Риган Михайло Юрійович

Спосіб створення зображення

Завантаження...

Номер патенту: 113516

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: G03F 7/30, G03C 1/705, C03C 15/00 ...

Мітки: створення, спосіб, зображення

Формула / Реферат:

Спосіб створення зображення, який включає нанесення на тверду поверхню плівки скла системи, яка містить миш'як, сірку та селен, локальне опромінення поверхні плівки та обробку її рідким протравлювачем, який містить етилендіамін та воду, який відрізняється тим, що в склад протравлювача додатково вносять суміш гідразингідрату та етиленгліколю, що містить 25-60 мас.% гідразингідрату при такому співвідношенні складових протравлювача, мас.%: ...

Спосіб очистки кадмію від цинку

Завантаження...

Номер патенту: 107955

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Ясінко Тамара Іванівна, Риган Михайло Юрійович, Пісак Роман Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 13/02, C22B 9/16, C22B 17/06 ...

Мітки: спосіб, кадмію, очистки, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб очистки кадмію від домішок цинку, який включає зонну плавку, який відрізняється тим, що в зразок, який очищають, попередньо вводять залізо в кількості, яка становить від 1,3 до 1,4 маси домішку цинку.

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x

Завантаження...

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Риган Михайло Юрійович, Гуранич Оксана Григорівна, Рубіш Василь Михайлович, Пісак Роман Петрович, Гуранич Павло Павлович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C30B 11/02 ...

Мітки: сегнетоелектричного, спосіб, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, синтезу, матеріалу, складу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Спосіб кристалізації селену

Завантаження...

Номер патенту: 103080

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Риган Михайло Юрійович, Пісак Роман Петрович, Горіна Ольга Володимирівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 13/00

Мітки: кристалізації, спосіб, селену

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації селену, який включає формування зливку вихідного матеріалу в герметичному контейнері продовгуватої форми, створення на одному із кінців зливку зони розплаву з підвищеною температурою та переміщення цієї зони вздовж зливка, який відрізняється тим, що на краю зливку створюють зону розплаву з температурою 250-280 °C, переміщують зону розплаву вздовж зливка зі швидкістю 30-80 мм/год., повертають зону розплаву у вихідне...

Спосіб регенерації відходів, які містять тіогалат талію

Завантаження...

Номер патенту: 101519

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: відходів, тіогалат, регенерації, спосіб, містять, талію

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять тіогалат талію, який включає розділення тіогалату талію на сполуки, одна з яких містить талій, а інша галій, який відрізняється тим, що вихідну речовину витримують в атмосфері кисню або повітря при температурі 400-450 °C протягом 0,5-1,0 години, після чого нагрівають до температури 900-950 °C і витримують при цій температурі протягом 2-3 годин в герметичному контейнері, частина якого...

Сегнетоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 106518

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Штець Петро Петрович, Гомоннай Олександр Васильович, Гомоннай Олександр Олександрович, Росул Роман Романович, Соломон Андрій Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович

МПК: H01L 41/18

Мітки: матеріал, сегнетоелектричний

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70, сульфід миш'яку решта.

Спосіб синтезу тіоіндату талію

Завантаження...

Номер патенту: 89870

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Перевузник Віра Петрівна, Риган Михайло Юрійович, Ясінко Тамара Іванівна

МПК: C01B 17/20

Мітки: талію, тіоіндату, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу тіоіндату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування ампули, нагрівання вмісту ампули до температури синтезу та охолодження ампули, який відрізняється тим, що талій та індій розміщують в одному кінці ампули, а сірку окремо від талію та індію, нагрівають ділянку ампули із талієм та індієм до температури 950-1000 °C, а сірку до температури 300-350 °C після чого...

Спосіб синтезу селеногалату талію

Завантаження...

Номер патенту: 81513

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00

Мітки: спосіб, синтезу, талію, селеногалату

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу селеногалату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування та заварювання ампули, нагрівання компонентів та охолодження, який відрізняється тим, що компоненти розміщують в одному кінці горизонтально встановленої ампули, який розміщують в робочу зону печі, інший кінець ампули при цьому перебуває поза робочою зоною печі, вміст ампули нагрівають до температури 270-290 °C,...

Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (tlins2)x(tlinse2)1-x

Завантаження...

