Пузіков В’ячеслав Михайлович

Система зчитування даних з оптичного носія (варіанти)

Завантаження...

Номер патенту: 113418

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Манько Дмитро Юрійович, Горбов Іван Васильович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Косяк Ігор Васильович, Петров В'ячеслав Васильович, Беляк Євген В'ячеславович, Бородін Юрій Олександрович, Бутенко Лариса Василівна, Морозов Євгеній Михайлович, Крючин Андрій Андрійович, Лапчук Анатолій Степанович, Семиноженко Володимир Петрович, Шанойло Семен Михайлович

МПК: G11B 7/09, G11B 7/24

Мітки: носія, зчитування, варіанти, оптичного, система, даних

Формула / Реферат:

1. Система зчитування даних з оптичного носія, яка складається з джерела лазерного випромінювання, дифракційної ґратки, світлоподільного дзеркала, коліматорної лінзи, чвертьхвильової пластинки, фокусуючої лінзи, циліндричної лінзи, багатоплощадкового фотоприймача, яка відрізняється тим, що між дифракційною ґраткою та світлоподільним дзеркалом розміщено монокристалічну пластинку, яка має інверсне значення різниці показників заломлення...

Фосфід-індієвий діод ганна

Завантаження...

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Зайцев Борис Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Семенов Олександр Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Кудрик Ярослав Ярославович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Слєпова Олександра Станіславівна, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/861

Мітки: ганна, фосфід-індієвий, діод

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Спосіб отримання кристалічного матеріалу на основі рідкісноземельного ортованадату кальцію та лантату, активованого неодимом

Завантаження...

Номер патенту: 99224

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Шеховцов Олексій Миколайович, Назаренко Борис Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Космина Мирон Богданович

МПК: C30B 15/00

Мітки: лантату, активованого, матеріалу, основі, неодимом, рідкісноземельного, отримання, спосіб, кальцію, ортованадату, кристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного матеріалу на основі кристала рідкісноземельного ортованадату кальцію та лантану Ca9La(VO4)7, активованого неодимом, що включає отримання шихти, завантаження в тигель, вирощування кристала методом Чохральського, який відрізняється тим, що попередньо синтезують сполуки Ca9La(VO4)7 та Ca9Nd(VO4)7, перемішують у співвідношенні, щоб концентрація неодиму складала 0,5-5 мас.%, отриману шихту завантажують у...

Діод ганна на основі gan

Завантаження...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Слєпова Олександра Станіславівна, Голинна Тетяна Іванівна, Конакова Раїса Василівна, Семенов Олександр Володимирович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Сай Павло Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: діод, ганна, основі

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Датчик температури

Завантаження...

Номер патенту: 93207

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Холевчук Володимир Васильович, Семенов Олександр Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Мітін Вадим Федорович

МПК: G01K 1/00

Мітки: датчик, температури

Формула / Реферат:

1. Датчик для вимірювання температури, виготовлений у вигляді чипа, що містить в собі чутливий шар напівпровідникового матеріалу з омічними контактами, корпус якого складається з основи та кришки, електричних виводів для монтажу в вимірювальних колах, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний у вигляді епітаксійної плівки SiC, вирощеної на підкладці сапфіру, причому до сторони SiC сформовані омічні контакти Ті-Мо-Au, які мають...

Система зчитування даних з оптичного носія та оптичний носій для довготермінового зберігання даних

Завантаження...

Номер патенту: 106699

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Морозов Євгеній Михайлович, Шанойло Семен Михайлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Манько Дмитро Юрійович, Беляк Євген В'ячеславович, Петров В'ячеслав Васильович, Семиноженко Володимир Петрович, Горбов Іван Васильович, Бутенко Лариса Василівна, Лапчук Анатолій Степанович, Крючин Андрій Андрійович

МПК: G11B 7/24

Мітки: зберігання, система, довготермінового, оптичний, зчитування, носія, даних, оптичного, носій

Формула / Реферат:

1. Оптичний носій для довготермінового зберігання даних, який містить підкладку з монокристалічного матеріалу з рельєфною мікроструктурою для кодування записаної інформації, відбиваючий та захисний шар, який відрізняється тим, що підкладка виконана таким чином, що відхилення її кристалографічної осі від перпендикуляра до площини оптичного носія не перевищує 20 кутових хвилин, при цьому товщина підкладки становить 1,19…1,21 мм.2....

Термостійке покриття

Завантаження...

Номер патенту: 105396

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Іщенко Григорій Іванович, Дмитрик Віталій Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Вавілов Олександр Васильович

МПК: C23C 12/00, C23C 16/42, C23C 8/34 ...

