Рижиков Володимир Діомидович

Пристрій для контролю параметрів рентгенівських випромінювачів

Завантаження...

Номер патенту: 100966

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Ополонін Олександр Дмитрович, Волков Володимир Генадійович, Махота Сергій Володимирович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01T 1/20, H05G 1/26

Мітки: параметрів, випромінювачів, рентгенівських, контролю, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю параметрів рентгенівських випромінювачів і поглинутої дози рентгенівського випромінювання, що містить не менше двох детекторних елементів типу сцинтилятор-фотодіод, один з яких виконаний на основі кристала селеніду цинку, активованого телуром, при цьому виходи фотодіодів підключені до операційних підсилювачів, виходи останніх підключені до аналого-цифрового перетворювача, який своїми входами і виходами з'єднаний з...

Комбінований детектор іонізуючого випромінювання, зокрема гамма-нейтронного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Тупіцина Ірина Аркадіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Літічевський Владислав Олександрович, Галкін Сергій Миколайович, Сідлецький Олег Цезарович, Півень Леонід Олексійович, Сідельнікова Лідія Юріївна, Лалаянц Олександр Іванович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: G01T 1/20, G01T 1/10, G01T 1/202 ...

Мітки: детектор, іонізуючого, зокрема, випромінювання, комбінований, гамма-нейтронного

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Малюкін Юрій Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Лалаянц Олександр Іванович, Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційний, матеріал, основі, сульфіду, цинку

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Старжинський Микола Григорович, Жуков Олександр Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: матеріалу, активованого, селеніду, основі, цинку, сцинтиляційного, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Сцинтиляційна панель та спосіб її виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Літічевський Владислав Олександрович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/202

Мітки: панель, сцинтиляційна, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок

Завантаження...

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Сосницька Ольга Олександрівна, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: G01T 1/202, B29D 11/00

Мітки: спосіб, сцинтиляційних, багатоелементних, збірок, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Спосіб реєстрації швидких нейтронів

Завантаження...

Номер патенту: 96428

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Онищенко Геннадій Михайлович, Півень Леонід Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: G01T 1/20, G01T 3/06

Мітки: швидких, спосіб, нейтронів, реєстрації

Формула / Реферат:

1. Спосіб реєстрації швидких нейтронів, заснований на механізмі непружного розсіювання швидких нейтронів у матеріалі конвертора, що включає перетворення каскаду гамма-квантів, що утворюються в результаті непружного розсіювання нейтронів у матеріалі конвертора з високим атомним номером, у серію світлових спалахів сцинтилятором, обробку сигналів, одержаних при реєстрації зазначених світлових спалахів, формування лічильних імпульсів із...

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Білецький Микола Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264

Мітки: уф-фотодіод, бар'єром, шотткі

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Бреславський Ігор Анатолійович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, G01T 1/202 ...

Мітки: матеріал, напівпровідниковий, спосіб, основі, активованого, цинку, сцинтиляційний, селеніду, одержання

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Малогабаритний детектор швидких і теплових нейтронів

Завантаження...

Номер патенту: 92193

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Півень Леонід Олексійович, Онищенко Геннадій Михайлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектор, швидких, теплових, нейтронів, малогабаритний

Формула / Реферат:

Малогабаритний детектор швидких і теплових нейтронів, що містить датчик, виконаний на основі неорганічного сцинтилятора, оптично з'єднаного з фотодіодом, який з'єднано з блоком попередньої обробки сигналу, який відрізняється тим, що датчик розташований у свинцевому захисті, сцинтилятором є кристал силікату гадолінію або вольфрамату кадмію, фотодіод є лавинним фотодіодом, а блок попередньої обробки сигналу містить в собі підсилювач-формувач...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Добровольський Юрій Георгійович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/0216, H01L 31/0264, H01L 31/06 ...

Мітки: шотткі, діапазоні, спектра, бар'єром, чутливий, фотодіод, ультрафіолетовому

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/46 ...

Мітки: селеніду, цинку, спосіб, термообробки, кристалів, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Рентгенографічний спосіб розпізнавання матеріалів та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 89318

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Найдьонов Сергій Вячеславович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01N 23/02

Мітки: пристрій, здійснення, спосіб, матеріалів, розпізнавання, рентгенографічний

Формула / Реферат:

1. Рентгенографічний спосіб розпізнавання матеріалів, що включає їх просвічування рентгенівським випромінюванням та реєстрацію випромінювання, яке пройшло через об'єкт, в декількох різних спектральних областях з різною ефективною енергією багатоелементними приймачами випромінювання, який відрізняється тим, що використовують квазімонохроматичне рентгенівське випромінювання, а реєстрацію випромінювання, яке пройшло через контрольований об'єкт,...

Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6

Завантаження...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 13/00

Мітки: сполук, монокристалів, спосіб, вирощування, а2в6

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/00, C01G 9/00, C01B 19/00 ...

Мітки: цинку, селеніду, термообробки, спосіб, кристалів, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Шабашкевич Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Добровольський Юрій Георгійович, Воронкін Євген Федорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06, H01L 31/0216 ...

Мітки: шотткі, фотодіод, спектра, діапазоні, ультрафіолетовому, бар'єром, чутливий

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Сенсор зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел

Завантаження...

Номер патенту: 38837

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01J 1/00

Мітки: виявлення, сенсор, ультрафіолетового, реєстрації, зменшеного, джерел, точкових, розміру, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Пристрій зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел, який має фотодіод (1) з додатковим світлофільтром (2), лінзу (3), який відрізняється тим, що згаданий діод є, наприклад, діодом Шотткі на основі, наприклад, селеніду цинку, розміщеним в центрі радіуса кривизни передньої поверхні згаданої лінзи, що має форму півсфери та побудована з матеріалу, що має велику дисперсію та коефіцієнт...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 35326

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Гриньов Борис Вікторович, Бендеберя Генадій Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G02B 5/02, G01J 1/42

Мітки: вимірювання, пристрій, ультрафіолетового, активного, біологічно, випромінювання, персональний

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002

Полірувальна суміш

Завантаження...

Номер патенту: 80070

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Козин Дмитро Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Ополонін Олександр Дмитрович, Квітницька Валентина Захарівна

МПК: C09G 1/00, G01T 1/202

Мітки: полірувальна, суміш

Формула / Реферат:

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі lіf та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 79947

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович, Кольнер Володимир Борисович, Черніков Вячеслав Васильович, Кривоносов Євген Володимирович, Галкін Сергій Миколайович, Литвинов Леонід Аркадійович, Малко Юрій Борисович

МПК: G01V 5/00, G01T 1/20, C04B 35/553 ...

Мітки: основі, матеріал, керамічний, сцинтиляційний, детектор

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі LiF, який відрізняється тим, що, він додатково містить силікати рідкісноземельних елементів та/або тикор при співвідношенні основи до інших компонентів  10:(1-4), при цьому частинки силікатів рідкісноземельних елементів та/або тикору розміром 0,1-0,3 мм рівномірно розподілені в дисперсному середовищі частинок LiF того ж розміру.2. Детектор нейтронного випромінювання, який містить елементи...

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера

Завантаження...

Номер патенту: 77896

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Йон Кюн Кім, Зеня Ігор Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Джон Кьон Кім, Сілін Віталій Іванович, Спасов Володимир Григорович, Нагора Людмила Лаврентіївна

МПК: G01N 23/02, G01N 23/22

Мітки: виявлення, речовини, спосіб, номера, атомного, значенням, ефективного

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера, що включає просвічування об'єкта дослідження рентгенівським випромінюванням і реєстрацію випромінювання, що пройшло через об'єкт, сцинтиляційними детекторами, які встановлюють у послідовності таким чином, що попередній детектор є енергетичним фільтром для наступних, з подальшим аналого-цифровим перетворенням і обробкою електричних сигналів, отриманих від зазначених...

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: монокристалів, вісмуту, германату, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук аiiвvi та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: спосіб, основі, матеріал, напівпровідниковий, сцинтиляційний, одержання, аiiвvi, сполук

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/48

Мітки: основі, цинку, халькогенідів, одержання, напівпровідникового, сцинтиляційного, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Спосіб механічної обробки анізотропних кристалів, зокрема моноклінної сингонії

Завантаження...

Номер патенту: 71836

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Нагорна Людмила Лаврентієвна, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Бабійчук Інна Петрівна, Козлов Сергій Миколайович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: B28D 5/00, B24B 1/00

Мітки: кристалів, обробки, анізотропних, механічної, моноклінної, сингонії, зокрема, спосіб

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення полотна з штапельного волокна з гірських порід і містить вузол виготовлення первинних волокон, камеру згоряння та щілинне сопло роздуву з щілинним каналом. Вказане сопло виконане симетрично відносно устя сопла з кутом розкриття 12° ± 2°, а поперечний переріз сопла на вході, як і поперечний переріз камери згоряння на виході, відносяться до поперечного перерізу устя сопла не менше як 5:1, при цьому щілинний канал має...