Номер патенту: 80203

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Риган Михайло Юрійович, Гуранич Павло Павлович, Росул Роман Романович, Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Оксана Григорівна

МПК: C01G 15/00, H01L 41/39

Мітки: tlins2)x(tlinse2)1-x, одержання, матеріалу, сегнетоелектричного, спосіб, складу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричного матеріалу складу (TlInS2)x(TlInSe2)1-x, який включає синтез тіоіндату талію та селеноіндату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та подальшу кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження із швидкістю 30-60 К/год. до температури 500-520 °C, та проводять витримку при цій температурі протягом 4-8 годин та подальше...

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією

Завантаження...

Номер патенту: 100728

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Кляп Михайло Петрович, Гаврилко Петро Петрович, Ткаченко Віктор Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, пристрій, кристалізацією, направленою, кристалу

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією, який включає вертикально встановлену піч з нагрівачами опору і розміщену в ній ампулу із звуженим нижнім кінцем, який відрізняється тим, що він містить вставку у вигляді циліндра, розміщеного всередині печі з можливістю вертикального переміщення, механізм вертикального переміщення циліндра, ампула розміщена всередині циліндра і закріплена нерухомо щодо печі, а циліндр складається...

Полірувальна паста

Завантаження...

Номер патенту: 62263

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Перевузник Віра Петрівна, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: B24B 27/00

Мітки: полірувальна, паста

Формула / Реферат:

Полірувальна паста, яка містить подрібнений абразивний матеріал та органічний наповнювач, яка відрізняється тим, що як абразивний матеріал містить подрібнений цеоліт, а як органічний наповнювач - касторове масло, при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: цеоліт 40-60, касторове масло решта.

Дозатор газу

Завантаження...

Номер патенту: 61905

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Гаврилко Петро Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Ткаченко Віктор Іванович

МПК: G01F 11/00, G01N 1/22

Мітки: дозатор, газу

Формула / Реферат:

Дозатор газу, що містить робочу камеру з впускним та випускним патрубками, крани, який відрізняється тим, що робоча камера виготовлена у вигляді сильфона, розміщеного між опорними пластинами, встановленими перпендикулярно осі симетрії камери, одна із опорних пластин встановлена з можливістю переміщення вздовж осі симетрії камери, а вздовж осі симетрії камери встановлена шкала.

Спосіб градуювання термопари

Завантаження...

Номер патенту: 95047

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович, Шпирко Григорій Миколайович, БАНДУРИН ЮРІЙ АНАТОЛІЙОВИЧ, Ткаченко Віктор Іванович

МПК: G01K 7/02, G01K 15/00

Мітки: градуювання, термопари, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб градуювання термопари, який включає введення одного із спаїв термопари в тепловий контакт із зразком еталонної речовини з відомою температурою плавлення, нагрівання зразка еталонної речовини із спаєм термопари, вимірювання термоелектрорушійної сили термопари в момент плавлення зразка еталонної речовини, який відрізняється тим, що зразок еталонної речовини у вигляді пластини або дроту встановлюють горизонтально краями на опори, на...

Пристрій для різання матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 95044

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович, БАНДУРИН ЮРІЙ АНАТОЛІЙОВИЧ, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: B28D 5/04, H01L 21/304

Мітки: пристрій, матеріалу, різання

Формула / Реферат:

Пристрій для різання матеріалу, який містить перетворювач крутного моменту, несучу раму різального елемента, встановлену з можливістю зворотно-поступального руху, який відрізняється тим, що перетворювач крутного моменту виготовлений у вигляді диска, на периферії якого прикріплені магніти, полюси яких почергово розміщені в різні сторони, до несучої рами прикріплені два магніти таким чином, що периферійна частина диска знаходиться між...

Термостат

Завантаження...

Номер патенту: 60389

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Гаврилко Петро Петрович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: B01L 7/00

Мітки: термостат

Формула / Реферат:

Термостат, що містить корпус у вигляді ємності, в яку вмонтовано робочу камеру, нагрівач, систему регулювання температури, теплопередавальну рідину, який відрізняється тим, що додатково містить ємність зворотної подачі рідини, порожнина якої верхньою та нижньою частинами сполучена з порожниною корпусу, корпус та ємність зворотної подачі рідини заповнені рідиною частково і верхніми частинами сполучені з системою регулювання тиску газу над...

Реактор

Завантаження...

Номер патенту: 58611

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гаврилко Петро Петрович, Ткаченко Віктор Іванович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович

МПК: B01J 8/08

Мітки: реактор

Формула / Реферат:

Реактор, який містить корпус у вигляді вертикально встановленої ємності, кришку з отвором і внутрішній стакан, який відрізняється тим, що форма та розміри поперечного перерізу стакана у верхній частині відповідають формі і розмірам отвору в кришці, в нижній частині стакана є отвори, стакан має кришку, в яку вмонтовано випускний патрубок і встановлений з можливістю вертикального переміщення відносно до корпусу.

