Сизов Федір Федорович

Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Савкіна Рада Костянтинівна, Смірнов Олексій Борисович, Удовицька Руслана Сергіївна, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 21/20, B82B 3/00, C23C 14/48 ...

Мітки: гетероепітаксійної, плівки, спосіб, отримання, поверхні, p-cdhgte, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Дводіапазонний напівпровідниковий приймач випромінювання для іч та тгц/суб-тгц діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 108104

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Забудський Вячеслав Володимирович, Цибрій Зіновія Федорівна, Сизов Федір Федорович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Смолій Марія Іванівна, Петряков Володимир Олексійович, Бунчук Світлана Григорівна, Голенков Олександр Генадійович

МПК: G01J 5/20, G01J 1/42, H01L 27/142 ...

Мітки: діапазонів, випромінювання, спектра, дводіапазонний, приймач, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...

Приймальний пристрій для реєстрації випромінювання терагерцового та субтерагерцового діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 100696

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Голенков Олександр Геннадійович, Шевчик-Шекера Анна Володимирівна, Духнін Сергій Євгенійович, Сизов Федір Федорович, Забудський Вячеслав Володимирович

МПК: H01L 27/142, G01J 1/42, H01L 31/00 ...

Мітки: пристрій, терагерцового, спектра, реєстрації, субтерагерцового, діапазонів, приймальний, випромінювання

Формула / Реферат:

Приймальний пристрій для реєстрації випромінювання терагерцового та субтерагерцового діапазонів спектра, що містить напівпровідниковий CdxHg1-xTe (0,17£х£0,3) болометр, який відрізняється тим, що додатково має дві асферичні лінзи з тефлону, які фокусують випромінювання на болометр, та підключений до виходу болометра зовнішній підсилювач.

Спосіб просвітлення фотоприймача іч-випромінювання на основі cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 94605

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Клюй Микола Іванович, Смірнов Олексій Борисович, Ганус Валерій Олександрович, Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович

МПК: G02B 5/22, H01L 31/0296

Мітки: фотоприймача, спосіб, іч-випромінювання, cdhgte, просвітлення, основі

Формула / Реферат:

Спосіб просвітлення фотоприймача ІЧ-випромінювання на основі CdHgTe (KPT), який включає попередню обробку поверхні пластини монокристалу КРТ в плазмі аргону протягом 5-5,5 хв. з тиском у робочій камері 25 Па та наступне осадження першого шару алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) a-C:H:N як просвітлюючого покриття з суміші плазми газів аргону, метану, водню та азоту в співвідношенні Ar:CH4:H2:N2=1:3:5:9 при потужності високочастотного...

Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів

Завантаження...

Номер патенту: 106366

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Петряков Володимир Олексійович, Сизов Федір Федорович, Красільніков Дмитро Сергійович, Апатська Марія Володимирівна, Смолій Марія Іванівна

МПК: G01J 5/20, H01L 27/142, G01J 1/42 ...

Мітки: приймач, субміліметрового, діапазонів, міліметрового

Формула / Реферат:

Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент, виконаний у вигляді епітаксійної тонкої плівки матеріалу CdxHg1-xTe зі складом 0,17≤х≤0,3, нанесеної на монокристалічну напівпровідникову підкладку зі струмовими контактами, і схему зміщення, який відрізняється тим, що приймач додатково містить підкладку з відносною діелектричною проникністю ε≤5, діелектричними втратами...

Монолітний інтегральний приймач випромінювання міліметрового та субміліметрового діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 105678

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Голенков Олександр Геннадійович, Сизов Федір Федорович, Рева Володимир Павлович, Бут Дмитро Борисович

МПК: H01Q 1/00, H01L 31/04, H01Q 23/00 ...

Мітки: приймач, інтегральній, діапазонів, субміліметрового, монолітний, спектра, випромінювання, міліметрового

Формула / Реферат:

1. Монолітний інтегральний приймач випромінювання міліметрового та субміліметрового діапазонів електромагнітного спектра, який містить метал-діелектрик-напівпровідниковий (МДН) транзистор-приймач випромінювання, підсилювач, антену міліметрового або субміліметрового діапазонів спектра, яка з'єднана з затвором МДН транзистора-приймача, перше джерело постійної напруги, з'єднане з затвором транзистора-приймача випромінювання, який відрізняється...

