Сизов Федір Федорович

Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович, Удовицька Руслана Сергіївна, Смірнов Олексій Борисович

МПК: C23C 14/48, B82B 3/00, H01L 21/20 ...

Мітки: p-cdhgte, поверхні, плівки, спосіб, отримання, наноструктур, гетероепітаксійної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Дводіапазонний напівпровідниковий приймач випромінювання для іч та тгц/суб-тгц діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 108104

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Цибрій Зіновія Федорівна, Петряков Володимир Олексійович, Смолій Марія Іванівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Голенков Олександр Генадійович, Сизов Федір Федорович, Бунчук Світлана Григорівна, Забудський Вячеслав Володимирович

МПК: H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...

Мітки: дводіапазонний, напівпровідниковий, випромінювання, приймач, діапазонів, спектра

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...

Приймальний пристрій для реєстрації випромінювання терагерцового та субтерагерцового діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 100696

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Сизов Федір Федорович, Шевчик-Шекера Анна Володимирівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Духнін Сергій Євгенійович, Голенков Олександр Геннадійович

МПК: H01L 27/142, H01L 31/00, G01J 1/42 ...

Мітки: діапазонів, приймальний, реєстрації, терагерцового, пристрій, випромінювання, спектра, субтерагерцового

Формула / Реферат:

Приймальний пристрій для реєстрації випромінювання терагерцового та субтерагерцового діапазонів спектра, що містить напівпровідниковий CdxHg1-xTe (0,17£х£0,3) болометр, який відрізняється тим, що додатково має дві асферичні лінзи з тефлону, які фокусують випромінювання на болометр, та підключений до виходу болометра зовнішній підсилювач.

Спосіб просвітлення фотоприймача іч-випромінювання на основі cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 94605

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Ганус Валерій Олександрович, Савкіна Рада Костянтинівна, Клюй Микола Іванович, Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович

МПК: H01L 31/0296, G02B 5/22

Мітки: іч-випромінювання, фотоприймача, cdhgte, просвітлення, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб просвітлення фотоприймача ІЧ-випромінювання на основі CdHgTe (KPT), який включає попередню обробку поверхні пластини монокристалу КРТ в плазмі аргону протягом 5-5,5 хв. з тиском у робочій камері 25 Па та наступне осадження першого шару алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) a-C:H:N як просвітлюючого покриття з суміші плазми газів аргону, метану, водню та азоту в співвідношенні Ar:CH4:H2:N2=1:3:5:9 при потужності високочастотного...

Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів

Завантаження...

Номер патенту: 106366

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Красільніков Дмитро Сергійович, Сизов Федір Федорович, Смолій Марія Іванівна, Апатська Марія Володимирівна, Петряков Володимир Олексійович

МПК: H01L 27/142, G01J 1/42, G01J 5/20 ...

Мітки: міліметрового, субміліметрового, діапазонів, приймач

Формула / Реферат:

Приймач міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент, виконаний у вигляді епітаксійної тонкої плівки матеріалу CdxHg1-xTe зі складом 0,17≤х≤0,3, нанесеної на монокристалічну напівпровідникову підкладку зі струмовими контактами, і схему зміщення, який відрізняється тим, що приймач додатково містить підкладку з відносною діелектричною проникністю ε≤5, діелектричними втратами...

Монолітний інтегральний приймач випромінювання міліметрового та субміліметрового діапазонів спектра

Завантаження...

Номер патенту: 105678

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Голенков Олександр Геннадійович, Бут Дмитро Борисович, Рева Володимир Павлович, Сизов Федір Федорович

МПК: H01Q 1/00, H01L 31/04, H01Q 23/00 ...

Мітки: інтегральній, випромінювання, приймач, спектра, міліметрового, діапазонів, монолітний, субміліметрового

Формула / Реферат:

1. Монолітний інтегральний приймач випромінювання міліметрового та субміліметрового діапазонів електромагнітного спектра, який містить метал-діелектрик-напівпровідниковий (МДН) транзистор-приймач випромінювання, підсилювач, антену міліметрового або субміліметрового діапазонів спектра, яка з'єднана з затвором МДН транзистора-приймача, перше джерело постійної напруги, з'єднане з затвором транзистора-приймача випромінювання, який відрізняється...

