Олексеюк Іван Дмитрович

Спосіб одержання монокристалу ga5,94ln3,96er0,1se15

Завантаження...

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалу, ga5,94ln3,96er0,1se15, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Спосіб одержання монокристалу ga5,46ln4,47er0,07s15

Завантаження...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 1/00

Мітки: одержання, монокристалу, ga5,46ln4,47er0,07s15, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: in45)2s300, одержання, ga55, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, спосіб, напівпровідникових, монокристалів, халькогінідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Спосіб отримання монокристалів cu2cdges4

Завантаження...

Номер патенту: 26253

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Олексеюк Іван Дмитрович, Харькова Людмила Борисівна, Уваров Віктор Миколайович, Парасюк Олег Васильович, Волков Сергій Васильович, Романюк Ярослав Євгенович, Шпак Анатолій Петрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Пехньо Василь Іванович, Янко Олег Георгійович, Піскач Людмила Василівна

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu2cdges4, спосіб, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2CdGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів, попереднє проведення синтезу сплаву протягом 10-15 хв., обертання ампули зі сплавом та його витримування при температурі розплаву для примусової гомогенізації, охолодження до кімнатної температури, подрібнення сплаву до порошкоподібного стану, перевантаження шихти в ростову ампулу, отримання з неї гомогенного розплаву, нарощування...

Спосіб отримання монокристалів aggages4

Завантаження...

Номер патенту: 13783

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Піскач Людмила Василівна, Пехньо Василь Іванович, Шпак Анатолій Петрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Волков Сергій Васильович, Парасюк Олег Васильович, Уваров Віктор Миколайович, Харькова Людмила Борисівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, монокристалів, aggages4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgGaGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, S у відповідності із стехіометричним складом, синтез у розплаві сполуки AgGaGeS4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бриджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо проводять порційний синтез 2-3 г сплавів стехіометричного складу AgGaGeS4 протягом 10-15 хв, обертання ампул зі...

Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8

Завантаження...

Номер патенту: 28492

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Горгут Галина Петрівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновієвич

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, вирощування, aggage3se8, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощувана монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компоненів Ag,Ga,Ge,Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез і ріст проводять в одному й тому ж ростовому контейнері який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при слідуючих параметрах: температура в зоні розплаву ...

Контейнер для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 24447

Опубліковано: 17.07.1998

Автори: Олексеюк Іван Дмитрович, Горгут Галина Петрівна, Федонюк Анатолій Ананійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, монокристалів, контейнер

Формула / Реферат:

Контейнер для вирощування монокристалів, виконаний у формі циліндричної ампули з конусоподібним днищем та розташованою у вершині конуса днища грушеподібною камерою, яка з'єднана порожнинною шийкою з вершиною конуса днища, який відрізняється тим, що тигель додатково оснащений другою грушеподібною камерою, яка розташована під першою грушеподібною камерою і з'єднана з нею порожнинною шийкою, а кут при вершині конуса конусоподібного днища...

Спосіб вирощування монокристалів тl3рвсl5

Завантаження...

Номер патенту: 23481

Опубліковано: 02.06.1998

Автори: Давидюк Георгій Євлампійович, Падалко Анатолій Михайлович, Федонюк Анатолій Ананійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Олексеюк Світлана Теодорівна

МПК: C03B 11/04

Мітки: спосіб, монокристалів, тl3рвсl5, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ТІ3РbСІ5, включаючий компонування шихти з ТІСІ І РbСІ2 у відповідності iз стехіометричним складом, попередню очистку компонентів шихти, розплавлення останньої і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез І ріст проводять в одному І тому ж ростовому циліндричному тиглі з конусоподібним днищем, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристала ведуть при слідуючих...