Шульга Юрій Григорович

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 77874

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Шульга Юрій Григорович, Горбенко Юрій Васильович, Власенко Тимур Вікторович, Щербань Олексій Петрович, Берінгов Сергій Борисович, Ковтун Геннадій Прокопович

МПК: H01L 31/036, H01L 31/0264, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, одержання, галієвої, лігатури, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання галієвої лігатури кремнію, який включає плавлення в тиглі завантаження, що складається з кремнію з додатком галію, і кристалізацію одержаного розплаву, який відрізняється тим, що використовують завантаження у вигляді кусків кремнію з нанесеним шаром галію, плавлення завантаження здійснюють у атмосфері інертного газу, і після одержання розплаву знижують тиск інертного газу до значення, що визначають з...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Шифрук Олександр Сергійович, Коломоєць Сергій Дмитрович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: тигля, чохральського, методом, підготовки, монокристалічного, вирощування, злитка, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Святелик Володимир Федосійович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Скобаро Андрій Олексійович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/06, H01L 31/18 ...

Мітки: мультикристалічного, одержання, пластин, кремнію, спосіб, елементів, сонячних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Пристрій для вирощування монокристалів кремнію, екрануючий пристрій для нього і спосіб вирощування монокристалів кремнію за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович, Повстяний Володимир Григорович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: спосіб, методом, нього, екрануючий, вирощування, кремнію, пристрій, монокристалів, чохральського

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Руденко Сергій Васильович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристала, кремнію, вирощування, спосіб, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю

Завантаження...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Бакалець Ігор Павлович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00

Мітки: спосіб, кремнію, виділення, концентрацією, домішки, монокристала, вуглецю, зливка, вирощеного, частини, заданою

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель

Завантаження...

Номер патенту: 46145

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Куликовський Едуард Володимирович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Клевець Сергій Григорович, Повстяний Володимир Григорович, Маковський Валерій Георгієвич

МПК: C30B 15/02

Мітки: повторного, тигель, пристрій, матеріалу, завантаження

Формула / Реферат:

1. Пристрій для повторного завантаження матеріалу в тигель, що включає резервуар, підтримуючі елементи, розташовані в нижньому торці резервуара, і вузол кріплення резервуара до механізму переміщення, який відрізняється тим, що додатково містить фіксуюче кільце, що розташовано зовні резервуара і жорстко зв'язано з ним, при цьому резервуар постачено днищем, що відчиняється, а вузол кріплення резервуара виконано у вигляді послідовно з'єднаних...

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, вирощених, злитків, монокристала, кремнію, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, кремнію, монокристала, зони, визначення, бездефектної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту

Завантаження...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/02

Мітки: монокристалів, одержання, спосіб, монокристалічного, порушенні, росту, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.