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdхнg1-хte

Завантаження...

Номер патенту: 87886

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович, Удовицька Руслана Сергіївна

МПК: B28B 1/00, B28B 23/00

Мітки: спосіб, отримання, плівки, наноструктур, p-cdхнg1-хte, гетероепітаксійної, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення поверхні плівки, який відрізняється тим, що поверхню опромінюють іонами срібла з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації 3-7*1013 см-2 відповідно.

Напівпровідниковий приймач тгц/суб-тгц випромінювання з вбудованим p-n переходом

Завантаження...

Номер патенту: 98524

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Добровольський Валентин Миколайович, Апатська Марія Володимирівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Сизов Федір Федорович, Дмитрук Надія Вікторівна, Смолій Марія Іванівна, Цибрій Зіновія Федорівна, Бунчук Світлана Григорівна, Андрєєва Катерина Вікторівна

МПК: G01J 1/42, H01L 27/142, G01J 5/20 ...

Мітки: вбудованим, випромінювання, переходом, приймач, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.

Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів

Завантаження...

Номер патенту: 89075

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович, Каменєв Юрій Юхимович

МПК: H01L 27/142, G01J 1/42, G01J 5/20 ...

Мітки: субміліметрового, напівпровідниковий, міліметрового, болометр, діапазонів

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент зі струмовими контактами та схему зміщення, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використовують тонкий шар напівпровідника Hg(1-x)CdxTe, де х знаходиться в межах 0,17  х  0,3, а лінійні розміри...

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду

Завантаження...

Номер патенту: 86625

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Добровольський Валентин Миколайович, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...

Мітки: напівпровідниковий, болометр, носіях, гарячих, заряду

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду, який містить чутливе до випромінювання тіло болометра, виконане у вигляді пластини з двома омічними контактами на торцях, який відрізняється тим, що чутливе тіло виконане із біполярного напівпровідника, концентрація дірок і електронів якого відрізняється не більше ніж у 10 разів, ефективна маса дірок перевищує ефективну масу електронів не менше ніж у 10 разів і відстань між контактами b,...

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 40000

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович

МПК: H01L 31/00, G01J 5/00

Мітки: пристрій, інфрачервоного, випромінювання, неохолоджуваний, фотовольтаїчний, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання, що складається з напівпровідникової підкладинки, епітаксійної плівки з CdxHg1-хTe та електричних контактів до неї, який відрізняється тим, що підкладинка виконана з монокристалічного кремнію.

Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів

Завантаження...

Номер патенту: 80345

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Стронська Олена Йосипівна, Голтвянський Юрій Васильович, Паршин Костянтин Анатолійович, Сизов Федір Федорович, Конін Костянтин Петрович, Карачевцева Людмила Анатоліївна, Литвиненко Олег Олександрович

МПК: H01L 31/02, G01J 5/20

Мітки: болометрів, елемент, неохолоджуваний, теплоприймальний

Формула / Реферат:

Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів, що містить теплочутливий шар кремнію, діелектричну підкладку та порожнину між ними, який відрізняється тим, що теплочутливий шар виготовлений з монокристалічного кремнію, у якому сформовані повітряні порожнини у вигляді паралельно розташованих отворів у формі циліндрів, розміщених періодично або довільно  у теплочутливому шарі , відстань між якими складає від 1,5 до 2,5 мікрон.

Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних фотодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 22878

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сизов Федір Федорович, Рева Володимир Павлович, Деркач Юрій Петрович

МПК: C03C 27/00

Мітки: інформації, фотодіодів, багатоелементних, зчитування, інфрачервоних, схема

Формула / Реферат:

Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних (ІЧ) фотодіодів, яка включає пристрій сполучення із ІЧ-фотодіодами, схеми попередньої обробки інформації, регістри затримки та накопичення, стовпчикові підсилювачі, перетворювачі заряд-напруга, мультиплексори, вихідні підсилювачі, яка відрізняється тим, що у кожну вхідну комірку схеми зчитування інформації введено додатковий елемент - тригер-клямка, додаткова шина і два додаткових...

