Піскач Людмила Василівна

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі cuin, cuga, cd ii s, se

Завантаження...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Лавренюк Зоряна Володимирівна, Марушко Лариса Петрівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: cuin, четверній, утворюються, cuga, гамма-твердих, розчинів, монокристалів, взаємній, системі, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі cugase2-cuinse2-2cdse

Завантаження...

Номер патенту: 95215

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Марушко Лариса Петрівна, Парасюк Олег Васильович, Лавринюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: гамма-твердих, утворюються, монокристалів, розчинів, спосіб, системі, одержання, cugase2-cuinse2-2cdse

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом...

Спосіб отримання монокристалів cdga2se4 з розчину-розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 43929

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Сосовська Світлана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Романюк Ярослав Євгенійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: розчину-розплаву, монокристалів, спосіб, отримання, cdga2se4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sb, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Sb2Se3, що нижче фазового перетворення і складає близько...

Спосіб отримання монокристалів cdga2se4

Завантаження...

Номер патенту: 43928

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Парасюк Олег Васильович, Панкевич Володимир Зіновійович, Юрченко Оксана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, cdga2se4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sn, синтез у розплаві сполуки CdGa2Se4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації низькотемпературної модифікації CdGa2Se4 в частині, близькій до метатектичної горизонталі системи CdGa2Se4-SnSe2,...

Спосіб отримання монокристалів cu2cdges4

Завантаження...

Номер патенту: 26253

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Романюк Ярослав Євгенович, Харькова Людмила Борисівна, Пехньо Василь Іванович, Уваров Віктор Миколайович, Волков Сергій Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Піскач Людмила Василівна, Янко Олег Георгійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Шпак Анатолій Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu2cdges4, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2CdGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів, попереднє проведення синтезу сплаву протягом 10-15 хв., обертання ампули зі сплавом та його витримування при температурі розплаву для примусової гомогенізації, охолодження до кімнатної температури, подрібнення сплаву до порошкоподібного стану, перевантаження шихти в ростову ампулу, отримання з неї гомогенного розплаву, нарощування...

Спосіб отримання монокристалів aggages4

Завантаження...

Номер патенту: 13783

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Харькова Людмила Борисівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Пехньо Василь Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Шпак Анатолій Петрович, Волков Сергій Васильович, Піскач Людмила Василівна, Уваров Віктор Миколайович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, aggages4, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgGaGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, S у відповідності із стехіометричним складом, синтез у розплаві сполуки AgGaGeS4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бриджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо проводять порційний синтез 2-3 г сплавів стехіометричного складу AgGaGeS4 протягом 10-15 хв, обертання ампул зі...