Склярчук Валерій Михайлович

Спосіб визначення висоти потенціального бар’єра контакту метал-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 122626

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: визначення, потенціального, метал-напівпровідник, спосіб, контакту, бар'єра, висоті

Формула / Реферат:

Спосіб визначення висоти потенціального бар'єра  контакту метал-напівпровідник (КМН), що включає вимірювання при сталій температурі безструктурного спектра при енергіях фотонів , менших за ширину забороненої зони  напівпровідника, його...

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-gap

Завантаження...

Номер патенту: 113671

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Герман Іванна Іванівна, Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, контакту, основі, метал-gap, виготовлення, фотодіодa

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-GaP, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічного та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що підкладинки n-GaP травлять у розплаві KOH:NaNO3=1:50 при температурі 500±50 °C протягом 20±10 хв., далі на них термічним напиленням у вакуумі наносять напівпрозору плівку Ni, що є випрямляючим контактом.

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 108977

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: детектора, іонізуючого, спосіб, випромінювання, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання з випрямляючим контактом, який створює в напівізолюючих напівпровідниках CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe збіднену область, яка при відсутності зворотної напруги рівна "W(0)", товщину якої можна розрахувати по відомих методиках, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виготовляють товщиною "d", яка рівна або менша

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: поруватих, галію, шарів, арсеніду, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: зони, матеріалів, забороненої, ширини, спосіб, напівпровідникових, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95790

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Ульяницький Констянтин Сергійович

МПК: C30B 31/06

Мітки: отримання, спосіб, кристалів, напівізолюючих, cd1-xmnxte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)

Завантаження...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: cd1-xznxte, іонізуючого, напівізолюючих, cd1-xmnxte, спосіб, випромінювання, виготовлення, матеріалах, детектора

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі cdte та його твердих розчинів

Завантаження...

Номер патенту: 87411

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/12, C30B 11/04 ...

Мітки: твердих, заряду, матеріалах, спосіб, основі, визначення, напівізолюючих, переносу, параметрів, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення параметрів переносу заряду в напівізолюючих матеріалах на основі CdTe та його твердих розчинів, що включає створення двох омічних контактів до напівпровідника відомої товщини (d) та визначення добутку рухливості вільних носіїв заряду (m) на час їх життя (t) - mt, який відрізняється тим, що вимірюють вольт-амперну характеристику зразка (ВАХ), причому діапазон напруг вибирають таким, щоб спостерігались дві ділянки ВАХ -...