Сосовська Світлана Миколаївна

Номер патенту: 54444

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Сосовська Світлана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Романюк Ярослав Євгенійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: cdga2se4, методом, отримання, спосіб, розчин-розплавним, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cd, Ga, Se, Sn, Bi, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Bi2Se3, що нижче фазового перетворення і складає...

Номер патенту: 43929

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Сосовська Світлана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: розчину-розплаву, cdga2se4, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sb, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Sb2Se3, що нижче фазового перетворення і складає близько...