Малаховська Тетяна Олександрівна

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(і) триселеностанату(іі)-тi4snse3

Завантаження...

Номер патенту: 121133

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Когутич Антон Антонович, Філеп Михайло Йосипович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00, H01L 35/16, C01G 15/00 ...

Мітки: триселеностанату(іі)-тi4snse3, потужності, спосіб, покращення, полікристалічного, термоелектричної, тетраталію(і

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: C01G 19/00, C01G 17/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tl4sns4, талію(і, тетратіостанату, спосіб, термоелектричного, одержання, матеріалу, монокристалів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)

Завантаження...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/16, H01L 35/34, H01L 35/14 ...

Мітки: основі, талію, розчину, moнokpиctaлib, tepmoeлektpичнoгo, одержання, вигляді, матеріалу, cпociб, твердого, tpиtioctaнatу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 19/00, C01G 1/12, C01G 15/00 ...

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4

Завантаження...

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: спосіб, термоелектричної, талій, tl4sns4, добротності, тетратіостанату, монокристалів, покращення

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Термоелектричний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3

Завантаження...

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: тритіостанату, термоелектричної, tl2sns3, добротності, монокристалів, талій, покращення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.