Неймет Юрій Юрійович

Застосування матеріалу системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Олександр Олександрович, Молнар Золтан Рудольфович, Студеняк Ігор Петрович, Куцик Михайло Михайлович, Макауз Іван Іванович

МПК: G03C 1/705

Мітки: допомогою, плівках, матеріалу, застосування, інформації, ag-as-s, електронного, системі, запису, тонких, пучка

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Матеріал на основі системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Макауз Іван Іванович, Куцик Михайло Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Молнар Золтан Рудольфович, Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Олександр Олександрович

МПК: G03C 1/705, C03C 3/00

Мітки: інформації, електронного, допомогою, плівках, запису, основі, ag-as-s, тонких, матеріал, пучка, системі

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур для керування частотою плазмонного резонансу в некристалічних халькогенідах

Завантаження...

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Бучук Михайло Юрійович, Кокенєші Шандор, Куцик Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Пал Юрій Олександрович

МПК: H05H 1/42

Мітки: керування, частотою, спосіб, халькогенідах, резонансу, композитних, матеріалів, сандвіч-структур, вигляді, некристалічних, одержання, плазмонного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Спосіб одержання ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (ag3ass3)0,6 (as2s3)0,4

Завантаження...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Раті Йосип Йосипович, Кокенєші Олександр Олександрович, Петраченков Олександр Євгенович

МПК: B81C 1/00

Мітки: ag3ass3)0,6, віскерів, плівки, спосіб, одержання, поверхні, ag-вмісних, as2s3)0,4

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Мінець Юрій Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: застосування, йодид-пентатіофосфату, джерела, енергії, кераміки, основі, матеріалу, нанокристалічного, cu6ps5i, суперіонної, твердоелектролітичного, міді

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах

Завантаження...

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Рубіш Василь Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Поп Михайло Михайлович, Кокенєші Олександр Олександрович

МПК: C03C 23/00, C30B 28/00

Мітки: одержання, халькогенідних, шару, поверхневого, наноструктурованого, стеклах, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Неймет Юрій Юрійович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, твердоелектролітичного, основі, застосування, кераміки, джерела, нанокристалічного, енергії, йодид-пентатіофосфату, cu6ps5i, матеріалу, суперіонної

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Газовий лазер

Завантаження...

Номер патенту: 17169

Опубліковано: 18.03.1997

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Шевера Василь Степанович, Шуаібов Олександр Камілович

МПК: H01S 3/097

Мітки: газовий, лазер

Формула / Реферат:

1. Газовий лазер, який складається з системи електродів, системи предіонізації ультрафіолетовим (УФ) випромінюванням оптичного резонатора, блока живлення та вакуумно-газозмішувальної системи, який відрізняється тим, що конденсатори загострюючих ємностей розміщені безпосередньо біля електродів об'ємного розряду внутрі розрядної камери,2. Газовий лазер по п.1, який відрізняється тим, що конденсатори загострюючих ємностей з'єднані в два...