Сльотов Олексій Михайлович

Спосіб визначення висоти потенціального бар’єра контакту метал-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 122626

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: бар'єра, потенціального, контакту, висоті, метал-напівпровідник, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення висоти потенціального бар'єра  контакту метал-напівпровідник (КМН), що включає вимірювання при сталій температурі безструктурного спектра при енергіях фотонів , менших за ширину забороненої зони  напівпровідника, його...

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 120756

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: забороненої, ширини, зони, напівпровідникових, визначення, матеріалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони , що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання  не менше як трьох зразків різної товщини  конкретного напівпровідника, знаходження для кожного з них ширини...

Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках cd1-xmnxte (0,04<=x<=0,45)

Завантаження...

Номер патенту: 119883

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/477

Мітки: 0,04<=x<=0,45, наноструктури, підкладинках, поверхневої, створення, спосіб, cd1-xmnxte

Формула / Реферат:

Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках Cd1-xMnxTe (0,04≤x≤0,45), що включає механічне і хімічне полірування підкладинок та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 650±20 °C протягом часу, який визначають за емпіричним виразом tв=35+1,3·x, хв.

Спосіб отримання фотодетекторів на znmgse

Завантаження...

Номер патенту: 119736

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Сльотов Михайло Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: фотодетекторів, znmgse, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотодетекторів включає відпал кристалів ZnMgSe не гірше 10-4 Торр., який відрізняється тим, що кристали твердого розчину ZnMgSe відпалюють у парі магнію при температурі 800-950 °C.

Спосіб виготовлення гетерошарів cdte гексагональної модифікації

Завантаження...

Номер патенту: 108145

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: модифікації, гексагональної, гетерошарів, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів CdTe гексагональної модифікації, що включає підготовку базової підкладинки та її відпал у парі ізовалентної домішки, який відрізняється тим, що підкладинкою слугує пластинка a-CdSe, відпал якої проводиться у парі Те при температурі 600-900 °C.

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору

Завантаження...

Номер патенту: 104988

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Гавалешко Олександр Степанович, Сльотов Михайло Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: C30B 28/00

Мітки: шарів, отримання, спосіб, цинку, люмінесценцією, кольору, селеніду, різного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору, що включає відпал кристалів селеніду кадмію у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі цинку у вакуумі не гірше 10-4 Торр при температурі 880-1040 °C, причому збільшенням температури відпалу змінюють колір люмінесценції з фіолетового до зеленого.