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdхнg1-хte

Завантаження...

Номер патенту: 87886

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна, Удовицька Руслана Сергіївна, Сизов Федір Федорович

МПК: B28B 1/00, B28B 23/00

Мітки: отримання, поверхні, p-cdхнg1-хte, спосіб, гетероепітаксійної, плівки, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення поверхні плівки, який відрізняється тим, що поверхню опромінюють іонами срібла з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації 3-7*1013 см-2 відповідно.

Напівпровідниковий приймач тгц/суб-тгц випромінювання з вбудованим p-n переходом

Завантаження...

Номер патенту: 98524

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Смолій Марія Іванівна, Апатська Марія Володимирівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Сизов Федір Федорович, Цибрій Зіновія Федорівна, Добровольський Валентин Миколайович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Дмитрук Надія Вікторівна, Бунчук Світлана Григорівна

МПК: G01J 1/42, G01J 5/20, H01L 27/142 ...

Мітки: випромінювання, переходом, приймач, вбудованим, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.

Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів

Завантаження...

Номер патенту: 89075

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович, Каменєв Юрій Юхимович

МПК: G01J 1/42, G01J 5/20, H01L 27/142 ...

Мітки: діапазонів, болометр, субміліметрового, міліметрового, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент зі струмовими контактами та схему зміщення, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використовують тонкий шар напівпровідника Hg(1-x)CdxTe, де х знаходиться в межах 0,17  х  0,3, а лінійні розміри...

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду

Завантаження...

Номер патенту: 86625

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович

МПК: H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...

Мітки: гарячих, носіях, болометр, напівпровідниковий, заряду

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду, який містить чутливе до випромінювання тіло болометра, виконане у вигляді пластини з двома омічними контактами на торцях, який відрізняється тим, що чутливе тіло виконане із біполярного напівпровідника, концентрація дірок і електронів якого відрізняється не більше ніж у 10 разів, ефективна маса дірок перевищує ефективну масу електронів не менше ніж у 10 разів і відстань між контактами b,...

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 40000

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Сизов Федір Федорович, Савкіна Рада Костянтинівна

МПК: H01L 31/00, G01J 5/00

Мітки: неохолоджуваний, випромінювання, інфрачервоного, фотоприймальний, фотовольтаїчний, пристрій

Формула / Реферат:

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання, що складається з напівпровідникової підкладинки, епітаксійної плівки з CdxHg1-хTe та електричних контактів до неї, який відрізняється тим, що підкладинка виконана з монокристалічного кремнію.

Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів

Завантаження...

Номер патенту: 80345

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Карачевцева Людмила Анатоліївна, Конін Костянтин Петрович, Голтвянський Юрій Васильович, Литвиненко Олег Олександрович, Сизов Федір Федорович, Паршин Костянтин Анатолійович, Стронська Олена Йосипівна

МПК: G01J 5/20, H01L 31/02

Мітки: болометрів, елемент, теплоприймальний, неохолоджуваний

Формула / Реферат:

Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів, що містить теплочутливий шар кремнію, діелектричну підкладку та порожнину між ними, який відрізняється тим, що теплочутливий шар виготовлений з монокристалічного кремнію, у якому сформовані повітряні порожнини у вигляді паралельно розташованих отворів у формі циліндрів, розміщених періодично або довільно  у теплочутливому шарі , відстань між якими складає від 1,5 до 2,5 мікрон.

Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних фотодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 22878

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сизов Федір Федорович, Деркач Юрій Петрович, Рева Володимир Павлович

МПК: C03C 27/00

Мітки: інфрачервоних, схема, багатоелементних, фотодіодів, інформації, зчитування

Формула / Реферат:

Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних (ІЧ) фотодіодів, яка включає пристрій сполучення із ІЧ-фотодіодами, схеми попередньої обробки інформації, регістри затримки та накопичення, стовпчикові підсилювачі, перетворювачі заряд-напруга, мультиплексори, вихідні підсилювачі, яка відрізняється тим, що у кожну вхідну комірку схеми зчитування інформації введено додатковий елемент - тригер-клямка, додаткова шина і два додаткових...

