Сідлецький Олег Цезаревич

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Гриньов Борис Вікторович, Сідлецький Олег Цезаревич, Возняк Тарас Іванович, Федоров Олександр Григорович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Горбенко Віталій Іванович, Зоренко Юрій Володимирович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Архіпов Павло Васильович

МПК: C30B 29/00, G01T 1/20, C09K 11/00 ...

Мітки: випромінювань, іонізуючих, комбінований, сцинтилятор, реєстрації

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Евгеній Петрович, Сідлецький Олег Цезаревич, Герасимов Ярослав Віталійович, Архіпов Павло Васильович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: тиглів, сировиною, спосіб, наплавлення, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 92705

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Волошина Олеся Василівна, Курцев Данііл Олександрович, Гриньов Борис Вікторович, Сідлецький Олег Цезаревич, Жуков Леонід Семенович

МПК: G01T 1/202, C30B 15/02

Мітки: спосіб, розплаву, одержання, вирощування, кристалів, оксіортосилікатів, гадолінію, лютецію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, що включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, з наступним розплавленням шихти в іридієвому тиглі в інертному середовищі, який відрізняється тим, що після змішування вихідні компоненти шихти попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву за методом чохральського та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Бондар Валерій Григорійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Галенін Євгеній Петрович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 15/00, C30B 35/00

Мітки: вирощування, спосіб, пристрій, монокристалів, методом, розплаву, здійснення, чохральського

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 86135

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/14

Мітки: низькою, вирощування, теплового, прозорістю, пристрій, випромінювання, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з низькою прозорістю для теплового випромінювання методом Чохральського, який містить платиновий тигель для розплаву, механізм витягування кристалу, індукційний нагрівач, розташований навкруги тиглю, і розміщений на тиглі відбивний екран, який являє собою пластину з коаксіальним отвором в центральній її частині, який відрізняється тим, що екран виконаний у вигляді кільцевої пластини, зовнішній діаметр...

Пристрій для вимірювання діелектричної проникності органічних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 45673

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Лисецький Лонгин Миколайович, Галунов Микола Захарович, Маліков Віталій Якович, Будаковський Сергій Валентинович, Сідлецький Олег Цезаревич, Стаднік Петро Омел'янович

МПК: G01N 29/00

Мітки: матеріалів, пристрій, вимірювання, проникності, діелектричної, органічних

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання діелектричної проникності органічних матеріалів, що містить корпус із отворами, нагрівач, вимірювальний та високовольтний електроди, ізолюючу прокладку, який відрізняється тим, що до нього введені механізм контрольованого переміщення верхнього електрода і розташований між електродами еластичний контейнер, що служить також ізолюючою прокладкою, всередині якого розміщений матеріал, що досліджується.

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 40420

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Маліков Віталій Якович, Стаднік Петро Омел'янович, Лисецький Лонгин Миколайович, Галунов Микола Захарович

МПК: G01N 29/00

Мітки: властивостей, рідкокристалічних, матеріалів, електрофізичних, пристрій, вимірювання

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання електрофізичних властивостей рідкокристалічних матеріалів, що містить корпус, нагрівник, вимірювальний та високовольтний електроди, ізолюючу прокладку і рідкокристалічний матеріал між електродами, який відрізняється тим, що до пристрою введено перфоровану прокладку, діаметри перфорацій в якій перевищують товщину прокладки.