Панкевич Володимир Зіновійович

Спосіб одержання монокристалу ga5,94ln3,96er0,1se15

Завантаження...

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: одержання, спосіб, ga5,94ln3,96er0,1se15, монокристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Спосіб одержання монокристалу ga5,46ln4,47er0,07s15

Завантаження...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалу, спосіб, ga5,46ln4,47er0,07s15, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: in45)2s300, ga55, спосіб, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, одержання, напівпровідникових, халькогінідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Портативний пристрій для вимірювання каламутності природних вод

Завантаження...

Номер патенту: 87199

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Сомов Віктор Миколайович

МПК: G02B 27/00

Мітки: вимірювання, вод, природних, пристрій, портативний, каламутності

Формула / Реферат:

Портативний пристрій для вимірювання каламутності природних вод, що містить джерело світла та блок реєстрації інтенсивності світла, який відрізняється тим, що джерело світла виконане у вигляді світлодіоду, та спільно з блоком реєстрації інтенсивності світла вони розміщені у портативному кюветному блоці, при цьому блок реєстрації світла виконано у вигляді електричної схеми, що включає фотодіод та міліамперметр в режимі інвертованого...

Спосіб отримання монокристалів cdga2se4

Завантаження...

Номер патенту: 43928

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, cdga2se4, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sn, синтез у розплаві сполуки CdGa2Se4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації низькотемпературної модифікації CdGa2Se4 в частині, близькій до метатектичної горизонталі системи CdGa2Se4-SnSe2,...

Спосіб отримання монокристалів aggages4

Завантаження...

Номер патенту: 13783

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Уваров Віктор Миколайович, Харькова Людмила Борисівна, Шпак Анатолій Петрович, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Юрченко Оксана Миколаївна, Пехньо Василь Іванович, Парасюк Олег Васильович, Піскач Людмила Василівна, Волков Сергій Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: aggages4, отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgGaGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, S у відповідності із стехіометричним складом, синтез у розплаві сполуки AgGaGeS4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бриджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо проводять порційний синтез 2-3 г сплавів стехіометричного складу AgGaGeS4 протягом 10-15 хв, обертання ампул зі...