Переш Євген Юлійович

Середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5,63bi0,70se3,67

Завантаження...

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Габорець Наталія Йосипівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/16

Мітки: термоелектрик, основі, tl5.63bi0.70se3.67, евтектики, середньотемпературний

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (snse2)0,55(tlbise2)0,45

Завантаження...

Номер патенту: 113556

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/16, C22F 1/16

Мітки: термічної, евтектичного, спосіб, сплаву, snse2)0.55(tlbise2)0.45, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді.

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (і) бісмут (ііі) диселеніду tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C01G 29/00 ...

Мітки: синтезу, ііі, термоелектрика, енергозберігаючого, tlbise2, талій, перспективного, спосіб, твердофазного, диселеніду, бісмут

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (snse2)0.55(tlbise2)0.45

Завантаження...

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 29/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: добротності, сплаву, snse2)0.55(tlbise2)0.45, евтектичного, термоелектричної, спосіб, покращення

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Ефективний середньотемпературний термоелектрик на основі евтектики tl5.63bi0.70se3.67

Завантаження...

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Габорець Наталія Йосипівна, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01B 19/00, C01G 29/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tl5.63bi0.70se3.67, основі, ефективний, термоелектрик, евтектики, середньотемпературний

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(і)гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович

МПК: C21D 1/60, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tl9bise6, сполуки, основі, термоелектричної, підвищення, матеріалу, ефективності, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик

Завантаження...

Номер патенту: 92529

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00

Мітки: альтернативний, основі, термоелектрик, tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03, вихідного, розчину, складу, матеріал, середньотемпературний, твердого

Формула / Реферат:

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (Tl9BiSe6)0,97(Tl4SnSe4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи snse2-tlbise2

Завантаження...

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: термоелектричної, спосіб, ефективності, системі, сплаву, евтектичного, підвищення, snse2-tlbise2

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (i) гексаселенобісмутиту tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16, C21D 1/60 ...

Мітки: гексаселенобісмутиту, підвищення, матеріалу, tl9bise6, основі, нонаталій, спосіб, термоелектричної, ефективності, сполуки

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2-bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/00, C01G 19/00 ...

Мітки: snse2-bi2se3, основі, композиту, матеріал, евтектичного, системі, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: евтектичного, системі, tl4snse4-tl9bise6, композиту, матеріал, термоелектричний, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: C01G 17/00, C01G 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: термоелектричного, талію(і, монокристалів, тетратіостанату, основі, tl4sns4, спосіб, матеріалу, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі тl9вise6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: системі, твердого, матеріал, основі, тl9вise6-tl4snse4, термоелектричний, розчину

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16, H01L 35/34, H01L 35/14 ...

Мітки: tpиtioctaнatу, cпociб, матеріалу, основі, талію, вигляді, tepmoeлektpичнoгo, розчину, одержання, moнokpиctaлib, твердого

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі твердого розчину в системі tl9bіsе6-tl4snse4

Завантаження...

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: розчину, твердого, термоелектричний, основі, tl9bіsе6-tl4snse4, матеріал, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Завантаження...

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: композиту, tl4snse4-tl9bise6, евтектичного, основі, матеріал, термоелектричний, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2 -bi2se3

Завантаження...

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: композиту, евтектичного, системі, термоелектричний, основі, bi2se3, snse2, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 15/00, C01G 1/12, C01G 19/00 ...

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: тетратіостанату, талій, монокристалів, tl4sns4, спосіб, покращення, термоелектричної, добротності

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3

Завантаження...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: покращення, спосіб, термоелектричної, талій, tl2sns3, добротності, монокристалів, тритіостанату

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Спосіб одержання талію (і) – титану (iv) тетрасульфіду тl4тіs4

Завантаження...

Номер патенту: 70185

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Севрюков Дмитро Володимирович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01B 17/20, C01G 23/00, C01G 15/00 ...

Мітки: одержання, титану, талію, тетрасульфіду, тl4тіs4, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання талію (І)-титану (ІV) тетрасульфіду (Тl4ТіS4), який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти для синтезу у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальший відпал при 650 К, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні талій, титан і...

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану

Завантаження...

Номер патенту: 74445

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович, Севрюков Дмитро Володимирович, Сідей Василь Іванович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 1/12, C01G 23/00, C01B 17/20 ...

Мітки: моносульфіду, нової, титану, синтезу, поліморфної, спосіб, модифікації

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану, який включає нагрівання вакуумованих до тиску 0,13 Па кварцових ампул, що містять дрібнодисперсні елементарні компоненти сірки та титану у стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють у безперервному режимі, при цьому максимальна температура синтезу становить 1173±25 К, а охолодження здійснюють у режимі...