Сонячний водонагрівач

Завантаження...

Номер патенту: 53814

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Гаврилко Петро Петрович, Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович

МПК: F24J 2/24

Мітки: водонагрівач, сонячний

Формула / Реферат:

1. Сонячний водонагрівач, який містить плоский корпус із променепоглинаючою та тіньовою панелями, скріпленими по периметру, впускний та випускний патрубки, який відрізняється тим, що він додатково містить в порожнині корпуса принаймні одну розтяжку у вигляді продовгуватого тіла, розміщеного перпендикулярно поверхні панелей, прикріплену кінцями до панелей.2. Сонячний водонагрівач за п. 1, який відрізняється тим, що розтяжки виготовлені...

Сегнетоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 92332

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Шпак Анатолій Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович

МПК: H01L 41/18

Мітки: матеріал, сегнетоелектричний

Формула / Реферат:

1. Сегнетоелектричний матеріал, що містить сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить сульфід германію при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 55-95 сульфід германію решта. 2. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить склоподібний сульфід германію.3. Сегнетоелектричний матеріал за...

Хірургічний скальпель

Завантаження...

Номер патенту: 52831

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович

МПК: A61B 17/32

Мітки: хірургічний, скальпель

Формула / Реферат:

1. Хірургічний скальпель у вигляді продовгуватого тіла, що складається з передньої робочої частини з ріжучою кромкою та задньої несучої частини, робоча частина виготовлена з твердого матеріалу, який відрізняється тим, що матеріалом робочої частини є плавлений кварц.2. Хірургічний скальпель за п. 1, який відрізняється тим, що робоча і несуча частини виготовлені із однієї заготовки.3. Хірургічний скальпель за п. 1, який...

Спосіб регенерації відходів, які містять двооксид телуру

Завантаження...

Номер патенту: 91707

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Гасинець Степан Михайлович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C01B 19/00

Мітки: двооксид, спосіб, телуру, містять, регенерації, відходів

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять двоокис телуру, який включає введення оброблюваної речовини в контакт з відновником, який відрізняється тим, що як відновник використовують титан, а процес відновлення здійснюють при температурі 400-730 °С.

Сегнетоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 91201

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Шпак Анатолій Петрович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович

МПК: H01L 41/18

Мітки: сегнетоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що він додатково містить склоподібний селенід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми            50-97 селенід миш'яку                   решта.

Спосіб регенерації відходів, які містять селенід миш`яку

Завантаження...

Номер патенту: 90517

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Риган Михайло Юрійович, Гасинець Степан Михайлович

МПК: C01B 19/00, C22B 3/06, C01G 28/00 ...

Мітки: спосіб, миш'яку, регенерації, відходів, містять, селенід

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять селенід миш'яку, який відрізняється тим, що відходи обробляють азотною кислотою, після чого відділяють рідку фазу від твердого залишку, твердий залишок витримують в гарячій зоні градієнтної печі при температурі 350-400 °С, при цьому температура холодної зони градієнтної печі нижче 200 °С, а рідку фазу упарюють в контейнері при температурі 100-130 °С.

Спосіб синтезу стекол системи as-s-se

Завантаження...

Номер патенту: 90275

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Перевузник Віра Петрівна, Гасинець Степан Михайлович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C03B 5/00, C03C 3/12

Мітки: синтезу, системі, as-s-se, спосіб, стекол

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу стекол системи As-S-Se, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцевого скла, вакуумування ампули, нагрівання вмісту ампули до температури синтезу та охолодження ампули, який відрізняється тим, що сірку та селен розміщують в одному кінці ампули, а миш'як окремо від сірки та селену, нагрівають локально суміш сірки із селеном до температури 120-170 °С, витримують при цій температурі протягом 6-10...

Спосіб виділення миш’яку із його сульфіду

Завантаження...

Номер патенту: 81324

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C22B 30/00

Мітки: спосіб, виділення, миш'яку, сульфіду

Формула / Реферат:

Спосіб виділення миш'яку із його сульфіду, який включає окислення сульфіду і наступне введення в контакт з утвореним оксидом миш'яку відновника, який відрізняється тим, що як відновник беруть титан, а процес відновлення здійснюють в герметичному контейнері при температурі 300-500 °С.