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 19435

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Лисюк Ігор Олександрович, Сизов Федір Федорович, Гузенко Генадій Олексійович, Андрєєва Катерина Вікторівна

МПК: G01R 1/00

Мітки: зондова, характеристик, вимірювання, установка, напівпровідникових, електрофізичних, структур

Формула / Реферат:

Зондова установка для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що складається з станини, П-подібного кронштейна з закріпленим на ньому мікроскопом, координатного столика, розташованого під мікроскопом, двох приводів горизонтального переміщення і приводу вертикального переміщення координатного столика і зондів, що забезпечують електричні контакти з елементами, що тестуються, яка відрізняється тим, що установка...

Спосіб монтажу фотоприймального модуля тепловізора у кріостат

Завантаження...

Номер патенту: 12593

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Рева Володимир Павлович, Кравченко Світлана Леонідівна, Сизов Федір Федорович, Забудський Вячеслав Володимирович, Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, Голенков Олександр Геннадійович, Грінченко Микола Тимофієвич

МПК: H01L 31/18, H01L 27/14

Мітки: тепловізора, монтажу, кріостат, спосіб, модуля, фотоприймального

Формула / Реферат:

Спосіб монтажу фотоприймального модулю тепловізора у кріостат, при якому фотоприймальний модуль через сапфірову підкладку з’єднують з посадочним місцем зони кріостатування, який відрізняється тим, що спочатку фотоприймальний модуль монтують в металокерамічний корпус з контактами, який, в свою чергу, приклеюють до сапфірової підкладки, яку припаюють за допомогою індію до посадочного місця зони кріостатування.

Спосіб виготовлення топологічних малюнків

Завантаження...

Номер патенту: 70053

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Маслов Володимир Петрович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна, Сизов Федір Федорович, Циркунов Юрій Якимович

МПК: H05K 3/02, H05K 3/18

Мітки: малюнків, виготовлення, топологічних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення топологічних малюнків, що включає очищення полірованої поверхні підкладки із сапфіру або алундової кераміки, нанесення на неї в вакуумі при нагріванні шару адгезійно активного металу хрому, наступного шару золота, фотолітографію та сушіння, який відрізняється тим, що покриття наносять при температурі 50÷100°С, а після операції фотолітографії проводять додаткове відпалення у вакуумі при температурі 250÷350°С...

Спосіб еліпсометричного контролю якості поверхні кристалічних підкладок

Завантаження...

Номер патенту: 68913

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Маслов Володимир Петрович, Сизов Федір Федорович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна

МПК: G01N 1/28, G01N 1/00

Мітки: кристалічних, поверхні, контролю, спосіб, якості, еліпсометричного, підкладок

Формула / Реферат:

Спосіб еліпсометричного контролю якості полірування кристалічних підкладок, який полягає в тому, що установлюють кут падіння світла та азимут поляризатора та аналізатора еліпсометра, вимірюють еліпсометричні параметри порівнянням з еталоном, який відрізняється тим, що для еталона установлюють кут падіння світла, що дорівнює куту Брюстера даного матеріалу, а азимут поляризатора та аналізатора еліпсометра установлюють під кутом 90°, потім...

Спосіб з’єднання деталей зі склокераміки з ультранизьким коефіцієнтом термічного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 68071

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Сизов Федір Федорович, Маслов Володимир Петрович, Швірст Олег Іванович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна

МПК: C03C 27/10

Мітки: термічного, коефіцієнтом, з'єднання, деталей, ультранизьким, розширення, склокераміки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання деталей зі склокераміки з ультранизьким коефіцієнтом термічного розширення, який включає в себе попередню механічну обробку поверхонь з'єднувальних деталей, їх металізацію, розміщення між ними металевого з'єднувального шару, взаємну орієнтацію деталей відносно один одного, механічне притискання один до одного, який відрізняється тим, що деталі опромінюють мікрохвильовим випромінюванням з частотою 0,8-2,7 Ггц протягом часу,...

