Неймет Юрій Юрійович

Застосування матеріалу системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Куцик Михайло Михайлович, Молнар Золтан Рудольфович, Макауз Іван Іванович

МПК: G03C 1/705

Мітки: допомогою, матеріалу, інформації, тонких, плівках, запису, електронного, системі, ag-as-s, застосування, пучка

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Матеріал на основі системи ag-as-s для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка

Завантаження...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Макауз Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Олександр Олександрович, Куцик Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Молнар Золтан Рудольфович

МПК: G03C 1/705, C03C 3/00

Мітки: системі, запису, пучка, тонких, основі, матеріал, ag-as-s, допомогою, інформації, плівках, електронного

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур для керування частотою плазмонного резонансу в некристалічних халькогенідах

Завантаження...

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Михайло Юрійович, Куцик Михайло Михайлович, Пал Юрій Олександрович, Кокенєші Шандор

МПК: H05H 1/42

Мітки: композитних, сандвіч-структур, керування, плазмонного, резонансу, одержання, частотою, матеріалів, вигляді, халькогенідах, спосіб, некристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Спосіб одержання ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (ag3ass3)0,6 (as2s3)0,4

Завантаження...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Петраченков Олександр Євгенович, Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович, Раті Йосип Йосипович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: B81C 1/00

Мітки: віскерів, as2s3)0,4, поверхні, одержання, ag-вмісних, ag3ass3)0,6, плівки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Сусліков Леонід Михайлович, Мінець Юрій Васильович, Бучук Роман Юрійович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: застосування, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, нанокристалічного, кераміки, джерела, твердоелектролітичного, міді, енергії, cu6ps5i, основі, суперіонної

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах

Завантаження...

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Олександр Олександрович, Поп Михайло Михайлович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C03C 23/00, C30B 28/00

Мітки: одержання, стеклах, шару, наноструктурованого, поверхневого, халькогенідних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Бучук Роман Юрійович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: джерела, нанокристалічного, енергії, cu6ps5i, міді, суперіонної, застосування, йодид-пентатіофосфату, основі, твердоелектролітичного, матеріалу, кераміки

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Газовий лазер

Завантаження...

Номер патенту: 17169

Опубліковано: 18.03.1997

Автори: Шуаібов Олександр Камілович, Неймет Юрій Юрійович, Шевера Василь Степанович

МПК: H01S 3/097

Мітки: лазер, газовий

Формула / Реферат:

1. Газовий лазер, який складається з системи електродів, системи предіонізації ультрафіолетовим (УФ) випромінюванням оптичного резонатора, блока живлення та вакуумно-газозмішувальної системи, який відрізняється тим, що конденсатори загострюючих ємностей розміщені безпосередньо біля електродів об'ємного розряду внутрі розрядної камери,2. Газовий лазер по п.1, який відрізняється тим, що конденсатори загострюючих ємностей з'єднані в два...