Переш Євген Юлійович

Середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5,63bi0,70se3,67

Завантаження...

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Габорець Наталія Йосипівна, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/16

Мітки: евтектики, tl5.63bi0.70se3.67, середньотемпературний, основі, термоелектрик

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (snse2)0,55(tlbise2)0,45

Завантаження...

Номер патенту: 113556

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: H01L 35/16, C22F 1/16

Мітки: snse2)0.55(tlbise2)0.45, евтектичного, обробки, термічної, сплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді.

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (і) бісмут (ііі) диселеніду tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Соломон Андрій Михайлович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 29/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: енергозберігаючого, спосіб, ііі, tlbise2, диселеніду, перспективного, синтезу, твердофазного, талій, термоелектрика, бісмут

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (snse2)0.55(tlbise2)0.45

Завантаження...

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C01G 29/00 ...

Мітки: покращення, евтектичного, термоелектричної, добротності, спосіб, сплаву, snse2)0.55(tlbise2)0.45

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Ефективний середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5.63bi0.70se3.67

Завантаження...

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Габорець Наталія Йосипівна

МПК: C01G 15/00, C01G 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: tl5.63bi0.70se3.67, термоелектрик, ефективний, евтектики, середньотемпературний, основі

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(і)гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович

МПК: C21D 1/60, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, ефективності, спосіб, термоелектричної, основі, сполуки, матеріалу, підвищення, tl9bise6

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик

Завантаження...

Номер патенту: 92529

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: альтернативний, середньотемпературний, tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03, термоелектрик, складу, основі, розчину, вихідного, матеріал, твердого

Формула / Реферат:

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (Tl9BiSe6)0,97(Tl4SnSe4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи snse2-tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: ефективності, сплаву, термоелектричної, підвищення, системі, спосіб, snse2-tlbise2, евтектичного

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (i) гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C21D 1/60, C01B 19/00, H01L 35/16 ...

Мітки: tl9bise6, ефективності, спосіб, матеріалу, основі, гексаселенобісмутиту, термоелектричної, нонаталій, сполуки, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2-bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, H01L 35/00 ...

Мітки: евтектичного, термоелектричний, snse2-bi2se3, матеріал, системі, композиту, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 19/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: композиту, tl4snse4-tl9bise6, основі, матеріал, системі, термоелектричний, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 17/00, C01G 15/00, C01G 19/00 ...

Мітки: монокристалів, одержання, матеріалу, талію(і, термоелектричного, тетратіостанату, tl4sns4, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі тl9вise6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: твердого, матеріал, основі, термоелектричний, розчину, системі, тl9вise6-tl4snse4

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/16, H01L 35/14, H01L 35/34 ...

Мітки: вигляді, moнokpиctaлib, матеріалу, tpиtioctaнatу, твердого, основі, одержання, талію, cпociб, розчину, tepmoeлektpичнoгo

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі tl9bіsе6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: tl9bіsе6-tl4snse4, матеріал, твердого, системі, розчину, основі, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, системі, композиту, термоелектричний, основі, tl4snse4-tl9bise6, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, основі, матеріал, системі, snse2, композиту, евтектичного, bi2se3

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 1/12 ...

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: тетратіостанату, покращення, талій, tl4sns4, монокристалів, добротності, спосіб, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3

Завантаження...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричної, добротності, талій, монокристалів, спосіб, покращення, tl2sns3, тритіостанату

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Спосіб одержання талію (і) – титану (iv) тетрасульфіду тl4тіs4

Завантаження...

Номер патенту: 70185

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Переш Євген Юлійович, Севрюков Дмитро Володимирович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01G 23/00, C01B 17/20 ...

Мітки: тl4тіs4, титану, тетрасульфіду, талію, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання талію (І)-титану (ІV) тетрасульфіду (Тl4ТіS4), який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти для синтезу у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальший відпал при 650 К, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні талій, титан і...

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану

Завантаження...

Номер патенту: 74445

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Севрюков Дмитро Володимирович, Сідей Василь Іванович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C01G 23/00, C01B 17/20, C01G 1/12 ...

Мітки: синтезу, титану, моносульфіду, модифікації, спосіб, поліморфної, нової

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану, який включає нагрівання вакуумованих до тиску 0,13 Па кварцових ампул, що містять дрібнодисперсні елементарні компоненти сірки та титану у стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють у безперервному режимі, при цьому максимальна температура синтезу становить 1173±25 К, а охолодження здійснюють у режимі...