Стребежев Віктор Миколайович

Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі in4se3

Завантаження...

Номер патенту: 50924

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Мельничук Тетяна Аркадіївна, Стребежев Віктор Миколайович, Воробець Георгій Іванович

МПК: C30B 31/00, C30B 29/10, C30B 13/00 ...

Мітки: спосіб, фоточутливої, гетероструктурі, виготовлення, основі, in4se3

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливої гетероструктури на основі In4Se3, який включає рідиннофазну епітаксію шару In4Se3 на монокристалічну напівпровідникову підкладку з розчину-розплаву In4Se3-InBi та лазерне опромінення, який відрізняється тим, що рідиннофазну епітаксію In4Se3 проводять на підкладку з монокристалічного германію в інтервалі температур Т=793-778 К зі швидкістю...