Спосіб теплопровідного склеювання матеріалів з різними коефіцієнтами температурного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 65831

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Голенков Олександр Геннадійович, Забудський Вячеслав Володимирович, Маслов Володимир Петрович, Сизов Федір Федорович

МПК: C03C 27/10

Мітки: температурного, теплопровідного, склеювання, матеріалів, спосіб, розширення, різними, коефіцієнтами

Формула / Реферат:

Спосіб склеювання матеріалів з різними коефіцієнтами температурного розширення за допомогою попередньої механічної обробки склеюваних поверхонь, їх обезжирювання, нанесення композиції з клею на основі органічних сполук та мікропорошку наповнювача, притискання їх одне до одної і полімеризації, який відрізняється тим, що в якості наповнювача використовують алмазний мікропорошок в кількості 10-15 об'ємних відсотків, а після притискання...

Фотоприймальний прилад тепловізора

Завантаження...

Номер патенту: 56653

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Яровой Олександр Тимофійович, Сизов Федір Федорович, Забудський Вячеслав Володимирович, Лихоліт Микола Іванович, Краєв Юрій Олексійович, Ріділа Олександр Степанович, Маслов Володимир Петрович, Саєнко Іван Якович, Рева Володимир Павлович, Голенков Олександр Геннадійович

МПК: H01L 31/14, H01L 27/144

Мітки: тепловізора, прилад, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Фотоприймальний прилад тепловізора, що складається з оптичного кріостата, гібридизованої фоточутливої лінійки або матриці, розташованої на «холодній» частині гільзи охолоджувача газової кріогенної  машини (ГКМ), причому охолоджувач ГКМ з'єднується з корпусом тепловізора за допомогою спеціального фланця, який відрізняється тим, що для підвищення вібростійкості фотоприймального пристрою (ФПП) і зниження собівартості його виготовлення,...

Спосіб складання гібридного фотоприймального пристрою

Завантаження...

Номер патенту: 52959

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Сизов Федір Федорович, Маслов Володимир Петрович, Гузенко Генадій Олексійович, Петряков Володимир Олексійович

МПК: G02B 27/14, G01B 11/00

Мітки: складання, гібридного, фотоприймального, пристрою, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб складання гібридного фотоприймального пристрою (ФПП) методом оберненого монтажу, що включає контактування і з`єднання індієвих мікростопчиків, що здійснюються при обертанні пластин, на одній з яких виконані багатоелементні фотодетектори у вигляді лінійки або матриці, а друга - мультиплексор (чіп) для зчитування та обробки фотосигналів з кожного елемента фотодетектора, який відрізняється тим, що контактування і з'єднання індієвих...

Спосіб виготовлення багатоелементних іч-фоторезисторів на основі cd hg te

Завантаження...

Номер патенту: 16982

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Петряков Володимир Олексійович, Сизов Федір Федорович, Литовченко Тамара Леонтіївна

МПК: H01L 31/02, H01L 21/469

Мітки: спосіб, основі, виготовлення, багатоелементних, іч-фоторезисторів

Формула / Реферат:

Способ изготовления многоэлементых инфракрасных фоторезисторов на основе материала CdxHg1-xTe(KPT), в котором выводы каждого элемента соединяют с электрическими контактами растра, отличающийся тем, что электрическое соединение контактных площадок фоторезисторов с контактами на растре осуществляют посредством индиевых столбиков, при этом образование контакта производят так, что на растре (подложке) формируют контактные металлические площадки,...

Спосіб виготовлення дифракційних елементів та елементів пристроїв інтегральної оптики

Завантаження...

Номер патенту: 17250

Опубліковано: 01.04.1997

Автори: Овсянніков Евген Юрійович, Олексенко Павло Феофанович, Сизов Федір Федорович, Камуз Олександр Михайлович

МПК: G02B 6/00, G02F 1/00

Мітки: спосіб, пристроїв, виготовлення, елементів, дифракційних, оптики, інтегральної

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления дифракционных элементов и элементов устройств интегральной оптики, таких как дифракционные решетки активные элементы канального волновода и направленного ответвителя, включающий воздействие активирующего излучения на исходный образец через фотошаблон, и отличающийся тем, что в качестве исходного образца используются монокристаллы полупроводникового соединения III - V, причем монокристалл помещают в высокополярную...