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 33/02

Мітки: основі, спосіб, кристала, домішкою, селеніду, сцинтиляційного, цинку, матеріалу, легованого, ізовалентною, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорійович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Бабійчук Інна Петрівна, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 29/10, C30B 33/02

Мітки: монокристалів, вольфрамату, термічної, спосіб, обробки, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: селеніду, активованого, матеріалу, одержання, сцинтиляційного, спосіб, основі, напівпровідникового, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 5630

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: пристрій, активного, ультрафіолетового, біологічно, випромінювання, персональний, вимірювання

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається зі світлофільтра, який виділяє кожний з діапазону біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-xTex, де , а також...

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 35/00

Мітки: напівпровідникових, контейнер, термообробки, кристалів

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Рентгеноінтроскопічний пристрій для дослідження об’єктів

Завантаження...

Номер патенту: 69466

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Свищ Володимир Митрофанович, Байбіков Вадим Володимирович, Пашко Павло Володимирович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01N 23/00, G01N 23/02

Мітки: пристрій, об'єктів, дослідження, рентгеноінтроскопічний

Формула / Реферат:

1. Рентгеноінтроскопічний пристрій для дослідження об'єктів, який містить розміщене з одного боку від об'єкта контролю джерело випромінювання з коліматором, а з другого - блок детектування, на якому встановлені сцинтиляційні кристали, що оптично зв'язані виходами з відповідними фоточутливими елементами блока детектування, виходи котрих підключені до відповідних входів блока перетворення струму у напругу, що з'єднаний виходами з відповідними...

Тигель для вирощування кристалів аiibvi

Завантаження...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: аiibvi, вирощування, кристалів, тигель

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Детектор рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 63030

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Свищ Володимир Митрофанович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H05G 1/00, G01T 1/00

Мітки: випромінювання, детектор, рентгенівського

Формула / Реферат:

Детектор рентгенівського випромінювання, який містить джерело світла, діафрагму, світлоділильну діафрагму, другий світлоподільник, два фотоприймачі, що приєднані виходами до відповідних входів диференційного підсилювача, який відрізняється тим, що додатково містить перетворювач рентгенівського випромінювання в ультразвукові коливання, який виконаний у вигляді металевого стрижня, та ідентичний до нього опорний стрижень, другий світлоподільник...

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 57145

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Коневський Віктор Семенович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорійович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/34

Мітки: монокристалів, гадолінію, відпалу, спосіб, ортосилікату

Формула / Реферат:

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 55388

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Даншин Євген Олександрович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Поповський Юрій Віталійович, Верін Віталій Євгенович, Авдеєнко Анатолій Антонович, Махній Віктор Петрович

МПК: G01J 1/00, G01J 1/42

Мітки: ультрафіолетового, пристрій, випромінювання, активного, вимірювання, персональний, біологічно

Формула / Реферат:

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається із світлофільтра та фотодетектора, у якому використаний селенід металу, та вимірювально-індикаторний блок, який відрізняється тим, що світлофільтр виконаний у вигляді набору елементів, кожний з яких виділяє один з діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, а...

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n-типу на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: селеніду, напівпровідникового, матеріалу, одержання, n-типу, цинку, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром

Завантаження...

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: селеніду, спосіб, сцинтилятора, цинку, основі, одержання, активованого, телуром

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Детектор іонізуючого випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 46134

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Квітницька Валентина Захарівна, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Даншин Євгеній Олександрович, Волков Володимир Генадієвич, Гаврилюк Володимир Петрович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектор, випромінювання, іонізуючого

Формула / Реферат:

1.       Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:<  ...

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/36

Мітки: ортосилікату, гадолінію, монокристалів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 44547

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Козин Дмитро Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Байбіков Вадим Володимирович, Старжинський Микола Григорович, Свищ Володимир Митрофанович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектувальна, інтроскопії, система, рентгенівської

Формула / Реферат:

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії, що містить послідовно розташовані низькоенергетичний та високоенергетичний сцинтиляційні детектори, а також фільтр, яка відрізняється тим, що сцинтилятор низькоенергетичного детектора та фільтр з'єднані у єдиний елемент, виконаний з кристала ZnSe(Te).