Шульга Юрій Григорович

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Щербань Олексій Петрович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Власенко Тимур Вікторович, Ковтун Геннадій Прокопович, Горбенко Юрій Васильович

МПК: C30B 15/00, H01L 31/0264, H01L 31/036 ...

Мітки: спосіб, кремнію, лігатури, галієвої, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Шифрук Олександр Сергійович, Коломоєць Сергій Дмитрович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: злитка, спосіб, монокристалічного, вирощування, методом, підготовки, тигля, чохральського

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Скобаро Андрій Олексійович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Святелик Володимир Федосійович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/06, H01L 21/02 ...

Мітки: мультикристалічного, пластин, кремнію, спосіб, елементів, сонячних, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Пристрій для вирощування монокристалів кремнію, екрануючий пристрій для нього і спосіб вирощування монокристалів кремнію за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Повстяний Володимир Григорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02

Мітки: вирощування, пристрій, нього, чохральського, методом, спосіб, кремнію, екрануючий, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Руденко Сергій Васильович

МПК: C30B 15/02

Мітки: розплаву, спосіб, монокристала, вирощування, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю

Завантаження...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Бакалець Ігор Павлович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00

Мітки: вирощеного, кремнію, виділення, спосіб, концентрацією, домішки, монокристала, заданою, зливка, частини, вуглецю

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель

Завантаження...

Номер патенту: 46145

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Маковський Валерій Георгієвич, Шульга Юрій Григорович, Куликовський Едуард Володимирович, Повстяний Володимир Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Клевець Сергій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: матеріалу, пристрій, тигель, завантаження, повторного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель, що включає резервуар, підтримуючі елементи, розташовані в нижньому торці резервуара, і вузол кріплення резервуара до механізму переміщення, який відрізняється тим, що додатково містить фіксуюче кільце, що розташовано зовні резервуара і жорстко зв'язано з ним, при цьому резервуар постачено днищем, що відчиняється, а вузол кріплення резервуара виконано у вигляді послідовно з'єднаних...

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вирощених, злитків, обробки, спосіб, кремнію, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: визначення, кремнію, бездефектної, зони, монокристала, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту

Завантаження...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02

Мітки: росту, одержання, кремнію, монокристалічного, монокристалів, порушенні, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.