Мітки: термостійке, покриття

Формула / Реферат:

Термостійке покриття, яке виконано двошаровим, перший перехідний шар містить матеріал поверхні, вуглець і кремній, а другий шар являє собою суміш фаз, яке відрізняється тим, що до складу суміші фаз другого шару входять нанокристалічні карбіди кремнію і нітриди кремнію.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів ближнього іч діапазону з дискретним перестроюванням частоти на основі ортованадату кальцію, активованого неодимом

Завантаження...

Номер патенту: 105337

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Шеховцов Олексій Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Назаренко Борис Петрович, Космина Мирон Богданович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Мітки: дискретним, основі, ближнього, неодимом, кристалічний, діапазону, перестроюванням, частоти, активних, елементів, матеріал, лазерів, активованого, ортованадату, кальцію

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів ближнього ІЧ діапазону з дискретним перестроюванням частоти на основі кристалу ортованадату кальцію, активованого неодимом, який відрізняється тим, що додатково містить в своєму складі домішку літію і створює твердий розчин заміщення Ca3-x/2Lix(VO4)2:Nd при 0,3£х£1, а вміст неодиму складає 0,5-5 мас. %.

Система зчитування даних з оптичного носія

Завантаження...

Номер патенту: 104961

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Морозов Євгеній Михайлович, Лапчук Анатолій Степанович, Петров В'ячеслав Васильович, Горбов Іван Васильович, Крючин Андрій Андрійович, Семиноженко Володимир Петрович, Шанойло Семен Михайлович, Бутенко Лариса Василівна, Манько Дмитро Юрійович, Беляк Євген В'ячеславович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G11B 7/00, G11B 7/24

Мітки: оптичного, носія, система, даних, зчитування

Формула / Реферат:

1. Система зчитування даних з оптичного носія, який має підкладку з високостабільного монокристалічного матеріалу, яка складається з лазера, фокусуючої лінзи, світлоподільного кубика, багатоплощадкового фотоприймача, дифракційної ґратки, чвертьхвильової пластинки, яка відрізняється тим, що між фокусуючою лінзою та оптичним носієм розміщено компенсуючу монокристалічну пластинку, яка має інверсне значення різниці показників заломлення...

Спосіб отримання активного лазерного середовища на основі sio2 матриці

Завантаження...

Номер патенту: 78036

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Маслов Вячеслав Васильович, Плаксій Анна Геннадіївна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Притула Ігор Михайлович, Безкровна Ольга Миколаївна

МПК: H01S 3/16

Мітки: отримання, основі, активного, середовища, лазерного, матриці, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання активного лазерного середовища на основі SiO2 матриці, що включає приготування при кімнатній температурі розчину з компонентів - тетраметоксисилану, метанолу, формаміду, азотної кислоти і води при перемішуванні, введення барвника з наступним перемішуванням, переливання отриманого розчину в герметичні контейнери, його нагрівання і сушіння, який відрізняється тим, що приготування розчину проводять при наступному мольному...

Спосіб вирощування легованих монокристалів kdp

Завантаження...

Номер патенту: 70409

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Безкровна Ольга Миколаївна, Копиловський Максим Андрійович, Притула Ігор Михайлович, Косінова Анна Володимирівна, Гайворонський Володимир Ярославович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Колибаєва Марія Іванівна

МПК: G02F 1/35, C30B 7/00

Мітки: легованих, вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів KDP, легованих наночастинками ТіО2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм, які вводять у розчин KDP у вигляді суспензії в концентрації 10-4-10-5 мас. %, що включає підготовку кристалізатора, приготування розчину солі КН2РО4 та його фільтрацію, виготовлення та встановлення затравки, підготовку домішки, перегрівання розчину впродовж доби, заливку розчину у кристалізатор, додавання домішки у розчин, вирощування...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96896

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Бабенко Галина Миколаївна

МПК: G01T 1/202

Мітки: монокристала, матеріал, дигідрофосфату, основі, сцинтиляційний, детектор, калію

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що додатково активований церієорганічним комплексом з коефіцієнтом когерентної спряженості від  до , причому концентрація церію (Се) в монокристалі складає від 0,01 до 0,001 мас. %.2. Сцинтиляційний...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96894

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: детектор, монокристала, сцинтиляційний, основі, матеріал, дигідрофосфату, амонію

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату амонію додатково активований талієм, причому концентрація активатора в монокристалі складає від 0,1 до 1,0 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала дигідрофосфату...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96893

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович

МПК: G01T 1/20

Мітки: детектор, калію, монокристала, основі, матеріал, дигідрофосфату, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату калію додатково активований талієм (Тl), причому концентрація активатора Тl в монокристалі складає від 0,01 до 0,1 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала...

