Сизов Федір Федорович

Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Савкіна Рада Костянтинівна, Удовицька Руслана Сергіївна, Смірнов Олексій Борисович, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 21/20, C23C 14/48, B82B 3/00 ...

Мітки: плівки, поверхні, гетероепітаксійної, отримання, спосіб, p-cdhgte, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Дводіапазонний напівпровідниковий приймач випромінювання для іч та тгц/суб-тгц діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 108104

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Цибрій Зіновія Федорівна, Бунчук Світлана Григорівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Сизов Федір Федорович, Голенков Олександр Генадійович, Забудський Вячеслав Володимирович, Смолій Марія Іванівна, Петряков Володимир Олексійович

МПК: G01J 1/42, G01J 5/20, H01L 27/142 ...

Мітки: напівпровідниковий, дводіапазонний, спектра, діапазонів, приймач, випромінювання

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...

Приймальний пристрій для реєстрації випромінювання терагерцового та субтерагерцового діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 100696

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Сизов Федір Федорович, Забудський Вячеслав Володимирович, Шевчик-Шекера Анна Володимирівна, Духнін Сергій Євгенійович, Голенков Олександр Геннадійович

МПК: G01J 1/42, H01L 31/00, H01L 27/142 ...

Мітки: субтерагерцового, пристрій, терагерцового, реєстрації, випромінювання, діапазонів, приймальний, спектра

Формула / Реферат:

Приймальний пристрій для реєстрації випромінювання терагерцового та субтерагерцового діапазонів спектра, що містить напівпровідниковий CdxHg1-xTe (0,17£х£0,3) болометр, який відрізняється тим, що додатково має дві асферичні лінзи з тефлону, які фокусують випромінювання на болометр, та підключений до виходу болометра зовнішній підсилювач.

Спосіб просвітлення фотоприймача іч-випромінювання на основі cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 94605

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Ганус Валерій Олександрович, Смірнов Олексій Борисович, Клюй Микола Іванович, Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 31/0296, G02B 5/22

Мітки: фотоприймача, cdhgte, спосіб, основі, іч-випромінювання, просвітлення

Формула / Реферат:

Спосіб просвітлення фотоприймача ІЧ-випромінювання на основі CdHgTe (KPT), який включає попередню обробку поверхні пластини монокристалу КРТ в плазмі аргону протягом 5-5,5 хв. з тиском у робочій камері 25 Па та наступне осадження першого шару алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) a-C:H:N як просвітлюючого покриття з суміші плазми газів аргону, метану, водню та азоту в співвідношенні Ar:CH4:H2:N2=1:3:5:9 при потужності високочастотного...

Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів

Завантаження...

Номер патенту: 106366

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Сизов Федір Федорович, Петряков Володимир Олексійович, Апатська Марія Володимирівна, Смолій Марія Іванівна, Красільніков Дмитро Сергійович

МПК: H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...

Мітки: діапазонів, міліметрового, субміліметрового, приймач

Формула / Реферат:

Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент, виконаний у вигляді епітаксійної тонкої плівки матеріалу CdxHg1-xTe зі складом 0,17≤х≤0,3, нанесеної на монокристалічну напівпровідникову підкладку зі струмовими контактами, і схему зміщення, який відрізняється тим, що приймач додатково містить підкладку з відносною діелектричною проникністю ε≤5, діелектричними втратами...

Монолітний інтегральний приймач випромінювання міліметрового та субміліметрового діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 105678

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Рева Володимир Павлович, Голенков Олександр Геннадійович, Сизов Федір Федорович, Бут Дмитро Борисович

МПК: H01L 31/04, H01Q 1/00, H01Q 23/00 ...

Мітки: спектра, діапазонів, монолітний, випромінювання, міліметрового, субміліметрового, інтегральній, приймач

Формула / Реферат:

1. Монолітний інтегральний приймач випромінювання міліметрового та субміліметрового діапазонів електромагнітного спектра, який містить метал-діелектрик-напівпровідниковий (МДН) транзистор-приймач випромінювання, підсилювач, антену міліметрового або субміліметрового діапазонів спектра, яка з'єднана з затвором МДН транзистора-приймача, перше джерело постійної напруги, з'єднане з затвором транзистора-приймача випромінювання, який відрізняється...