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 19435

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Сизов Федір Федорович, Лисюк Ігор Олександрович, Гузенко Генадій Олексійович, Андрєєва Катерина Вікторівна

МПК: G01R 1/00

Мітки: зондова, характеристик, установка, електрофізичних, напівпровідникових, структур, вимірювання

Формула / Реферат:

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що складається з станини, П-подібного кронштейна з закріпленим на ньому мікроскопом, координатного столика, розташованого під мікроскопом, двох приводів горизонтального переміщення і приводу вертикального переміщення координатного столика і зондів, що забезпечують електричні контакти з елементами, що тестуються, яка відрізняється тим, що установка...

Спосіб монтажу фотоприймального модуля тепловізора у кріостат

Завантаження...

Номер патенту: 12593

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, Сизов Федір Федорович, Голенков Олександр Геннадійович, Забудський Вячеслав Володимирович, Кравченко Світлана Леонідівна, Грінченко Микола Тимофієвич, Рева Володимир Павлович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/18

Мітки: монтажу, модуля, фотоприймального, спосіб, тепловізора, кріостат

Формула / Реферат:

Спосіб монтажу фотоприймального модулю тепловізора у кріостат, при якому фотоприймальний модуль через сапфірову підкладку з’єднують з посадочним місцем зони кріостатування, який відрізняється тим, що спочатку фотоприймальний модуль монтують в металокерамічний корпус з контактами, який, в свою чергу, приклеюють до сапфірової підкладки, яку припаюють за допомогою індію до посадочного місця зони кріостатування.

Спосіб виготовлення топологічних малюнків

Завантаження...

Номер патенту: 70053

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна, Маслов Володимир Петрович, Циркунов Юрій Якимович, Сизов Федір Федорович

МПК: H05K 3/02, H05K 3/18

Мітки: малюнків, виготовлення, спосіб, топологічних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення топологічних малюнків, що включає очищення полірованої поверхні підкладки із сапфіру або алундової кераміки, нанесення на неї в вакуумі при нагріванні шару адгезійно активного металу хрому, наступного шару золота, фотолітографію та сушіння, який відрізняється тим, що покриття наносять при температурі 50÷100°С, а після операції фотолітографії проводять додаткове відпалення у вакуумі при температурі 250÷350°С...

Спосіб еліпсометричного контролю якості поверхні кристалічних підкладок

Завантаження...

Номер патенту: 68913

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Маслов Володимир Петрович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна, Сизов Федір Федорович

МПК: G01N 1/28, G01N 1/00

Мітки: підкладок, спосіб, кристалічних, якості, поверхні, контролю, еліпсометричного

Формула / Реферат:

Спосіб еліпсометричного контролю якості полірування кристалічних підкладок, який полягає в тому, що установлюють кут падіння світла та азимут поляризатора та аналізатора еліпсометра, вимірюють еліпсометричні параметри порівнянням з еталоном, який відрізняється тим, що для еталона установлюють кут падіння світла, що дорівнює куту Брюстера даного матеріалу, а азимут поляризатора та аналізатора еліпсометра установлюють під кутом 90°, потім...

Спосіб з’єднання деталей зі склокераміки з ультранизьким коефіцієнтом термічного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 68071

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Маслов Володимир Петрович, Сизов Федір Федорович, Швірст Олег Іванович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна

МПК: C03C 27/10

Мітки: термічного, ультранизьким, з'єднання, склокераміки, деталей, розширення, спосіб, коефіцієнтом

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання деталей зі склокераміки з ультранизьким коефіцієнтом термічного розширення, який включає в себе попередню механічну обробку поверхонь з'єднувальних деталей, їх металізацію, розміщення між ними металевого з'єднувального шару, взаємну орієнтацію деталей відносно один одного, механічне притискання один до одного, який відрізняється тим, що деталі опромінюють мікрохвильовим випромінюванням з частотою 0,8-2,7 Ггц протягом часу,...