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: перестроюванням, матеріал, кристалічний, середнього, основі, лазерів, цинку, діапазону, частоти, активних, елементів, селеніду

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 96653

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Воронов Олексій Петрович, Сало Віталій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Маковеєв Олександр Володимирович, Маковеєв Володимир Іванович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14, C30B 35/00 ...

Мітки: групи, монокристалів, калію, дигідрофосфату, здійснення, спосіб, пристрій, орієнтованих, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку на платформі в ростовій камері зародка, вирощування кристала методом рециркуляції розчинника, який відрізняється тим, що у первинний розчин додатково вводять іони заліза з концентрацією 1,0·10-4-3,0·10-4 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію

Завантаження...

Номер патенту: 96501

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Воронов Олексій Петрович, Сало Віталій Іванович, Маковеєв Олександр Володимирович, Маковеєв Володимир Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: монокристалів, орієнтованих, групи, калію, дигідрофосфату, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку в ростову камеру на платформі зародка, наповнення кристалізатора розчином, вирощування кристала, який відрізняється тим, що концентрація мікродомішок в первинному розчині складає не більше ніж 5,0·10‑5 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза

Завантаження...

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00, C30B 29/46 ...

Мітки: активних, основі, матеріал, частоти, заліза, елементів, перестроюванням, лазерів, діапазону, селеніду, легованого, іонами, кристалічний, середнього, цинку

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом

Завантаження...

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович, Федоренко Ольга Олександрівна, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00, C30B 29/46 ...

Мітки: елементів, основі, діапазону, частоти, хромом, лазерів, кристалічний, матеріал, середнього, перестроюванням, селеніду, активних, цинку, легованого

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Термостійке покриття і спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 93108

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Царюк Анатолій Корнілович, Лобанов Леонід Михайлович, Дмитрик Віталій Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: B23K 35/36, C23C 14/48

Мітки: одержання, покриття, спосіб, термостійке

Формула / Реферат:

1. Термостійке покриття з твердого вуглецевмісного матеріалу, яке виконано двошаровим, перший перехідний шар крім матеріалу поверхні додатково містить кремній, а другий зовнішній шар являє собою карбід кремнію чи легований карбід кремнію, яке відрізняється тим, що перший перехідний шар додатково містить титан в кількості 3-10 %, а другий зовнішній шар являє собою суміш карбіду кремнію (80-60 %) та карбіду титану (решта).2. Спосіб...

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 92595

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович

МПК: G01J 5/50, G01N 27/22

Мітки: електрофізичних, розподілу, кристалічних, матеріалах, неоднорідностей, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах шляхом переміщення електродів відносно поверхні зразка з одночасним вимірюванням в змінному електричному полі їх електрофізичних параметрів, який відрізняється тим, що на плоскому електроді розміщують еталонний зразок товщиною  з pівномірним розподілом діелектричної проникності

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного kdp

Завантаження...

Номер патенту: 49798

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Притула Ігор Михайлович, Копиловський Максим Андрійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Гайворонський Володимир Ярославович, Колибаєва Марія Іванівна, Косінова Анна Володимирівна

МПК: G02F 1/35, C30B 7/00

Мітки: монокристалічного, основі, матеріал, нелінійно-оптичний

Формула / Реферат:

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного KDP, що містить домішку, який відрізняється тим, що як домішки матеріал містить нанокристали ТіO2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм у концентрації 10-4-10-5 мас. %.

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Чуйко Олексій Сергійович, Терзін Ігор Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Олійник Сергій Володимирович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: напівпровідниках, спосіб, носіїв, нерівноважних, струму, часу, життя, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Олійник Сергій Володимирович, Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Морозов Дмитро Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович

МПК: G01R 31/26

Мітки: спосіб, електроопору, високоомних, питомого, розчинів, напівпровідників, твердих, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію

Завантаження...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Мірошников Юрій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Гринь Леонід Олексійович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 15/00, C30B 13/00, C30B 11/00 ...

Мітки: вирощування, оксиду, алюмінію, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру

Завантаження...

Номер патенту: 78462

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Стрілець Геннадій Васильович, Мірошников Юрій Петрович, Данько Олександр Якович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Качала Володимир Юхимович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Адонкін Георгій Тимофійович

МПК: C01F 7/02, C30B 29/20, C01F 7/46 ...

