Студеняк Ігор Петрович

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6св

Завантаження...

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Пал Юрій Олександрович, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: кристала, рідкого, нематичного, основі, спосіб, композита, одержання, 6св

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Бендак Андрій Васильович, Куш Петер, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Куцик Михайло Михайлович

МПК: G01T 1/00

Мітки: тонкої, міді, реєстрації, йодид-пентаселенофосфату, рентгенівського, cu6pse5i, основі, матеріалу, випромінювання, застосування, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Куш Петер, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: тонкої, випромінювання, йодид-пентатіофосфату, основі, матеріалу, cu6ps5i, реєстрації, плівки, застосування, міді, рентгенівського

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування матеріалу системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Куцик Михайло Михайлович, Кокенєші Олександр Олександрович, Молнар Золтан Рудольфович, Неймет Юрій Юрійович, Макауз Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G03C 1/705

Мітки: застосування, електронного, запису, плівках, матеріалу, системі, інформації, ag-as-s, тонких, пучка, допомогою

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: розчинів, cu1-xagx)7ges5i, розплаву-розчину, твердих, складу, спрямовано, спосіб, кристалізації, методом, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: G01T 5/10, G01T 7/02

Мітки: реєстрації, застосування, рентгенівського, cu7ges5i, міді, йодид-пентатіогерманату, основі, тонкої, випромінювання, матеріалу, плівки

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: кристалізації, вирощування, спосіб, методом, спрямовано, розплаву-розчину, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/02, C30B 1/06, C30B 29/46 ...

Мітки: ag7ges5i, спрямовано, вирощування, розплаву-розчину, кристалізації, методом, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Куш Петер, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Рибак Стефан Олександрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C23C 14/35, H01M 6/18

Мітки: джерела, тонких, плівок, спосіб, одержання, йодид-пентатіофосфату, високопровідних, енергії, основі, міді, матеріалу, cu6ps5i, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 13/00, C30B 13/04, C30B 9/00 ...

Мітки: розчину, ag7ges5i, кристалізації, спосіб, розплаву, вирощування, спрямовано, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Матеріал на основі системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Олександр Олександрович, Куцик Михайло Михайлович, Макауз Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Молнар Золтан Рудольфович

МПК: G03C 1/705, C03C 3/00

Мітки: системі, електронного, допомогою, матеріал, ag-as-s, пучка, інформації, запису, основі, тонких, плівках

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Рибак Стефан Олександрович, Куш Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Мікула Маріан

МПК: H01M 6/18, H01M 4/28, C01G 3/00 ...

Мітки: джерела, основі, твердоелектролітичного, одержання, матеріалу, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, плівок, енергії, спосіб, високопровідних, міді, тонких

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: спосіб, електричної, підвищення, рідкого, кристалу, внесення, 6снвт, провідника, cu6ps5i, нематичного, наночастинок, нього, провідності, шляхом, суперіонного

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Куш Петер, Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Машіко Владислав Володимирович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: міді, матеріалу, бромід-пентатіофосфату, основі, енергії, плівки, застосування, cu6ps5br, твердоелектролітичного, джерела, тонкої

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур для керування частотою плазмонного резонансу в некристалічних халькогенідах

Завантаження...

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Куцик Михайло Михайлович, Бучук Михайло Юрійович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Пал Юрій Олександрович, Кокенєші Шандор

МПК: H05H 1/42

Мітки: частотою, резонансу, матеріалів, композитних, спосіб, сандвіч-структур, вигляді, одержання, некристалічних, плазмонного, халькогенідах, керування

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Застосування тонкої плівки на основі бромід-пентатіофосфату міді cu6ps5br як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Машіко Владислав Володимирович, Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мікула Маріан, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, тонкої, основі, міді, джерела, cu6ps5br, плівки, застосування, матеріалу, енергії, бромід-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника

Завантаження...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Копчанський Петер, Пал Юрій Олександрович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: нього, шляхом, спосіб, суперіонного, наночастинок, рідкого, нематичного, внесення, провідника, провідності, кристалу, електричної, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, основі, джерела, матеріалу, застосування, аморфної, енергії, cu6pse5i, плівки, йодид-пентаселенофосфату, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Гуранич Павло Павлович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: застосування, джерела, основі, твердоелектролітичного, cu7ges5i, аморфної, матеріалу, плівки, енергії, йодид-пентатіогерманату, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/04