Спосіб теплопровідного склеювання матеріалів з різними коефіцієнтами температурного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 65831

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Сизов Федір Федорович, Маслов Володимир Петрович, Забудський Вячеслав Володимирович, Голенков Олександр Геннадійович

МПК: C03C 27/10

Мітки: спосіб, розширення, матеріалів, склеювання, коефіцієнтами, теплопровідного, температурного, різними

Формула / Реферат:

Спосіб склеювання матеріалів з різними коефіцієнтами температурного розширення за допомогою попередньої механічної обробки склеюваних поверхонь, їх обезжирювання, нанесення композиції з клею на основі органічних сполук та мікропорошку наповнювача, притискання їх одне до одної і полімеризації, який відрізняється тим, що в якості наповнювача використовують алмазний мікропорошок в кількості 10-15 об'ємних відсотків, а після притискання...

Фотоприймальний прилад тепловізора

Завантаження...

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Краєв Юрій Олексійович, Рева Володимир Павлович, Забудський Вячеслав Володимирович, Лихоліт Микола Іванович, Яровой Олександр Тимофійович, Сизов Федір Федорович, Ріділа Олександр Степанович, Саєнко Іван Якович, Маслов Володимир Петрович, Голенков Олександр Геннадійович

МПК: H01L 27/144, H01L 31/14

Мітки: фотоприймальний, тепловізора, прилад

Формула / Реферат:

Фотоприймальний прилад тепловізора, що складається з оптичного кріостата, гібридизованої фоточутливої лінійки або матриці, розташованої на «холодній» частині гільзи охолоджувача газової кріогенної  машини (ГКМ), причому охолоджувач ГКМ з'єднується з корпусом тепловізора за допомогою спеціального фланця, який відрізняється тим, що для підвищення вібростійкості фотоприймального пристрою (ФПП) і зниження собівартості його виготовлення,...

Спосіб складання гібридного фотоприймального пристрою

Завантаження...

Номер патенту: 52959

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Гузенко Генадій Олексійович, Сизов Федір Федорович, Петряков Володимир Олексійович, Маслов Володимир Петрович

МПК: G02B 27/14, G01B 11/00

Мітки: фотоприймального, пристрою, спосіб, гібридного, складання

Формула / Реферат:

Спосіб складання гібридного фотоприймального пристрою (ФПП) методом оберненого монтажу, що включає контактування і з`єднання індієвих мікростопчиків, що здійснюються при обертанні пластин, на одній з яких виконані багатоелементні фотодетектори у вигляді лінійки або матриці, а друга - мультиплексор (чіп) для зчитування та обробки фотосигналів з кожного елемента фотодетектора, який відрізняється тим, що контактування і з'єднання індієвих...

Спосіб виготовлення багатоелементних іч-фоторезисторів на основі cd hg te

Завантаження...

Номер патенту: 16982

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Петряков Володимир Олексійович, Сизов Федір Федорович, Литовченко Тамара Леонтіївна

МПК: H01L 31/02, H01L 21/469

Мітки: основі, виготовлення, іч-фоторезисторів, багатоелементних, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления многоэлементых инфракрасных фоторезисторов на основе материала CdxHg1-xTe(KPT), в котором выводы каждого элемента соединяют с электрическими контактами растра, отличающийся тем, что электрическое соединение контактных площадок фоторезисторов с контактами на растре осуществляют посредством индиевых столбиков, при этом образование контакта производят так, что на растре (подложке) формируют контактные металлические площадки,...

Спосіб виготовлення дифракційних елементів та елементів пристроїв інтегральної оптики

Завантаження...

Номер патенту: 17250

Опубліковано: 01.04.1997

Автори: Камуз Олександр Михайлович, Сизов Федір Федорович, Овсянніков Евген Юрійович, Олексенко Павло Феофанович

МПК: G02B 6/00, G02F 1/00

Мітки: оптики, виготовлення, спосіб, інтегральної, пристроїв, дифракційних, елементів

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления дифракционных элементов и элементов устройств интегральной оптики, таких как дифракционные решетки активные элементы канального волновода и направленного ответвителя, включающий воздействие активирующего излучения на исходный образец через фотошаблон, и отличающийся тем, что в качестве исходного образца используются монокристаллы полупроводникового соединения III - V, причем монокристалл помещают в высокополярную...