Мітки: сировини, одержання, вирощування, монокристалів, лейкосапфіру, глинозему, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру, який включає сплавку суміші глинозему з 0,4-0,6 мас. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, одержання продукту плавки в гарнісажі і його наступне дроблення, який відрізняється тим, що роздроблений глиноземний матеріал попередньо перед вирощуванням засипають у тигель з встановленою у ньому затравкою, тигель поміщають у камеру печі з графітовою...

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 77464

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович, Мигаль Валерій Павлович

МПК: G01J 1/10, G01N 21/63

Мітки: визначення, кристалічних, матеріалах, спосіб, центрів, фотоактивних

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективної діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині з використанням вимірювання при планарній та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку, визначення значень довжини хвилі λі фотозбудження як таких, що відповідають...

Термостійке покриття і спосіб його одержання (варіанти)

Завантаження...

Номер патенту: 65027

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович, Дмитрик Віталій Володимирович

МПК: B23K 35/36

Мітки: одержання, термостійке, варіанти, спосіб, покриття

Формула / Реферат:

Тримірний кістковий еквівалент-носій стромальних стовбурових клітин для заміщення дефектів кісток відноситься до біотехнології та медицини, зокрема до тканинної інженерії та клітинної терапії, може бути використаний при лікуванні пошкоджень та захворювань опорно-рухового апарату людини.Як найближчий аналог був покладений колагеновий гель-носій стромальних стовбурових клітин (ССК) який у своєму складі містить колаген І та III типів [1]....

Носій для довготермінового зберігання інформації

Завантаження...

Номер патенту: 73611

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Данько Олександр Якович, Бутенко Лариса Василівна, Семиноженко Володимир Петрович, Петров В'ячеслав Васильович, Шанойло Семен Михайлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Крючин Андрій Андрійович, Косско Ігор Олександрович

МПК: G11B 7/24, G11B 7/00

Мітки: інформації, зберігання, довготермінового, носій

Формула / Реферат:

1. Носій для довготермінового зберігання інформації, що складається з прозорої підкладки, на якій нанесено рельєфну мікроструктуру, якою записана кодована інформація, відбиваючого шару та захисного шару, який відрізняється тим, що підкладку виконано з монокристалічного матеріалу, наприклад лейкосапфіру з орієнтацією 0001 (с) завтовшки 0,5-1,4 мм, на якій селективним травленням створено рельєфну мікроструктуру завтовшки 80 -110 нм.2....

Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику

Завантаження...

Номер патенту: 65426

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович, Мигаль Валерій Павлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01N 13/10

Мітки: потенціалу, вимірювання, електростатичного, приповерхневого, спосіб, напівпровіднику

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику, що включає отримання залежності від довжини хвилі фотозбудження приросту ефективних значень діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка, побудову в комплексній площині відповідних діаграм, з яких визначається характеристична довжина хвилі λi та глибина залягання відповідного енергетичного рівня відносно верхньої межі валентної зони...

Термостійке покриття і спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 65027

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Дмитрик Віталій Володимирович

МПК: B23K 35/36

Мітки: покриття, спосіб, одержання, термостійке

Формула / Реферат:

Тримірний кістковий еквівалент-носій стромальних стовбурових клітин для заміщення дефектів кісток відноситься до біотехнології та медицини, зокрема до тканинної інженерії та клітинної терапії, може бути використаний при лікуванні пошкоджень та захворювань опорно-рухового апарату людини.Як найближчий аналог був покладений колагеновий гель-носій стромальних стовбурових клітин (ССК) який у своєму складі містить колаген І та III типів [1]....

Спосіб синтезу алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 50039

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C01B 31/06, C30B 29/04

Мітки: синтезу, алмазу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу алмазу, який включає осадження атомів вуглецю із середовища, що містить вуглець, у розплаві металу-каталізатора, який відрізняється тим, що як метал - каталізатор використовують метали з анізотропією швидкості кристалізації, аналогічною анізотропії швидкості кристалізації алмазу, і не взаємодіючи з вуглецем, осадження ведуть в умовах градієнту температур на запалювальні кристали алмазу.

Спосіб вирощування монокристалів дигідрофосфату калію

Завантаження...

Номер патенту: 44136

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Васильчук Валентина Григорівна, Сало Віталій Іванович, Чирва Людмила Артемівна, Колибаєва Марина Іванівна, Притула Ігор Михайлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: вирощування, калію, дигідрофосфату, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дигідрофосфату калію (КДР), що включає приготування первинного водного розчину солі дигідрофосфату калію і кристалізацію на затравку, який відрізняється тим, що затравку вирізують паралельно площині (001), а процес вирощування кристала проводять при температурі 80 - 90°С уздовж напрямку [001].

