Рижиков Володимир Діомидович

Пристрій для контролю параметрів рентгенівських випромінювачів

Завантаження...

Номер патенту: 100966

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Волков Володимир Генадійович, Гриньов Борис Вікторович, Махота Сергій Володимирович, Рижиков Володимир Діомидович, Ополонін Олександр Дмитрович

МПК: G01T 1/20, H05G 1/26

Мітки: контролю, рентгенівських, параметрів, випромінювачів, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю параметрів рентгенівських випромінювачів і поглинутої дози рентгенівського випромінювання, що містить не менше двох детекторних елементів типу сцинтилятор-фотодіод, один з яких виконаний на основі кристала селеніду цинку, активованого телуром, при цьому виходи фотодіодів підключені до операційних підсилювачів, виходи останніх підключені до аналого-цифрового перетворювача, який своїми входами і виходами з'єднаний з...

Комбінований детектор іонізуючого випромінювання, зокрема гамма-нейтронного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Сідлецький Олег Цезарович, Онищенко Геннадій Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович, Півень Леонід Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Сідельнікова Лідія Юріївна, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: G01T 1/202, G01T 1/20, G01T 1/10 ...

Мітки: зокрема, гамма-нейтронного, комбінований, детектор, випромінювання, іонізуючого

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Жуков Олександр Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Зеня Ігор Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Малюкін Юрій Вікторович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сульфіду, основі, сцинтиляційний, цинку, матеріал

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційного, цинку, основі, одержання, матеріалу, активованого, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Сцинтиляційна панель та спосіб її виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Літічевський Владислав Олександрович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційна, спосіб, виготовлення, панель

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок

Завантаження...

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Сосницька Ольга Олександрівна, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: B29D 11/00, G01T 1/202

Мітки: виготовлення, сцинтиляційних, спосіб, збірок, багатоелементних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Спосіб реєстрації швидких нейтронів

Завантаження...

Номер патенту: 96428

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Онищенко Геннадій Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Півень Леонід Олексійович

МПК: G01T 3/06, G01T 1/20

Мітки: швидких, спосіб, реєстрації, нейтронів

Формула / Реферат:

1. Спосіб реєстрації швидких нейтронів, заснований на механізмі непружного розсіювання швидких нейтронів у матеріалі конвертора, що включає перетворення каскаду гамма-квантів, що утворюються в результаті непружного розсіювання нейтронів у матеріалі конвертора з високим атомним номером, у серію світлових спалахів сцинтилятором, обробку сигналів, одержаних при реєстрації зазначених світлових спалахів, формування лічильних імпульсів із...

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Білецький Микола Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Онищенко Геннадій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: бар'єром, шотткі, уф-фотодіод

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Бреславський Ігор Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/10, G01T 1/202, C30B 29/46 ...

Мітки: основі, матеріал, активованого, напівпровідниковий, селеніду, сцинтиляційний, цинку, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Малогабаритний детектор швидких і теплових нейтронів

Завантаження...

Номер патенту: 92193

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Онищенко Геннадій Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Півень Леонід Олексійович

МПК: G01T 1/202

Мітки: малогабаритний, нейтронів, швидких, детектор, теплових

Формула / Реферат:

Малогабаритний детектор швидких і теплових нейтронів, що містить датчик, виконаний на основі неорганічного сцинтилятора, оптично з'єднаного з фотодіодом, який з'єднано з блоком попередньої обробки сигналу, який відрізняється тим, що датчик розташований у свинцевому захисті, сцинтилятором є кристал силікату гадолінію або вольфрамату кадмію, фотодіод є лавинним фотодіодом, а блок попередньої обробки сигналу містить в собі підсилювач-формувач...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Воронкін Євген Федорович, Добровольський Юрій Георгійович, Галкін Сергій Миколайович, Шабашкевич Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264, H01L 31/0216 ...

Мітки: бар'єром, фотодіод, шотткі, діапазоні, ультрафіолетовому, чутливий, спектра

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: активованих, спосіб, селеніду, кристалів, цинку, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Рентгенографічний спосіб розпізнавання матеріалів та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 89318

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Найдьонов Сергій Вячеславович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01N 23/02

Мітки: пристрій, здійснення, рентгенографічний, розпізнавання, матеріалів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Рентгенографічний спосіб розпізнавання матеріалів, що включає їх просвічування рентгенівським випромінюванням та реєстрацію випромінювання, яке пройшло через об'єкт, в декількох різних спектральних областях з різною ефективною енергією багатоелементними приймачами випромінювання, який відрізняється тим, що використовують квазімонохроматичне рентгенівське випромінювання, а реєстрацію випромінювання, яке пройшло через контрольований об'єкт,...

Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6

Завантаження...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: а2в6, сполук, спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/00, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: цинку, термообробки, селеніду, активованих, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Галкін Сергій Миколайович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Добровольський Юрій Георгійович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/0216, H01L 31/06 ...

Мітки: спектра, бар'єром, фотодіод, ультрафіолетовому, діапазоні, чутливий, шотткі

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Сенсор зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел

Завантаження...

Номер патенту: 38837

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01J 1/00

Мітки: сенсор, ультрафіолетового, джерел, випромінювання, зменшеного, реєстрації, точкових, розміру, виявлення

Формула / Реферат:

1. Пристрій зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел, який має фотодіод (1) з додатковим світлофільтром (2), лінзу (3), який відрізняється тим, що згаданий діод є, наприклад, діодом Шотткі на основі, наприклад, селеніду цинку, розміщеним в центрі радіуса кривизни передньої поверхні згаданої лінзи, що має форму півсфери та побудована з матеріалу, що має велику дисперсію та коефіцієнт...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 35326

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гордієнко Юрій Омелянович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бендеберя Генадій Миколайович

МПК: G02B 5/02, G01J 1/42

Мітки: персональний, випромінювання, ультрафіолетового, активного, пристрій, вимірювання, біологічно

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002

Полірувальна суміш

Завантаження...

Номер патенту: 80070

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Козин Дмитро Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Квітницька Валентина Захарівна, Галкін Сергій Миколайович, Ополонін Олександр Дмитрович

МПК: C09G 1/00, G01T 1/202

Мітки: суміш, полірувальна

Формула / Реферат:

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі lіf та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 79947

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Кривоносов Євген Володимирович, Галкін Сергій Миколайович, Литвинов Леонід Аркадійович, Малко Юрій Борисович, Воронкін Євген Федорович, Кольнер Володимир Борисович, Рижиков Володимир Діомидович, Черніков Вячеслав Васильович

МПК: G01V 5/00, C04B 35/553, G01T 1/20 ...

Мітки: сцинтиляційний, основі, керамічний, детектор, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі LiF, який відрізняється тим, що, він додатково містить силікати рідкісноземельних елементів та/або тикор при співвідношенні основи до інших компонентів  10:(1-4), при цьому частинки силікатів рідкісноземельних елементів та/або тикору розміром 0,1-0,3 мм рівномірно розподілені в дисперсному середовищі частинок LiF того ж розміру.2. Детектор нейтронного випромінювання, який містить елементи...

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера

Завантаження...

Номер патенту: 77896

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Спасов Володимир Григорович, Йон Кюн Кім, Джон Кьон Кім, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Нагора Людмила Лаврентіївна

МПК: G01N 23/22, G01N 23/02

Мітки: номера, речовини, ефективного, виявлення, значенням, спосіб, атомного

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера, що включає просвічування об'єкта дослідження рентгенівським випромінюванням і реєстрацію випромінювання, що пройшло через об'єкт, сцинтиляційними детекторами, які встановлюють у послідовності таким чином, що попередній детектор є енергетичним фільтром для наступних, з подальшим аналого-цифровим перетворенням і обробкою електричних сигналів, отриманих від зазначених...

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, германату, вісмуту

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук аiiвvi та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/48, H01L 31/0264

Мітки: напівпровідниковий, одержання, основі, сцинтиляційний, аiiвvi, матеріал, сполук, спосіб

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: основі, халькогенідів, цинку, спосіб, матеріалу, напівпровідникового, одержання, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Спосіб механічної обробки анізотропних кристалів, зокрема моноклінної сингонії

Завантаження...

Номер патенту: 71836

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Козлов Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Бабійчук Інна Петрівна, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна

МПК: B28D 5/00, B24B 1/00

Мітки: моноклінної, спосіб, кристалів, обробки, механічної, анізотропних, зокрема, сингонії

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення полотна з штапельного волокна з гірських порід і містить вузол виготовлення первинних волокон, камеру згоряння та щілинне сопло роздуву з щілинним каналом. Вказане сопло виконане симетрично відносно устя сопла з кутом розкриття 12° ± 2°, а поперечний переріз сопла на вході, як і поперечний переріз камери згоряння на виході, відносяться до поперечного перерізу устя сопла не менше як 5:1, при цьому щілинний канал має...