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdхнg1-хte

Завантаження...

Номер патенту: 87886

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович, Удовицька Руслана Сергіївна, Савкіна Рада Костянтинівна

МПК: B28B 1/00, B28B 23/00

Мітки: поверхні, наноструктур, плівки, отримання, спосіб, p-cdхнg1-хte, гетероепітаксійної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення поверхні плівки, який відрізняється тим, що поверхню опромінюють іонами срібла з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації 3-7*1013 см-2 відповідно.

Напівпровідниковий приймач тгц/суб-тгц випромінювання з вбудованим p-n переходом

Завантаження...

Номер патенту: 98524

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Цибрій Зіновія Федорівна, Дмитрук Надія Вікторівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Апатська Марія Володимирівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Добровольський Валентин Миколайович, Сизов Федір Федорович, Смолій Марія Іванівна, Бунчук Світлана Григорівна

МПК: G01J 5/20, H01L 27/142, G01J 1/42 ...

Мітки: напівпровідниковий, випромінювання, переходом, вбудованим, приймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.

Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів

Завантаження...

Номер патенту: 89075

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Каменєв Юрій Юхимович, Добровольський Валентин Миколайович, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 27/142, G01J 1/42, G01J 5/20 ...

Мітки: субміліметрового, діапазонів, напівпровідниковий, болометр, міліметрового

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент зі струмовими контактами та схему зміщення, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використовують тонкий шар напівпровідника Hg(1-x)CdxTe, де х знаходиться в межах 0,17  х  0,3, а лінійні розміри...

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду

Завантаження...

Номер патенту: 86625

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович

МПК: G01J 5/20, G01J 1/42, H01L 27/142 ...

Мітки: носіях, болометр, напівпровідниковий, заряду, гарячих

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду, який містить чутливе до випромінювання тіло болометра, виконане у вигляді пластини з двома омічними контактами на торцях, який відрізняється тим, що чутливе тіло виконане із біполярного напівпровідника, концентрація дірок і електронів якого відрізняється не більше ніж у 10 разів, ефективна маса дірок перевищує ефективну масу електронів не менше ніж у 10 разів і відстань між контактами b,...

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 40000

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна

МПК: G01J 5/00, H01L 31/00

Мітки: неохолоджуваний, пристрій, фотоприймальний, фотовольтаїчний, випромінювання, інфрачервоного

Формула / Реферат:

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання, що складається з напівпровідникової підкладинки, епітаксійної плівки з CdxHg1-хTe та електричних контактів до неї, який відрізняється тим, що підкладинка виконана з монокристалічного кремнію.

Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів

Завантаження...

Номер патенту: 80345

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Конін Костянтин Петрович, Сизов Федір Федорович, Голтвянський Юрій Васильович, Литвиненко Олег Олександрович, Стронська Олена Йосипівна, Карачевцева Людмила Анатоліївна, Паршин Костянтин Анатолійович

МПК: H01L 31/02, G01J 5/20

Мітки: теплоприймальний, болометрів, елемент, неохолоджуваний

Формула / Реферат:

Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів, що містить теплочутливий шар кремнію, діелектричну підкладку та порожнину між ними, який відрізняється тим, що теплочутливий шар виготовлений з монокристалічного кремнію, у якому сформовані повітряні порожнини у вигляді паралельно розташованих отворів у формі циліндрів, розміщених періодично або довільно  у теплочутливому шарі , відстань між якими складає від 1,5 до 2,5 мікрон.

Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних фотодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 22878

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Рева Володимир Павлович, Сизов Федір Федорович, Деркач Юрій Петрович

МПК: C03C 27/00

Мітки: інфрачервоних, багатоелементних, зчитування, фотодіодів, інформації, схема

Формула / Реферат:

Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних (ІЧ) фотодіодів, яка включає пристрій сполучення із ІЧ-фотодіодами, схеми попередньої обробки інформації, регістри затримки та накопичення, стовпчикові підсилювачі, перетворювачі заряд-напруга, мультиплексори, вихідні підсилювачі, яка відрізняється тим, що у кожну вхідну комірку схеми зчитування інформації введено додатковий елемент - тригер-клямка, додаткова шина і два додаткових...

