Рижиков Володимир Діомидович

Пристрій для контролю параметрів рентгенівських випромінювачів

Завантаження...

Номер патенту: 100966

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Ополонін Олександр Дмитрович, Волков Володимир Генадійович, Гриньов Борис Вікторович, Махота Сергій Володимирович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H05G 1/26, G01T 1/20

Мітки: рентгенівських, параметрів, контролю, пристрій, випромінювачів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю параметрів рентгенівських випромінювачів і поглинутої дози рентгенівського випромінювання, що містить не менше двох детекторних елементів типу сцинтилятор-фотодіод, один з яких виконаний на основі кристала селеніду цинку, активованого телуром, при цьому виходи фотодіодів підключені до операційних підсилювачів, виходи останніх підключені до аналого-цифрового перетворювача, який своїми входами і виходами з'єднаний з...

Комбінований детектор іонізуючого випромінювання, зокрема гамма-нейтронного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Сідельнікова Лідія Юріївна, Лалаянц Олександр Іванович, Сідлецький Олег Цезарович, Півень Леонід Олексійович, Літічевський Владислав Олександрович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Онищенко Геннадій Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: G01T 1/20, G01T 1/10, G01T 1/202 ...

Мітки: гамма-нейтронного, випромінювання, зокрема, детектор, іонізуючого, комбінований

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Малюкін Юрій Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Зеня Ігор Михайлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: цинку, сцинтиляційний, матеріал, основі, сульфіду

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Жуков Олександр Вікторович, Зеня Ігор Михайлович

МПК: C30B 29/48

Мітки: матеріалу, активованого, цинку, спосіб, сцинтиляційного, одержання, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Сцинтиляційна панель та спосіб її виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Літічевський Владислав Олександрович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: G01T 1/202

Мітки: панель, спосіб, виготовлення, сцинтиляційна

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок

Завантаження...

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Сосницька Ольга Олександрівна, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: B29D 11/00, G01T 1/202

Мітки: виготовлення, збірок, сцинтиляційних, багатоелементних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Спосіб реєстрації швидких нейтронів

Завантаження...

Номер патенту: 96428

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Онищенко Геннадій Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович, Півень Леонід Олексійович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: G01T 1/20, G01T 3/06

Мітки: спосіб, швидких, реєстрації, нейтронів

Формула / Реферат:

1. Спосіб реєстрації швидких нейтронів, заснований на механізмі непружного розсіювання швидких нейтронів у матеріалі конвертора, що включає перетворення каскаду гамма-квантів, що утворюються в результаті непружного розсіювання нейтронів у матеріалі конвертора з високим атомним номером, у серію світлових спалахів сцинтилятором, обробку сигналів, одержаних при реєстрації зазначених світлових спалахів, формування лічильних імпульсів із...

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Білецький Микола Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: уф-фотодіод, шотткі, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/10, C30B 29/46 ...

Мітки: спосіб, основі, цинку, одержання, напівпровідниковий, матеріал, активованого, селеніду, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Малогабаритний детектор швидких і теплових нейтронів

Завантаження...

Номер патенту: 92193

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Онищенко Геннадій Михайлович, Півень Леонід Олексійович

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектор, нейтронів, теплових, швидких, малогабаритний

Формула / Реферат:

Малогабаритний детектор швидких і теплових нейтронів, що містить датчик, виконаний на основі неорганічного сцинтилятора, оптично з'єднаного з фотодіодом, який з'єднано з блоком попередньої обробки сигналу, який відрізняється тим, що датчик розташований у свинцевому захисті, сцинтилятором є кристал силікату гадолінію або вольфрамату кадмію, фотодіод є лавинним фотодіодом, а блок попередньої обробки сигналу містить в собі підсилювач-формувач...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Шабашкевич Борис Григорович, Воронкін Євген Федорович, Галкін Сергій Миколайович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Рижиков Володимир Діомидович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0216, H01L 31/0264 ...

Мітки: діапазоні, шотткі, спектра, бар'єром, ультрафіолетовому, фотодіод, чутливий

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: термообробки, кристалів, активованих, цинку, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Рентгенографічний спосіб розпізнавання матеріалів та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 89318

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Найдьонов Сергій Вячеславович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01N 23/02

Мітки: рентгенографічний, пристрій, здійснення, спосіб, матеріалів, розпізнавання

Формула / Реферат:

1. Рентгенографічний спосіб розпізнавання матеріалів, що включає їх просвічування рентгенівським випромінюванням та реєстрацію випромінювання, яке пройшло через об'єкт, в декількох різних спектральних областях з різною ефективною енергією багатоелементними приймачами випромінювання, який відрізняється тим, що використовують квазімонохроматичне рентгенівське випромінювання, а реєстрацію випромінювання, яке пройшло через контрольований об'єкт,...

Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6

Завантаження...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович

МПК: C30B 29/48, C30B 13/00

Мітки: монокристалів, а2в6, сполук, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C01B 19/00, C30B 29/00, C01G 9/00 ...

Мітки: спосіб, цинку, селеніду, кристалів, термообробки, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Воронкін Євген Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Добровольський Юрій Георгійович, Шабашкевич Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264, H01L 31/0216 ...

Мітки: чутливий, бар'єром, фотодіод, ультрафіолетовому, шотткі, діапазоні, спектра

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Сенсор зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел

Завантаження...

Номер патенту: 38837

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01J 1/00

Мітки: виявлення, реєстрації, розміру, джерел, сенсор, точкових, зменшеного, ультрафіолетового, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Пристрій зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел, який має фотодіод (1) з додатковим світлофільтром (2), лінзу (3), який відрізняється тим, що згаданий діод є, наприклад, діодом Шотткі на основі, наприклад, селеніду цинку, розміщеним в центрі радіуса кривизни передньої поверхні згаданої лінзи, що має форму півсфери та побудована з матеріалу, що має велику дисперсію та коефіцієнт...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 35326

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Гордієнко Юрій Омелянович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Бендеберя Генадій Миколайович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: ультрафіолетового, пристрій, біологічно, активного, випромінювання, персональний, вимірювання

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002

Полірувальна суміш

Завантаження...

Номер патенту: 80070

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Козин Дмитро Миколайович, Ополонін Олександр Дмитрович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Квітницька Валентина Захарівна, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C09G 1/00, G01T 1/202

Мітки: суміш, полірувальна

Формула / Реферат:

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі lіf та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 79947

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Черніков Вячеслав Васильович, Галкін Сергій Миколайович, Литвинов Леонід Аркадійович, Рижиков Володимир Діомидович, Малко Юрій Борисович, Кольнер Володимир Борисович, Воронкін Євген Федорович, Кривоносов Євген Володимирович

МПК: G01T 1/20, C04B 35/553, G01V 5/00 ...

Мітки: сцинтиляційний, матеріал, керамічний, детектор, основі

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі LiF, який відрізняється тим, що, він додатково містить силікати рідкісноземельних елементів та/або тикор при співвідношенні основи до інших компонентів  10:(1-4), при цьому частинки силікатів рідкісноземельних елементів та/або тикору розміром 0,1-0,3 мм рівномірно розподілені в дисперсному середовищі частинок LiF того ж розміру.2. Детектор нейтронного випромінювання, який містить елементи...

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера

Завантаження...

Номер патенту: 77896

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Йон Кюн Кім, Джон Кьон Кім, Нагора Людмила Лаврентіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Зеня Ігор Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Спасов Володимир Григорович

МПК: G01N 23/02, G01N 23/22

Мітки: ефективного, виявлення, значенням, речовини, спосіб, атомного, номера

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера, що включає просвічування об'єкта дослідження рентгенівським випромінюванням і реєстрацію випромінювання, що пройшло через об'єкт, сцинтиляційними детекторами, які встановлюють у послідовності таким чином, що попередній детектор є енергетичним фільтром для наступних, з подальшим аналого-цифровим перетворенням і обробкою електричних сигналів, отриманих від зазначених...

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Бондар Валерій Григорійович, Кривошеін Вадим Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: спосіб, монокристалів, вісмуту, германату, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук аiiвvi та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційний, матеріал, основі, аiiвvi, одержання, сполук, напівпровідниковий, спосіб

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/48

Мітки: напівпровідникового, цинку, спосіб, матеріалу, сцинтиляційного, одержання, халькогенідів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Спосіб механічної обробки анізотропних кристалів, зокрема моноклінної сингонії

Завантаження...

Номер патенту: 71836

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Козлов Сергій Миколайович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Бабійчук Інна Петрівна

МПК: B28D 5/00, B24B 1/00

Мітки: сингонії, спосіб, кристалів, моноклінної, обробки, механічної, анізотропних, зокрема

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення полотна з штапельного волокна з гірських порід і містить вузол виготовлення первинних волокон, камеру згоряння та щілинне сопло роздуву з щілинним каналом. Вказане сопло виконане симетрично відносно устя сопла з кутом розкриття 12° ± 2°, а поперечний переріз сопла на вході, як і поперечний переріз камери згоряння на виході, відносяться до поперечного перерізу устя сопла не менше як 5:1, при цьому щілинний канал має...