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 33/02

Мітки: матеріалу, легованого, домішкою, кристала, термообробки, основі, цинку, ізовалентною, селеніду, сцинтиляційного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Бабійчук Інна Петрівна, Катрунов Костянтин Олексійович, Бондар Валерій Григорійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/10

Мітки: обробки, термічної, свинцю, вольфрамату, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: матеріалу, цинку, основі, сцинтиляційного, спосіб, активованого, селеніду, напівпровідникового, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 5630

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: біологічно, активного, вимірювання, випромінювання, пристрій, персональний, ультрафіолетового

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається зі світлофільтра, який виділяє кожний з діапазону біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-xTex, де , а також...

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Воронкін Євгеній Федорович, Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 35/00

Мітки: термообробки, контейнер, напівпровідникових, кристалів

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Рентгеноінтроскопічний пристрій для дослідження об’єктів

Завантаження...

Номер патенту: 69466

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Свищ Володимир Митрофанович, Пашко Павло Володимирович, Рижиков Володимир Діомидович, Байбіков Вадим Володимирович

МПК: G01N 23/02, G01N 23/00

Мітки: пристрій, дослідження, об'єктів, рентгеноінтроскопічний

Формула / Реферат:

1. Рентгеноінтроскопічний пристрій для дослідження об'єктів, який містить розміщене з одного боку від об'єкта контролю джерело випромінювання з коліматором, а з другого - блок детектування, на якому встановлені сцинтиляційні кристали, що оптично зв'язані виходами з відповідними фоточутливими елементами блока детектування, виходи котрих підключені до відповідних входів блока перетворення струму у напругу, що з'єднаний виходами з відповідними...

Тигель для вирощування кристалів аiibvi

Завантаження...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, аiibvi, кристалів, тигель

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Детектор рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 63030

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Свищ Володимир Митрофанович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/00, H05G 1/00

Мітки: рентгенівського, випромінювання, детектор

Формула / Реферат:

Детектор рентгенівського випромінювання, який містить джерело світла, діафрагму, світлоділильну діафрагму, другий світлоподільник, два фотоприймачі, що приєднані виходами до відповідних входів диференційного підсилювача, який відрізняється тим, що додатково містить перетворювач рентгенівського випромінювання в ультразвукові коливання, який виконаний у вигляді металевого стрижня, та ідентичний до нього опорний стрижень, другий світлоподільник...

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 57145

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович, Коневський Віктор Семенович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/34

Мітки: спосіб, відпалу, ортосилікату, монокристалів, гадолінію

Формула / Реферат:

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 55388

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Даншин Євген Олександрович, Рижиков Володимир Діомидович, Махній Віктор Петрович, Поповський Юрій Віталійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Верін Віталій Євгенович, Авдеєнко Анатолій Антонович

МПК: G01J 1/00, G01J 1/42

Мітки: біологічно, ультрафіолетового, активного, вимірювання, випромінювання, персональний, пристрій

Формула / Реферат:

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається із світлофільтра та фотодетектора, у якому використаний селенід металу, та вимірювально-індикаторний блок, який відрізняється тим, що світлофільтр виконаний у вигляді набору елементів, кожний з яких виділяє один з діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, а...

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n-типу на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: основі, матеріалу, селеніду, n-типу, цинку, спосіб, напівпровідникового, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром

Завантаження...

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: одержання, основі, активованого, телуром, цинку, селеніду, спосіб, сцинтилятора

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Детектор іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 46134

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Квітницька Валентина Захарівна, Гаврилюк Володимир Петрович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Даншин Євгеній Олександрович, Волков Володимир Генадієвич, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/202

Мітки: випромінювання, детектор, іонізуючого

Формула / Реферат:

1.       Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:<  ...

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 15/36

Мітки: монокристалів, спосіб, гадолінію, вирощування, ортосилікату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 44547

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Байбіков Вадим Володимирович, Гальчинецький Леонід Павлович, Козин Дмитро Миколайович, Свищ Володимир Митрофанович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович

МПК: G01T 1/202

Мітки: система, рентгенівської, детектувальна, інтроскопії

Формула / Реферат:

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії, що містить послідовно розташовані низькоенергетичний та високоенергетичний сцинтиляційні детектори, а також фільтр, яка відрізняється тим, що сцинтилятор низькоенергетичного детектора та фільтр з'єднані у єдиний елемент, виконаний з кристала ZnSe(Te).