Краньчец Младен

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію

Завантаження...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: функціональних, пристроїв, галію-індію, основі, розчину, матеріал, напівпровідникового, селеніду, оптоелектроніки, твердого, монокристалів

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Матеріал на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G02F 1/29

Мітки: розчину, пристроїв, селеніду, галію-індію, функціональних, оптоелектроніки, матеріал, напівпровідникового, основі, твердого

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію

Завантаження...

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: напівпровідникового, функціональних, пристроїв, розчину, матеріал, оптоелектроніки, основі, селеніду, галію-індію, твердого, монокристалів

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: матеріалу, розчину, пристроїв, галію-індію, монокристала, оптоелектроніки, селеніду, ga0.3in0.7)2se3, функціональних, твердого, напівпровідникового, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію

Завантаження...

Номер патенту: 83765

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: монокристалів, акустооптичного, галію-індію, лазерного, випромінювання, селеніду, основі, матеріал, модулятора

Формула / Реферат:

Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,2in0,8)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: селеніду, твердого, розчину, оптоелектроніки, галію-індію, монокристала, матеріалу, ga0,2in0,8)2se3, напівпровідникового, пристроїв, застосування, функціональних

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga 0,1 in 0,9)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: оптоелектроніки, селеніду, твердого, розчину, застосування, матеріалу, пристроїв, галію-індію, напівпровідникового, функціональних, 0,9)2se3, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,4in0,6)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович

МПК: G01K 17/08

Мітки: напівпровідникового, галію-індію, застосування, лазерного, акустооптичного, твердого, ga0,4in0,6)2se3, матеріалу, випромінювання, розчину, монокристала, модулятора, селеніду

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: лазерного, галію-індію, селеніду, випромінювання, акустооптичного, монокристала, розчину, твердого, напівпровідникового, застосування, модулятора, матеріалу, ga0.3in0.7)2se3

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.