Махній Віктор Петрович

Спосіб визначення висоти потенціального бар’єра контакту метал-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 122626

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, контакту, потенціального, висоті, визначення, метал-напівпровідник, бар'єра

Формула / Реферат:

Спосіб визначення висоти потенціального бар'єра  контакту метал-напівпровідник (КМН), що включає вимірювання при сталій температурі безструктурного спектра при енергіях фотонів , менших за ширину забороненої зони  напівпровідника, його...

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 120756

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, визначення, матеріалів, зони, ширини, напівпровідникових, забороненої

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони , що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання  не менше як трьох зразків різної товщини  конкретного напівпровідника, знаходження для кожного з них ширини...

Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках cd1-xmnxte (0,04<=x<=0,45)

Завантаження...

Номер патенту: 119883

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/477

Мітки: спосіб, створення, 0,04<=x<=0,45, підкладинках, наноструктури, cd1-xmnxte, поверхневої

Формула / Реферат:

Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках Cd1-xMnxTe (0,04≤x≤0,45), що включає механічне і хімічне полірування підкладинок та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 650±20 °C протягом часу, який визначають за емпіричним виразом tв=35+1,3·x, хв.

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/477

Мітки: поверхні, цинку, кристалів, обробки, селеніду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-gap

Завантаження...

Номер патенту: 113671

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Герман Іванна Іванівна, Склярчук Валерій Михайлович, Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, контакту, метал-gap, фотодіодa, виготовлення, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-GaP, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічного та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що підкладинки n-GaP травлять у розплаві KOH:NaNO3=1:50 при температурі 500±50 °C протягом 20±10 хв., далі на них термічним напиленням у вакуумі наносять напівпрозору плівку Ni, що є випрямляючим контактом.

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 108960

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Фочук Петро Михайлович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C01G 15/00

Мітки: отримання, арсеніду, галію, шарів, спосіб, поруватих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватих шарів арсеніду галію, що включає механічне полірування підкладинки та її хімічне травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розплаві KОН:NaNO3 (y масовому співвідношенні 1:25, відповідно) при температурі 500-700 °C протягом 20-40 хвилин.

Спосіб виготовлення гетерошарів cdte гексагональної модифікації

Завантаження...

Номер патенту: 108145

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, виготовлення, гексагональної, модифікації, гетерошарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів CdTe гексагональної модифікації, що включає підготовку базової підкладинки та її відпал у парі ізовалентної домішки, який відрізняється тим, що підкладинкою слугує пластинка a-CdSe, відпал якої проводиться у парі Те при температурі 600-900 °C.

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, забороненої, визначення, ширини, матеріалів, зони, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Спосіб легування кристалів znse<te> рідкісноземельними елементами

Завантаження...

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Сенко Ілля Михайлович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00, C30B 25/00

Мітки: легування, елементами, кристалів, спосіб, znse<te&#62, рідкісноземельними

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Спосіб отримання шарів cdte з дірковою провідністю

Завантаження...

Номер патенту: 107086

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Герман Іванна Іванівна, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: шарів, дірковою, отримання, спосіб, провідністю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів CdTe з дірковою провідністю, що включає механічне та хімічне полірування підкладинок n-CdTe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у киплячій водній суспензії солі Ва(NО3)2 не менше 10 хв.

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95790

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Ульяницький Констянтин Сергійович

МПК: C30B 31/06

Мітки: отримання, cd1-xmnxte, напівізолюючих, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.

Спосіб виготовлення фотодіода gaas/gap

Завантаження...

Номер патенту: 87410

Опубліковано: 10.02.2014

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: виготовлення, фотодіодa, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода GaAs/GaP, що включає створення гетерошару на напівпровідниковій підкладинці шляхом відпалу у вакуумованій ампулі в присутності шихти, який відрізняється тим, що відпал підкладинок n-GaP проводять в ізотермічних умовах у присутності шихти GaAs при температурі 850±50 °C.

Спосіб виготовлення фотоелемента з гетеропереходом cdte/cds

Завантаження...

Номер патенту: 85098

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Махній Віктор Петрович, Барасюк Ярослав Миколайович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, фотоелемента, гетеропереходом, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотоелемента з гетеропереходом CdTe/CdS, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок n-CdS та їх відпал у парі Те при температурі 800-1000 К, який відрізняється тим, що відпал проводять у відкачаній до 10-4 Торр кварцовій ампулі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал проводиться у присутності шихти складу Те:СdТе:Li2СО3=3:1:0,1, при температурі 820±20 К.

Спосіб виготовлення гетерошарів zno з ультрафіолетовою люмінесценцією

Завантаження...

Номер патенту: 78538

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/0272, H01L 21/324, C30B 31/00 ...

Мітки: люмінесценцією, виготовлення, гетерошарів, спосіб, ультрафіолетовою

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів ZnO з ультрафіолетовою люмінесценцією, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnSe та синтез гетерошарів ZnO, який відрізняється тим, що перед синтезом гетерошарів ZnO підкладинки ZnSe відпалюють на повітрі при температурі 500±10 °C протягом 10 хв.

