Любинський Вадим Рувинович

Номер патенту: 98077

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Гектін Олександр Вульфович, Любинський Вадим Рувинович

МПК: C01D 3/12, C01B 9/00

Мітки: цезію, спосіб, натрію, одержання, монокристалів, вирощування, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду цезію або йодиду натрію для вирощування монокристалів, що включає проведення хімічної взаємодії йоду з гідроксидом цезію або з гідроксидом натрію у присутності перекису водню, сушіння одержаної сировини, який відрізняється тим, що для поліпшення якості вихідного продукту за рахунок ліквідації остаточної вологи в сировині остаточне сушіння сировини проводять безпосередньо в бункерах для засипки в ростову установку при...

Номер патенту: 80455

Опубліковано: 25.09.2007

Автори: Любинський Вадим Рувинович, Гриньов Борис Вікторович, Лебедєв Валентин Миколайович, Некрасов Василь Володимирович, Бороденко Юрій Опанасович, Сенчишин Віталій Георгійович, Півень Леонід Олексійович

МПК: G01T 1/00, G01T 3/00

Мітки: виявлення, випромінювання, нейтронного, гамма, система, радіометрична

Формула / Реферат:

Радіометрична система виявлення гамма- і нейтронного випромінювання, що містить вимірювальні стійки з поміщеними в них блоками детектування гамма-випромінювання на основі пластмасового сцинтилятору і нейтронного випромінювання, блоком живлення і електронними блоками обробки інформації, а також розташовані зовні стійки, які містять блоки керування системою, звуковою і світловою сигналізацією і датчик наявності об'єкта, при цьому всі вказані...

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Радкевич Олексій Вікторович, Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович, Неменов Віктор Олександрович, Любинський Вадим Рувинович

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Мітки: монокристалів, вирощування, лужногалоідних, спосіб, активованих

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...

Номер патенту: 6392

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Любинський Вадим Рувинович, Кисіль Іван Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалів, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

(57) Устройство для выращивания кристаллов, включающее ампулу с конусным дном, вертикально установленную в коаксиальном нагревателе на подставке, имеющей углубление, соответствующее углу конуса и снабженной средством для инициирования кристаллизации, и средство для направленной кристаллизации в цилиндрической части ампулы, соединенное с механизмом его вертикального перемещения, отличающееся тем, что средство для инициирования кристаллизации в...