Мітки: купрум(і)гексатіофосфату, cu7ps6, методом, спрямовано, спосіб, монокристалів, розплаву, вирощування, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: методом, монокристалів, вирощування, кристалізації, cu6ps5i, купрум(і)пентатіофосфату(v, йодиду, спосіб, спрямовано, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: спрямовано, розплаву, монокристалів, купрум(і)пентатіофосфату(v, cu6ps5br, кристалізації, вирощування, методом, броміду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Тімко Мілан, Томашовічова Наталія, Завісова Власта, Копчанський Петер, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: спосіб, композита, основі, підвищення, провідності, кристалу, нематичного, рідкого, іонної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Шіпошова Катаріна, Газова Зузана, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: оптимальної, кристалу, визначення, спосіб, концентрації, магнітного, рідкого, створення, лізозиму, ліотропного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01F 1/00, H01M 6/00

Мітки: аморфної, плівки, міді, основі, застосування, йодид-пентатіогерманату, матеріалу, твердоелектролітичного, джерела, cu7ges5i, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5l як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Демко Павло Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Віктор Ігорович, Ямковий Олександр Олександрович

МПК: H01M 6/08

Мітки: енергії, матеріалу, застосування, йодид-пентаселенофосфату, міді, cu6pse5l, аморфної, основі, джерела, плівки, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C01G 35/00, C01G 5/00 ...

Мітки: ag6tas5i, спосіб, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6(pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Кайла Маріанна Іванівна, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: допомогою, розчинів, купрум, хімічних, монокристалів, вирощування, спосіб, cu6(pxas1-x)s5i, транспортних, пентатіофосфату-арсенату, йодиду, твердих, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Спосіб одержання ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (ag3ass3)0,6 (as2s3)0,4

Завантаження...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Петраченков Олександр Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Раті Йосип Йосипович

МПК: B81C 1/00

Мітки: ag-вмісних, одержання, поверхні, as2s3)0,4, ag3ass3)0,6, плівки, віскерів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, твердоелектролітичного, монокристалу, джерела, cu7gese5i, матеріал, енергії, йодид-пентаселеногерманату, міді

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: кристалізації, купрум(і, розплаву, монокристалів, броміду, спрямовано, методом, cu6ps5br, вирощування, пентатіофосфату(v, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, розплаву, монокристалів, пентатіофосфату(v, cu6ps5i, методом, спосіб, кристалізації, спрямовано, йодиду, купрум(і

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, методом, розплаву, спрямовано, вирощування, купрум(і, монокристалів, cu7ps6, спосіб, гексатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб одержання аргентум(і) пентатіотанталату(v) йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: спосіб, одержання, пентатіотанталату(v, аргентум(і, ag6tas5i, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, хімічних, твердих, розчинів, вирощування, купрум, транспортних, cu6ps5(ci0,5i0,5, хлорид-йодиду, реакцій, допомогою, пентатіофосфату, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu6ps5cl0,5br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, спосіб, хлориду-броміду, допомогою, розчинів, хімічних, вирощування, транспортних, cu6ps5cl0,5br0,5, купрум, пентатіофосфату, монокристалів, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Роман Юрійович, Сусліков Леонід Михайлович, Неймет Юрій Юрійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: джерела, твердоелектролітичного, застосування, міді, кераміки, енергії, основі, суперіонної, матеріалу, нанокристалічного, йодид-пентатіофосфату, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах

Завантаження...

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Поп Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Рубіш Василь Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 28/00, C03C 23/00

Мітки: одержання, стеклах, наноструктурованого, поверхневого, халькогенідних, спосіб, шару

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, застосування, джерела, матеріалу, монокристалу, твердого, твердоелектролітичного, cu7ge(s0,7se0,3)5i, розчину

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді сu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Чомоляк Артем Анатолійович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: йодид-пентатіофосфату, міді, енергії, аморфної, сu6ps5i, основі, твердоелектролітичного, плівки, джерела, матеріалу, застосування

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.