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 19435

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Андрєєва Катерина Вікторівна, Гузенко Генадій Олексійович, Лисюк Ігор Олександрович, Сизов Федір Федорович

МПК: G01R 1/00

Мітки: характеристик, електрофізичних, установка, напівпровідникових, вимірювання, зондова, структур

Формула / Реферат:

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що складається з станини, П-подібного кронштейна з закріпленим на ньому мікроскопом, координатного столика, розташованого під мікроскопом, двох приводів горизонтального переміщення і приводу вертикального переміщення координатного столика і зондів, що забезпечують електричні контакти з елементами, що тестуються, яка відрізняється тим, що установка...

Спосіб монтажу фотоприймального модуля тепловізора у кріостат

Завантаження...

Номер патенту: 12593

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Грінченко Микола Тимофієвич, Забудський Вячеслав Володимирович, Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, Рева Володимир Павлович, Кравченко Світлана Леонідівна, Голенков Олександр Геннадійович, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 31/18, H01L 27/14

Мітки: кріостат, модуля, спосіб, тепловізора, монтажу, фотоприймального

Формула / Реферат:

Спосіб монтажу фотоприймального модулю тепловізора у кріостат, при якому фотоприймальний модуль через сапфірову підкладку з’єднують з посадочним місцем зони кріостатування, який відрізняється тим, що спочатку фотоприймальний модуль монтують в металокерамічний корпус з контактами, який, в свою чергу, приклеюють до сапфірової підкладки, яку припаюють за допомогою індію до посадочного місця зони кріостатування.

Спосіб виготовлення топологічних малюнків

Завантаження...

Номер патенту: 70053

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Циркунов Юрій Якимович, Сизов Федір Федорович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна, Маслов Володимир Петрович

МПК: H05K 3/18, H05K 3/02

Мітки: виготовлення, топологічних, малюнків, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення топологічних малюнків, що включає очищення полірованої поверхні підкладки із сапфіру або алундової кераміки, нанесення на неї в вакуумі при нагріванні шару адгезійно активного металу хрому, наступного шару золота, фотолітографію та сушіння, який відрізняється тим, що покриття наносять при температурі 50÷100°С, а після операції фотолітографії проводять додаткове відпалення у вакуумі при температурі 250÷350°С...

Спосіб еліпсометричного контролю якості поверхні кристалічних підкладок

Завантаження...

Номер патенту: 68913

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Маслов Володимир Петрович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна, Сизов Федір Федорович

МПК: G01N 1/00, G01N 1/28

Мітки: еліпсометричного, якості, кристалічних, контролю, спосіб, підкладок, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб еліпсометричного контролю якості полірування кристалічних підкладок, який полягає в тому, що установлюють кут падіння світла та азимут поляризатора та аналізатора еліпсометра, вимірюють еліпсометричні параметри порівнянням з еталоном, який відрізняється тим, що для еталона установлюють кут падіння світла, що дорівнює куту Брюстера даного матеріалу, а азимут поляризатора та аналізатора еліпсометра установлюють під кутом 90°, потім...

Спосіб з’єднання деталей зі склокераміки з ультранизьким коефіцієнтом термічного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 68071

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна, Швірст Олег Іванович, Сизов Федір Федорович, Маслов Володимир Петрович

МПК: C03C 27/10

Мітки: склокераміки, коефіцієнтом, спосіб, розширення, деталей, з'єднання, термічного, ультранизьким

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання деталей зі склокераміки з ультранизьким коефіцієнтом термічного розширення, який включає в себе попередню механічну обробку поверхонь з'єднувальних деталей, їх металізацію, розміщення між ними металевого з'єднувального шару, взаємну орієнтацію деталей відносно один одного, механічне притискання один до одного, який відрізняється тим, що деталі опромінюють мікрохвильовим випромінюванням з частотою 0,8-2,7 Ггц протягом часу,...

