Соломон Андрій Михайлович

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Соломон Андрій Михайлович, Бендак Андрій Васильович, Куцик Михайло Михайлович

МПК: G01T 1/00

Мітки: плівки, міді, йодид-пентаселенофосфату, матеріалу, рентгенівського, основі, випромінювання, реєстрації, cu6pse5i, застосування, тонкої

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Мікула Маріан, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: міді, матеріалу, йодид-пентатіофосфату, тонкої, плівки, застосування, рентгенівського, основі, реєстрації, випромінювання, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: спосіб, розчинів, твердих, складу, спрямовано, вирощування, методом, розплаву-розчину, cu1-xagx)7ges5i, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: G01T 7/02, G01T 5/10

Мітки: йодид-пентатіогерманату, основі, реєстрації, міді, випромінювання, застосування, плівки, рентгенівського, матеріалу, cu7ges5i, тонкої

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: вирощування, кристалізації, методом, спрямовано, cu7ges5i, спосіб, розплаву-розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/46, C30B 1/06, C30B 11/02 ...

Мітки: спосіб, розплаву-розчину, спрямовано, методом, ag7ges5i, вирощування, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00, C30B 13/04 ...

Мітки: методом, спосіб, розчину, вирощування, розплаву, ag7ges5i, спрямовано, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (і) бісмут (ііі) диселеніду tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01G 15/00, C01G 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: бісмут, енергозберігаючого, tlbise2, перспективного, термоелектрика, синтезу, ііі, диселеніду, твердофазного, спосіб, талій

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: розплаву, купрум(і)пентатіофосфату(v, методом, вирощування, спрямовано, кристалізації, спосіб, cu6ps5i, йодиду, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: вирощування, розплаву, купрум(і)пентатіофосфату(v, cu6ps5br, монокристалів, методом, спрямовано, кристалізації, броміду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C01G 35/00, C30B 11/00, C01G 5/00 ...

Мітки: аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, спосіб, одержання, ag6tas5i

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Сегнетоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 106518

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Гомоннай Олександр Васильович, Гомоннай Олександр Олександрович, Соломон Андрій Михайлович, Штець Петро Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Росул Роман Романович, Риган Михайло Юрійович

МПК: H01L 41/18

Мітки: сегнетоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70, сульфід миш'яку решта.

Пристрій для кріплення монокристалів при визначенні їх кристалографічних площин

Завантаження...

Номер патенту: 90566

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Пекар Володимир Ярославович, Соломон Андрій Михайлович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 35/00, G01N 23/20

Мітки: кріплення, монокристалів, кристалографічних, пристрій, площин, визначенні

Формула / Реферат:

Пристрій для кріплення монокристалів при визначенні кристалографічних площин, що містить платформу, виконану з можливістю обертання відносно її вертикальної осі, та оправку для кріплення кристала, який відрізняється тим, що платформа, фіксована на поворотному столі дифрактометра, містить регульовану в горизонтальній площині опорну поперечну пластину, а оправка складається з двох квадратних пластин, з'єднаних між собою за допомогою чотирьох...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: купрум(і, пентатіофосфату(v, методом, cu6ps5br, броміду, монокристалів, розплаву, спрямовано, кристалізації, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: купрум(і, кристалізації, йодиду, спосіб, монокристалів, cu6ps5i, пентатіофосфату(v, методом, вирощування, спрямовано, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб одержання аргентум(і) пентатіотанталату(v) йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: ag6tas5i, аргентум(і, спосіб, йодиду, одержання, пентатіотанталату(v

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану

Завантаження...

Номер патенту: 74445

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Сідей Василь Іванович, Севрюков Дмитро Володимирович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 23/00, C01B 17/20, C01G 1/12 ...

Мітки: синтезу, поліморфної, спосіб, модифікації, нової, моносульфіду, титану

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану, який включає нагрівання вакуумованих до тиску 0,13 Па кварцових ампул, що містять дрібнодисперсні елементарні компоненти сірки та титану у стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють у безперервному режимі, при цьому максимальна температура синтезу становить 1173±25 К, а охолодження здійснюють у режимі...

Спосіб контролю якості кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 62553

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Проц Лариса Анатоліївна, Пуга Павло Павлович, Лавріненко Валерій Іванович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: G01N 23/20

Мітки: якості, спосіб, кристалу, контролю

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю якості кристалу, який включає опромінення поверхні досліджуваного та еталонного кристалів монохроматичним рентгенівським променем та зняття кривих качання шляхом вимірювання інтенсивності відбитого рентгенівського променя при різних кутах повороту пучка відносно кристала та порівняння кривих качання, який відрізняється тим, що еталонний та досліджуваний кристали зішліфовують з утворенням площин з ідентичною...

Спосіб контролю відхилення від стехіометричного складу li2b4o7

Завантаження...

Номер патенту: 36340

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Гунда Борис Михайлович, Соломон Андрій Михайлович, Пуга Павло Павлович, Головей Вадим Михайлович, Турок Іван Іванович

МПК: G01N 23/02, G01N 21/78, C01B 35/00 ...

Мітки: li2b4o7, відхілення, спосіб, стехіометричного, контролю, складу

Текст:

...Відносна похибка визначення величини відхилення не перевищує 15-20%. Даний спосіб дозволяє значно зменшити витрати часу на визначення напрямку та величини відхилення від стехіометричного складу ТБЛ. Наводимо приклади реалізації. Приклад 1 (прототип). З проби ТБЛ виготовляють зразок розмірами 10х10х1 мм, шліфують і полірують його до одержання плоскопаралельної пластини з нерівностями поверхні 0,1-0,5 мкм, далі методом термічного...

Спосіб визначення напрямку відхилення від стехіометричного складу тетраборату літію

Завантаження...

Номер патенту: 34984

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Пуга Павло Павлович, Головей Вадим Михайлович, Гунда Борис Михайлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C01B 35/00, G01N 21/78

Мітки: визначення, напрямку, спосіб, літію, стехіометричного, відхілення, тетраборату, складу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення напрямку відхилення від стехіометричного складу тетраборату літію, що включає в себе відбір проби і підготовку зразка, який відрізняється тим, що відібрану пробу сплавляють з оксидом міді у співвідношенніпісля чого розплав кристалізують, а напрямок відхилення від стехіометрії визначають візуально по кольору отриманого полікристалу з врахуванням того, що відхилення в бік В2О3 більше 0,1 мол. %, приводить до...