Сабов Мар’ян Юрійович

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(і) триселеностанату(іі)-тi4snse3

Завантаження...

Номер патенту: 121133

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Когутич Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Філеп Михайло Йосипович

МПК: H01L 35/16, C01G 15/00, H01L 35/00 ...

Мітки: тетраталію(і, полікристалічного, покращення, термоелектричної, спосіб, потужності, триселеностанату(іі)-тi4snse3

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...

Середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5,63bi0,70se3,67

Завантаження...

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Габорець Наталія Йосипівна, Барчій Ігор Євгенович

МПК: H01L 35/16

Мітки: середньотемпературний, термоелектрик, евтектики, tl5.63bi0.70se3.67, основі

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (snse2)0,55(tlbise2)0,45

Завантаження...

Номер патенту: 113556

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/16, C22F 1/16

Мітки: сплаву, евтектичного, обробки, спосіб, snse2)0.55(tlbise2)0.45, термічної

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді.

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (і) бісмут (ііі) диселеніду tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 15/00, C01G 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термоелектрика, бісмут, tlbise2, синтезу, ііі, диселеніду, перспективного, талій, енергозберігаючого, твердофазного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (snse2)0.55(tlbise2)0.45

Завантаження...

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01G 15/00, C01G 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: snse2)0.55(tlbise2)0.45, покращення, добротності, сплаву, спосіб, термоелектричної, евтектичного

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Ефективний середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5.63bi0.70se3.67

Завантаження...

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Габорець Наталія Йосипівна, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C01G 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: середньотемпературний, основі, tl5.63bi0.70se3.67, ефективний, термоелектрик, евтектики

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи snse2-tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00

Мітки: евтектичного, термоелектричної, системі, ефективності, сплаву, спосіб, підвищення, snse2-tlbise2

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2-bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C01B 19/00, C01G 19/00, H01L 35/00 ...

Мітки: основі, композиту, системі, snse2-bi2se3, термоелектричний, матеріал, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C01G 19/00 ...

Мітки: композиту, евтектичного, основі, термоелектричний, tl4snse4-tl9bise6, матеріал, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 17/00 ...

Мітки: основі, одержання, термоелектричного, матеріалу, талію(і, монокристалів, tl4sns4, тетратіостанату, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі тl9вise6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/14

Мітки: тl9вise6-tl4snse4, розчину, основі, твердого, матеріал, термоелектричний, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/34, H01L 35/16, H01L 35/14 ...

Мітки: одержання, розчину, матеріалу, талію, tpиtioctaнatу, moнokpиctaлib, твердого, cпociб, вигляді, основі, tepmoeлektpичнoгo

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі tl9bіsе6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: системі, основі, термоелектричний, розчину, твердого, матеріал, tl9bіsе6-tl4snse4

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/00

Мітки: композиту, tl4snse4-tl9bise6, матеріал, термоелектричний, основі, евтектичного, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: евтектичного, композиту, матеріал, snse2, системі, основі, термоелектричний, bi2se3

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C01G 1/12, C01G 19/00 ...

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 91653

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Глух Олег Станіславович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричної, добротності, монокристалів, tl4sns4, покращення, спосіб, тетратіостанату, талій

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 47226

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Глух Олег Станіславович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3

Завантаження...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: спосіб, тритіостанату, термоелектричної, талій, покращення, добротності, монокристалів, tl2sns3

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс

Завантаження...

Номер патенту: 59973

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: підвищеної, елемент, формування, термоерс, твердотільний

Формула / Реферат:

Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс, який містить сформований циліндр або паралелепіпед, який розміщений в електроізолюючому корпусі, та електроди, що притиснуті до протилежних торців циліндра або паралелепіпеда, який відрізняється тим, що циліндр або паралелепіпед виконаний із тетратіоцирконату талію (Tl4ZrS4), а між протилежними торцями елемента створений високий градієнт температури від  90° К  до 140° К.

Спосіб одержання талію (і) – титану (iv) тетрасульфіду тl4тіs4

Завантаження...

Номер патенту: 70185

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Севрюков Дмитро Володимирович

МПК: C01G 15/00, C01G 23/00, C01B 17/20 ...

Мітки: тl4тіs4, титану, тетрасульфіду, спосіб, одержання, талію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання талію (І)-титану (ІV) тетрасульфіду (Тl4ТіS4), який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти для синтезу у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальший відпал при 650 К, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні талій, титан і...

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану

Завантаження...

Номер патенту: 74445

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Севрюков Дмитро Володимирович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович, Сідей Василь Іванович

МПК: C01G 1/12, C01B 17/20, C01G 23/00 ...

Мітки: модифікації, моносульфіду, поліморфної, спосіб, титану, синтезу, нової

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану, який включає нагрівання вакуумованих до тиску 0,13 Па кварцових ампул, що містять дрібнодисперсні елементарні компоненти сірки та титану у стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють у безперервному режимі, при цьому максимальна температура синтезу становить 1173±25 К, а охолодження здійснюють у режимі...