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією

Завантаження...

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: H01L 21/324, C30B 31/00, H01L 31/0272 ...

Мітки: селеніду, отримання, блакитною, цинку, люмінесценцією, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Спосіб легування кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, спосіб, селеніду, легування, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Спосіб виготовлення гетероструктур cdse/cdte методом ізовалентного заміщення

Завантаження...

Номер патенту: 67793

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: методом, заміщення, виготовлення, ізовалентного, спосіб, гетероструктур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетероструктур CdSe/CdTe шляхом ізовалентного заміщення, який відрізняється тим, що процес проводять у відкачаній до 10-4 тор і запаяній кварцовій ампулі, в якій знаходяться підкладинка CdTe і наважка Se при температурах 500-800 °C.

Спосіб визначення температури кюрі напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 67458

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: визначення, матеріалів, напівпровідникових, спосіб, кюрі, температури

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури Кюрі напівпровідникових матеріалів, що включає її знаходження шляхом розрахунку, який відрізняється тим, що для матеріалу. експериментально визначають енергію поздовжнього оптичного фонона, а температуру Кюрі визначають з виразу, Κ,де енергія поздовжнього фонона

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації

Завантаження...

Номер патенту: 65584

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, кубічної, спосіб, кадмію, селеніду, модифікації, гетерошарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.

Детектор ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 65566

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Мельник Володимир Васильович, Орлецький Іван Григорович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: ультрафіолетового, випромінювання, детектор

Формула / Реферат:

Детектор ультрафіолетового випромінювання, який складається з низькоомної підкладинки n-ZnSe, випрямляючого та омічного контактів, який відрізняється тим, що випрямляючим контактом є шар SnО2, який наносять методом пульверизації з наступним піролізом.

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62626

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Косоловський Василь Васильович, Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/06

Мітки: спосіб, кадмію, телуриду, кристалів, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію, що включає їх відпал у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі легуючої домішки Mg при температурі 820-900 °С.

Спосіб використання поверхнево-бар’єрного детектора ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 56873

Опубліковано: 25.01.2011

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, використання, випромінювання, поверхнево-бар'єрного, детектора, ультрафіолетового

Формула / Реферат:

1. Спосіб використання поверхнево-бар'єрного детектора ультрафіолетового випромінювання, що включає вимірювання сигналу у робочому спектральному діапазоні, який відрізняється тим, що поверхнево-бар'єрний детектор експлуатують при оберненій напрузі V0.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину V0 визначають як напругу, при якій починається насичення залежності монохроматичної струмової чутливості SI на будь-якій...

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю

Завантаження...

Номер патенту: 56872

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Скрипник Микола Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 25/00, H01L 21/00, C30B 31/00 ...

Мітки: цинку, спосіб, провідністю, телуриду, отримання, шарів, електронною

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50 °С.

Спосіб отримання гетерошарів оксиду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 54021

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Кінзерська Оксана Володимирівна, Хуснутдінов Сергій Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: оксиду, отримання, цинку, гетерошарів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетерошарів оксиду цинку, що включає підготовку базових підкладинок халькогенідів цинку (ZnTe, ZnSe і ZnS) та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що перед відпалом на повітрі підкладинки легують 3d-елементами методом дифузії у закритому об'ємі з парової фази.

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю

Завантаження...

Номер патенту: 54018

Опубліковано: 25.10.2010

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, цинку, шарів, провідністю, селеніду, дірковою, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок ZnSe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності подрібненої шихти GaP або GaAs при температурі 850±50 °С.

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів

Завантаження...

Номер патенту: 46928

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, домішками, цинку, металів, спосіб, перехідних, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів, що включає підготовку базових підкладинок ZnSe та їх відпал у запаяній ампулі з перехідним металом, який відрізняється тим, що відпал проводять при температурі 1473±5 К у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі, в одній частині якої знаходиться підкладинка, а в протилежній частині, покритій шаром пірографіту, - елементарний Se та подрібнений перехідний метал з ряду Ті, V, Cr,...

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-cdte

Завантаження...

Номер патенту: 40056

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Скрипник Микола Володимирович, Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович

МПК: H01L 31/00

Мітки: основі, контакту, фотодіодa, виготовлення, метал-n-cdte, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-CdTe, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами відпалюють на повітрі при температурі 520±5 °С протягом 10±2 хв.

Спосіб виготовлення контакту метал – n-cdte

Завантаження...

Номер патенту: 31891

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Скрипник Микола Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/18

Мітки: метал, спосіб, n-cdte, контакту, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення контакту метал - n-CdTe, при якому проводять механічне та хімічне полірування підкладинок, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами кип'ятять у водній суспензії одного з карбонатів лужних металів (Li2CO3, К2СО3, Nа2СО3) не менше 10 хв.

