Сідлецький Олег Цезаревич

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Горбенко Віталій Іванович, Федоров Олександр Григорович, Сідлецький Олег Цезаревич, Павлик Богдан Васильович, Зоренко Юрій Володимирович, Возняк Тарас Іванович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Шикоряк Йосип Андрійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Архіпов Павло Васильович

МПК: C30B 29/00, G01T 1/20, C09K 11/00 ...

Мітки: випромінювань, сцинтилятор, реєстрації, іонізуючих, комбінований

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Герасимов Ярослав Віталійович, Архіпов Павло Васильович, Галенін Евгеній Петрович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: наплавлення, вирощування, сировиною, спосіб, тиглів, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 92705

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Гриньов Борис Вікторович, Жуков Леонід Семенович, Бондар Валерій Григорійович, Волошина Олеся Василівна, Курцев Данііл Олександрович

МПК: G01T 1/202, C30B 15/02

Мітки: лютецію, одержання, гадолінію, розплаву, оксіортосилікатів, вирощування, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, що включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, з наступним розплавленням шихти в іридієвому тиглі в інертному середовищі, який відрізняється тим, що після змішування вихідні компоненти шихти попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву за методом чохральського та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Бондар Валерій Григорійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Галенін Євгеній Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/00

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів, розплаву, здійснення, спосіб, методом, чохральського

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 86135

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 15/14, C30B 15/20

Мітки: теплового, випромінювання, пристрій, прозорістю, вирощування, монокристалів, низькою

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання методом Чохральського, який містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою пластину з коаксіальним отвором в центральній її частині, який відрізняється тим, що екран виконаний у вигляді кільцевої пластини, зовнішній діаметр...

Пристрій для вимірювання діелектричної проникності органічних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 45673

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Стаднік Петро Омел'янович, Лисецький Лонгин Миколайович, Маліков Віталій Якович, Галунов Микола Захарович, Сідлецький Олег Цезаревич, Будаковський Сергій Валентинович

МПК: G01N 29/00

Мітки: пристрій, органічних, проникності, діелектричної, вимірювання, матеріалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання діелектричної проникності органічних матеріалів, що містить корпус із отворами, нагрівач, вимірювальний та високовольтний електроди, ізолюючу прокладку, який відрізняється тим, що до нього введені механізм контрольованого переміщення верхнього електрода і розташований між електродами еластичний контейнер, що служить також ізолюючою прокладкою, всередині якого розміщений матеріал, що досліджується.

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 40420

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Маліков Віталій Якович, Сідлецький Олег Цезаревич, Лисецький Лонгин Миколайович, Галунов Микола Захарович, Стаднік Петро Омел'янович

МПК: G01N 29/00

Мітки: вимірювання, рідкокристалічних, електрофізичних, пристрій, властивостей, матеріалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів, що містить корпус, нагрівник, вимірювальний та високовольтний електроди, ізолюючу прокладку і рідкокристалічний матеріал між електродами, який відрізняється тим, що до пристрою введено перфоровану прокладку, діаметри перфорацій в якій перевищують товщину прокладки.