Пристрій для вимірювання заряду електретів

Завантаження...

Номер патенту: 24489

Опубліковано: 21.07.1998

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Стаднік Петро Омел'янович, Маліков Віталій Якович

МПК: H04R 19/00, G01T 1/02

Мітки: електретів, вимірювання, пристрій, заряду

Формула / Реферат:

Устройство для измерения заряда электретов, содержащее электрод с установленным на нем электретом, противоэлектрод электрета, измеритель амплитуды и усилитель электрических колебаний, вход которого подключен к противоэлектроду, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит шторку, закрепленную на валу электродвигателя и расположенную между электретом и противоэлектродом, при этом выход усилителя электрических колебаний подключен к...

Термостійке покриття

Завантаження...

Номер патенту: 19688

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Патон Борис Євгенович, Семиноженко Володимир Петрович, Мізяк Анатолій Сергійович, Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Момот Дмитро Іванович, Дмитрик Віталій Володимирович, Притула Сергій Іванович

МПК: C30B 29/04, C30B 23/02, B23K 10/02 ...

Мітки: покриття, термостійке

Формула / Реферат:

1. Термостойкое покрытие на поверхности сопел, мундштуков, сварочных горелок или плазмотронов, выполненное из твердого углеродсодержащего материала, отличающееся тем* что покрытие выполнено в виде алмазоподобной пленки углерода толщиной > 1000 Å, содержащей области из гексагонального алмаза, имеющего форму близкую к эллипсоиду вращения с осями величиной 9-10 Å и 5-6 Å, а граничные участки между ними представляют собой...

Пристрій з тунельним переходом

Завантаження...

Номер патенту: 16680

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович, Булдовський Володимир Олександрович, Дубоносов Володимир Леонідович, Черепков Олексій Іванович, Клембек Сергій Петрович

МПК: H01L 29/88

Мітки: переходом, пристрій, тунельним

Формула / Реферат:

Устройство с туннельным переходом, содержащее два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, слой диэлектрика и защитный слой выполнены из поликристаллической алмазной пленки.

Пристрій для обробки підложек іонами вуглецю

Завантаження...

Номер патенту: 16738

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: H01J 27/02

Мітки: вуглецю, пристрій, підложек, обробки, іонами

Формула / Реферат:

Устройство для обработки подложек ионами углерода, содержащее электрод-подложкодержатель с обрабатываемой подложкой и источник ионов дугоплазматронного типа с термокатодом, анодом, промежуточным анодом с полостью, в которой расположен графитовый тигель, электродом-экспандером и извлекающим электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности обработки за счет снижения энергозатрат на создание интенсивного пучка ионов углерода...

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 16707

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Піщік Валеріан Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 15/34

Мітки: монокристалів, профільованих, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Способ получения пластмассового сцинтиллятора, основанный на термической радикальной блочной полимеризации винил-ароматических мономеров, люминесцирующих добавок и металлсодержащих соединений, отличающийся тем, что, с целью повышения теплостойкости и прозрачности пластмассовых сцинтилляторов к свету собственной люминесценции при сохранении высокого светового выхода, в исходный состав в качестве металлсодержащих соединений вводят...

Спосіб одержання плівок алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 16718

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Мітки: алмазу, одержання, спосіб, плівок

Формула / Реферат:

Способ получения пленок алмаза, включаю­щий бомбардировку подложки потоком атомов или ионов углерода с энергией 10-100 эВ при комнат­ной температуре, отличающийся тем, что, с целью обеспечения монокристаллической структуры пленок, подложку размещают под углом 10-80° к потоку атомов или ионов углерода.   "

Пристрій для вимірювання поверхневого заряду електретів

Завантаження...

Номер патенту: 20589

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Стаднік Петро Омел'янович, Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Маліков Віталій Якович

МПК: G01R 29/24

Мітки: пристрій, електретів, поверхневого, вимірювання, заряду

Формула / Реферат:

Устройство для измерения поверхностного заряда электретов, содержащее акустический пре­образователь, мембрану, неподвижный электрод с установленным на нем электретом, противоэлектрод электрета, усилитель электрических колеба­ний, отличающееся тем, что устройство допол­нительно содержит шток, при этом противоэлектрод и неподвижный электрод с электретом включе­ны в цепь положительной обратной связи между штоком и усилителем электрических...