Спосіб виготовлення гетерошарів оксиду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 31870

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Хуснутдінов Сергій Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: спосіб, оксиду, виготовлення, гетерошарів, цинку

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гетерошарів оксиду цинку, що включає підготовку базових підкладинок халькогенідів цинку (ZnTe, ZnSe і ZnS) та їх відпал, який відрізняється тим, що підготовка підкладинок здійснюється шляхом механічної та хімічної обробок підкладинок, а їх відпал проводять на повітрі при температурах 650-1150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал підкладинок ZnTe проводять при температурах 650 – 850 °С.3....

Спосіб виготовлення гетеропереходів на основі сульфоселенідів кадмію або цинку

Завантаження...

Номер патенту: 69980

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: гетеропереходів, спосіб, кадмію, основі, цинку, виготовлення, сульфоселенідів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гетеропереходів на основі сульфоселенідів кадмію або цинку, що включає відпал кристалів сульфіду кадмію або сульфіду цинку в парі селену, який відрізняється тим, що відпал проводять в атомарній парі селену.2. Спосіб за п. 1, в якому перевід пари молекулярного селену в атомарний стан здійснюють ультрафіолетовим випромінюванням.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал кристалів сульфіду кадмію...

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням

Завантаження...

Номер патенту: 66046

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Ткаченко Ірина Володимирівна, Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: свіченням, отримання, селеніду, шарів, цинку, спосіб, зеленим

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.

Спосіб легування кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 65074

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, спосіб, цинку, селеніду, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.

Спосіб обробки поверхні кристалів cd1-xznxte

Завантаження...

Номер патенту: 65010

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: H01L 21/477

Мітки: спосіб, cd1-xznxte, кристалів, обробки, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.

Детектор областей біологічної дії ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 63549

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00

Мітки: дії, біологічно, областей, детектор, випромінювання, ультрафіолетового

Формула / Реферат:

1. Детектор областей біологічної дії ультрафіолетового випромінювання, що складається з фотоприймача та світлофільтра, який відрізняється тим, що як фотоприймач використовують поверхнево-бар'єрний фотодіод Ni-ZnSe та комплект змінних світлофільтрів.2. Детектор за п. 1, який відрізняється тим, що для виділення бактерицидної області у ньому як світлофільтр використовують абсорбційний світлофільтр типу БС3.3. Детектор за п. 1, який...

Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю

Завантаження...

Номер патенту: 63548

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: C30B 31/00

Мітки: дірковою, провідністю, шарів, сульфоселенідів, цинку, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів сульфоселенідів цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки та відпал кристалів, який відрізняється тим, що відпал кристалів проводять у насиченій парі індію при температурі 700-850°С.

Спосіб компенсації провідності кристалів cd1-xznxte

Завантаження...

Номер патенту: 62650

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, спосіб, cd1-xznxte, компенсації, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.

Спосіб виготовлення контакту метал-халькогенід цинку

Завантаження...

Номер патенту: 58941

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: контакту, виготовлення, спосіб, метал-халькогенід, цинку

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення контакту метал-халькогенід цинку, що включає створення омічного та випростовуючого контактів, який відрізняється тим, що діод додатково обробляють у розчині, який дозволяє отримати шар високоомного ZnO на вільній від контактів поверхні кристалу.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що обробку здійснюють у 3-6 % розчині Н2О2 при кімнатній температурі протягом 2,5±0,5 годин.

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 55388

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Поповський Юрій Віталійович, Махній Віктор Петрович, Даншин Євген Олександрович, Авдеєнко Анатолій Антонович, Верін Віталій Євгенович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01J 1/42, G01J 1/00

Мітки: випромінювання, персональний, активного, пристрій, біологічно, ультрафіолетового, вимірювання

Формула / Реферат:

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається із світлофільтра та фотодетектора, у якому використаний селенід металу, та вимірювально-індикаторний блок, який відрізняється тим, що світлофільтр виконаний у вигляді набору елементів, кожний з яких виділяє один з діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, а...

Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 54946

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Афанасьєва Сніжана Валентинівна, Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00

Мітки: випромінювання, детектора, спосіб, ультрафіолетового, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі низькоомного селеніду цинку, що включає утворення омічного і випрямного контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямного контакту проводять додаткову обробку поверхні напівпровідникової підкладинки у травнику, який взаємодіє з ZnO і не взаємодіє з ZnSe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення здійснюють у оцтовій есенції при...

Спосіб виготовлення омічних контактів до діодних структур на основі напівпровідникових сполук типу а(нижній індекс 3) в(нижній індекс 5)

Завантаження...

Номер патенту: 16578

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 21/28

Мітки: індекс, напівпровідникових, основі, а(нижній, діодних, структур, виготовлення, в(нижній, спосіб, типу, контактів, омічних, сполук

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, отличающийся  тем, что, с целью упрощения способа, проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны n-типа, в качестве химически осаждаемого металла...