Спосіб теплопровідного склеювання матеріалів з різними коефіцієнтами температурного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 65831

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Забудський Вячеслав Володимирович, Маслов Володимир Петрович, Голенков Олександр Геннадійович, Сизов Федір Федорович

МПК: C03C 27/10

Мітки: температурного, розширення, різними, теплопровідного, коефіцієнтами, матеріалів, склеювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб склеювання матеріалів з різними коефіцієнтами температурного розширення за допомогою попередньої механічної обробки склеюваних поверхонь, їх обезжирювання, нанесення композиції з клею на основі органічних сполук та мікропорошку наповнювача, притискання їх одне до одної і полімеризації, який відрізняється тим, що в якості наповнювача використовують алмазний мікропорошок в кількості 10-15 об'ємних відсотків, а після притискання...

Фотоприймальний прилад тепловізора

Завантаження...

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Голенков Олександр Геннадійович, Лихоліт Микола Іванович, Сизов Федір Федорович, Саєнко Іван Якович, Рева Володимир Павлович, Забудський Вячеслав Володимирович, Ріділа Олександр Степанович, Маслов Володимир Петрович, Краєв Юрій Олексійович, Яровой Олександр Тимофійович

МПК: H01L 31/14, H01L 27/144

Мітки: прилад, фотоприймальний, тепловізора

Формула / Реферат:

Фотоприймальний прилад тепловізора, що складається з оптичного кріостата, гібридизованої фоточутливої лінійки або матриці, розташованої на «холодній» частині гільзи охолоджувача газової кріогенної  машини (ГКМ), причому охолоджувач ГКМ з'єднується з корпусом тепловізора за допомогою спеціального фланця, який відрізняється тим, що для підвищення вібростійкості фотоприймального пристрою (ФПП) і зниження собівартості його виготовлення,...

Спосіб складання гібридного фотоприймального пристрою

Завантаження...

Номер патенту: 52959

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Сизов Федір Федорович, Маслов Володимир Петрович, Петряков Володимир Олексійович, Гузенко Генадій Олексійович

МПК: G02B 27/14, G01B 11/00

Мітки: гібридного, пристрою, спосіб, складання, фотоприймального

Формула / Реферат:

Спосіб складання гібридного фотоприймального пристрою (ФПП) методом оберненого монтажу, що включає контактування і з`єднання індієвих мікростопчиків, що здійснюються при обертанні пластин, на одній з яких виконані багатоелементні фотодетектори у вигляді лінійки або матриці, а друга - мультиплексор (чіп) для зчитування та обробки фотосигналів з кожного елемента фотодетектора, який відрізняється тим, що контактування і з'єднання індієвих...

Спосіб виготовлення багатоелементних іч-фоторезисторів на основі cd hg te

Завантаження...

Номер патенту: 16982

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Сизов Федір Федорович, Петряков Володимир Олексійович, Литовченко Тамара Леонтіївна

МПК: H01L 21/469, H01L 31/02

Мітки: виготовлення, основі, іч-фоторезисторів, спосіб, багатоелементних

Формула / Реферат:

Способ изготовления многоэлементых инфракрасных фоторезисторов на основе материала CdxHg1-xTe(KPT), в котором выводы каждого элемента соединяют с электрическими контактами растра, отличающийся тем, что электрическое соединение контактных площадок фоторезисторов с контактами на растре осуществляют посредством индиевых столбиков, при этом образование контакта производят так, что на растре (подложке) формируют контактные металлические площадки,...

Спосіб виготовлення дифракційних елементів та елементів пристроїв інтегральної оптики

Завантаження...

Номер патенту: 17250

Опубліковано: 01.04.1997

Автори: Овсянніков Евген Юрійович, Камуз Олександр Михайлович, Сизов Федір Федорович, Олексенко Павло Феофанович

МПК: G02F 1/00, G02B 6/00

Мітки: елементів, інтегральної, пристроїв, виготовлення, спосіб, дифракційних, оптики

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления дифракционных элементов и элементов устройств интегральной оптики, таких как дифракционные решетки активные элементы канального волновода и направленного ответвителя, включающий воздействие активирующего излучения на исходный образец через фотошаблон, и отличающийся тем, что в качестве исходного образца используются монокристаллы полупроводникового соединения III - V, причем монокристалл помещают в высокополярную...