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 33/02

Мітки: домішкою, легованого, селеніду, термообробки, спосіб, ізовалентною, сцинтиляційного, кристала, основі, цинку, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Бабійчук Інна Петрівна, Бондар Валерій Григорійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Пирогов Євген Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 29/10, C30B 33/02

Мітки: монокристалів, свинцю, вольфрамату, спосіб, термічної, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: одержання, активованого, цинку, сцинтиляційного, матеріалу, основі, спосіб, селеніду, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 5630

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: активного, вимірювання, випромінювання, персональний, біологічно, ультрафіолетового, пристрій

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається зі світлофільтра, який виділяє кожний з діапазону біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-xTex, де , а також...

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, напівпровідникових, термообробки, контейнер

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Рентгеноінтроскопічний пристрій для дослідження об’єктів

Завантаження...

Номер патенту: 69466

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Свищ Володимир Митрофанович, Пашко Павло Володимирович, Байбіков Вадим Володимирович

МПК: G01N 23/00, G01N 23/02

Мітки: об'єктів, рентгеноінтроскопічний, пристрій, дослідження

Формула / Реферат:

1. Рентгеноінтроскопічний пристрій для дослідження об'єктів, який містить розміщене з одного боку від об'єкта контролю джерело випромінювання з коліматором, а з другого - блок детектування, на якому встановлені сцинтиляційні кристали, що оптично зв'язані виходами з відповідними фоточутливими елементами блока детектування, виходи котрих підключені до відповідних входів блока перетворення струму у напругу, що з'єднаний виходами з відповідними...

Тигель для вирощування кристалів аiibvi

Завантаження...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тигель, вирощування, кристалів, аiibvi

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Детектор рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 63030

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Свищ Володимир Митрофанович

МПК: H05G 1/00, G01T 1/00

Мітки: випромінювання, детектор, рентгенівського

Формула / Реферат:

Детектор рентгенівського випромінювання, який містить джерело світла, діафрагму, світлоділильну діафрагму, другий світлоподільник, два фотоприймачі, що приєднані виходами до відповідних входів диференційного підсилювача, який відрізняється тим, що додатково містить перетворювач рентгенівського випромінювання в ультразвукові коливання, який виконаний у вигляді металевого стрижня, та ідентичний до нього опорний стрижень, другий світлоподільник...

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 57145

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Коневський Віктор Семенович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/34

Мітки: відпалу, спосіб, монокристалів, ортосилікату, гадолінію

Формула / Реферат:

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 55388

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Авдеєнко Анатолій Антонович, Поповський Юрій Віталійович, Махній Віктор Петрович, Верін Віталій Євгенович, Рижиков Володимир Діомидович, Даншин Євген Олександрович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: G01J 1/42, G01J 1/00

Мітки: персональний, випромінювання, вимірювання, активного, ультрафіолетового, пристрій, біологічно

Формула / Реферат:

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається із світлофільтра та фотодетектора, у якому використаний селенід металу, та вимірювально-індикаторний блок, який відрізняється тим, що світлофільтр виконаний у вигляді набору елементів, кожний з яких виділяє один з діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, а...

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n-типу на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: матеріалу, n-типу, одержання, спосіб, напівпровідникового, цинку, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром

Завантаження...

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: одержання, основі, телуром, сцинтилятора, цинку, селеніду, активованого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Детектор іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 46134

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Гаврилюк Володимир Петрович, Гриньов Борис Вікторович, Волков Володимир Генадієвич, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Квітницька Валентина Захарівна, Катрунов Костянтин Олексійович, Даншин Євгеній Олександрович

МПК: G01T 1/202

Мітки: випромінювання, детектор, іонізуючого

Формула / Реферат:

1.       Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:<  ...

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/36

Мітки: гадолінію, спосіб, ортосилікату, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 44547

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Свищ Володимир Митрофанович, Козин Дмитро Миколайович, Байбіков Вадим Володимирович

МПК: G01T 1/202

Мітки: рентгенівської, система, інтроскопії, детектувальна

Формула / Реферат:

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії, що містить послідовно розташовані низькоенергетичний та високоенергетичний сцинтиляційні детектори, а також фільтр, яка відрізняється тим, що сцинтилятор низькоенергетичного детектора та фільтр з'єднані у єдиний елемент, виконаний з кристала ZnSe(Te).