Переш Євген Юлійович

Середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5,63bi0,70se3,67

Завантаження...

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Габорець Наталія Йосипівна, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/16

Мітки: термоелектрик, tl5.63bi0.70se3.67, середньотемпературний, основі, евтектики

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (snse2)0,55(tlbise2)0,45

Завантаження...

Номер патенту: 113556

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: H01L 35/16, C22F 1/16

Мітки: спосіб, евтектичного, сплаву, термічної, обробки, snse2)0.55(tlbise2)0.45

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді.

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (і) бісмут (ііі) диселеніду tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 29/00 ...

Мітки: спосіб, синтезу, перспективного, диселеніду, tlbise2, термоелектрика, енергозберігаючого, ііі, бісмут, талій, твердофазного

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (snse2)0.55(tlbise2)0.45

Завантаження...

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 29/00 ...

Мітки: сплаву, добротності, спосіб, покращення, евтектичного, snse2)0.55(tlbise2)0.45, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Ефективний середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5.63bi0.70se3.67

Завантаження...

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Габорець Наталія Йосипівна, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 29/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: основі, термоелектрик, ефективний, середньотемпературний, евтектики, tl5.63bi0.70se3.67

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(і)гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C21D 1/60 ...

Мітки: термоелектричної, підвищення, спосіб, ефективності, основі, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, tl9bise6, сполуки, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик

Завантаження...

Номер патенту: 92529

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: розчину, складу, твердого, середньотемпературний, основі, альтернативний, матеріал, вихідного, tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03, термоелектрик

Формула / Реферат:

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (Tl9BiSe6)0,97(Tl4SnSe4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи snse2-tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: евтектичного, підвищення, системі, сплаву, snse2-tlbise2, спосіб, ефективності, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (i) гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00, C21D 1/60 ...

Мітки: нонаталій, сполуки, ефективності, спосіб, tl9bise6, матеріалу, основі, гексаселенобісмутиту, підвищення, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2-bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01G 19/00, H01L 35/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термоелектричний, системі, snse2-bi2se3, евтектичного, матеріал, композиту, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, tl4snse4-tl9bise6, композиту, термоелектричний, основі, системі, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: C01G 19/00, C01G 15/00, C01G 17/00 ...

Мітки: спосіб, талію(і, tl4sns4, одержання, матеріалу, тетратіостанату, монокристалів, термоелектричного, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі тl9вise6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: системі, основі, твердого, матеріал, розчину, тl9вise6-tl4snse4, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/14, H01L 35/34, H01L 35/16 ...

Мітки: одержання, tepmoeлektpичнoгo, основі, moнokpиctaлib, матеріалу, cпociб, вигляді, твердого, розчину, талію, tpиtioctaнatу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі tl9bіsе6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: основі, системі, розчину, термоелектричний, твердого, tl9bіsе6-tl4snse4, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: tl4snse4-tl9bise6, основі, системі, матеріал, евтектичного, композиту, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: евтектичного, матеріал, bi2se3, композиту, snse2, системі, термоелектричний, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: C01G 15/00, C01G 1/12, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: спосіб, добротності, покращення, монокристалів, талій, тетратіостанату, термоелектричної, tl4sns4

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3

Завантаження...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: покращення, tl2sns3, спосіб, тритіостанату, термоелектричної, добротності, талій, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Спосіб одержання талію (і) – титану (iv) тетрасульфіду тl4тіs4

Завантаження...

Номер патенту: 70185

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Севрюков Дмитро Володимирович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 23/00, C01B 17/20, C01G 15/00 ...

Мітки: одержання, спосіб, тl4тіs4, талію, титану, тетрасульфіду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання талію (І)-титану (ІV) тетрасульфіду (Тl4ТіS4), який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти для синтезу у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальший відпал при 650 К, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні талій, титан і...

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану

Завантаження...

Номер патенту: 74445

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Сідей Василь Іванович, Севрюков Дмитро Володимирович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C01B 17/20, C01G 1/12, C01G 23/00 ...

Мітки: нової, модифікації, моносульфіду, титану, спосіб, поліморфної, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану, який включає нагрівання вакуумованих до тиску 0,13 Па кварцових ампул, що містять дрібнодисперсні елементарні компоненти сірки та титану у стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють у безперервному режимі, при цьому максимальна температура синтезу становить 1173±25 К, а охолодження здійснюють у режимі...