітки: аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, ag6tas5i, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6(pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кайла Маріанна Іванівна, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: йодиду, допомогою, реакцій, хімічних, купрум, вирощування, cu6(pxas1-x)s5i, спосіб, транспортних, пентатіофосфату-арсенату, твердих, розчинів, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Спосіб одержання ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (ag3ass3)0,6 (as2s3)0,4

Завантаження...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Раті Йосип Йосипович, Петраченков Олександр Євгенович, Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович

МПК: B81C 1/00

Мітки: одержання, as2s3)0,4, віскерів, ag3ass3)0,6, поверхні, ag-вмісних, плівки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, джерела, йодид-пентаселеногерманату, основі, монокристалу, енергії, cu7gese5i, матеріал, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: кристалізації, монокристалів, купрум(і, спосіб, методом, cu6ps5br, пентатіофосфату(v, вирощування, розплаву, спрямовано, броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, розплаву, пентатіофосфату(v, кристалізації, йодиду, купрум(і, методом, cu6ps5i, монокристалів, вирощування, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, вирощування, розплаву, спрямовано, гексатіофосфату, методом, купрум(і, кристалізації, cu7ps6

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб одержання аргентум(і) пентатіотанталату(v) йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: пентатіотанталату(v, йодиду, одержання, аргентум(і, ag6tas5i, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: хлорид-йодиду, спосіб, хімічних, реакцій, твердих, купрум, транспортних, монокристалів, пентатіофосфату, розчинів, вирощування, cu6ps5(ci0,5i0,5, допомогою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu6ps5cl0,5br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: вирощування, хімічних, cu6ps5cl0,5br0,5, пентатіофосфату, спосіб, монокристалів, реакцій, хлориду-броміду, допомогою, купрум, розчинів, твердих, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Сусліков Леонід Михайлович, Мінець Юрій Васильович, Неймет Юрій Юрійович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: основі, кераміки, cu6ps5i, нанокристалічного, твердоелектролітичного, матеріалу, міді, джерела, суперіонної, енергії, застосування, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах

Завантаження...

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Поп Михайло Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C03C 23/00, C30B 28/00

Мітки: поверхневого, спосіб, одержання, стеклах, халькогенідних, шару, наноструктурованого

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: монокристалу, енергії, cu7ge(s0,7se0,3)5i, твердоелектролітичного, твердого, джерела, застосування, розчину, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді сu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Гуранич Павло Павлович, Чомоляк Артем Анатолійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: застосування, енергії, твердоелектролітичного, матеріалу, джерела, сu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, плівки, аморфної, міді, основі

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.