Ковалюк Захар Дмитрович

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями при кімнатній температурі на основі шаруватих кристалів bi2se3, bi2te3

Завантаження...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: bi2se3, основі, матеріалів, спосіб, кімнатний, властивостями, феромагнітними, bi2te3, кристалів, напівпровідникових, шаруватих, температури, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2d наночастинок шаруватих напівпровідників а3в6 і іонних солей мeno3 (me=k, na, rb, cs)

Завантаження...

Номер патенту: 116894

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Кудринський Захар Русланович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01L 21/288, B82B 3/00

Мітки: солей, іонних, виготовлення, наночастинок, а3в6, основі, напівпровідників, іонотронних, шаруватих, мек, матеріалів, спосіб, нанокомпозитних, мeno3

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2D наночастинок шаруватих напівпровідників А3В6 і іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs), що ґрунтується на методі впровадження розплавів цих солей у міжшаровий простір об'ємних (3D) монокристалів А3В6, який відрізняється тим, що процес впровадження розплавів іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) в кристали А3В6 проводять при значеннях температури, які перевищують значення...

Спосіб активації додаткової активної поверхні електродного матеріалу суперконденсаторів

Завантаження...

Номер патенту: 107984

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Юрценюк Сидір Прокопович, Ковалюк Захар Дмитрович, Семенчик Іван Іванович

МПК: C01B 31/12, H01G 9/00, B01J 20/20 ...

Мітки: електродного, поверхні, додаткової, спосіб, суперконденсаторів, активної, матеріалу, активації

Формула / Реферат:

Спосіб активації додаткової активної внутрішньої поверхні електродного матеріалу суперконденсаторів, який відрізняється тим, що суперконденсатор в готовому вигляді піддається обробці імпульсами постійного струму тривалістю 0,02¸0,03 с зі скважністю 0,5¸5 с (переважно 2¸3 с) при напрузі, що перевищує номінальну напругу суперконденсатора в 5¸15 разів (переважно 6¸9 разів), а кількість імпульсів складає...

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte

Завантаження...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович, Цибуленко Юрій Михайлович

МПК: C30B 29/68

Мітки: inse, кристалів, основі, матеріалів, феромагнітними, властивостями, in2se3, шаруватих, спосіб, отримання, нанокомпозитних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 110751

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Кудринський Захар Русланович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01L 31/053, H01L 31/112, H01L 31/08 ...

Мітки: наноіонний, фотоперетворювач, гібридний, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою тверду...

Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора

Завантаження...

Номер патенту: 109832

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 9/15, H01G 4/06

Мітки: наноіонного, виготовлення, спосіб, конденсатора

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора, що включає в себе впровадження в ван-дер-ваальсівський простір між шарами напівпровідникового матеріалу з шаруватою кристалічною структурою рідкої розплавленої іонної солі і наступного охолодження нанокомпозитного матеріалу, що складається з шаруватого кристалу і іонної солі, який відрізняється тим, що як шаруватий напівпровідниковий матеріал використовують високоомний селенід індію з електронним...

Спосіб отримання фази in2ses4

Завантаження...

Номер патенту: 99262

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Кушнір Богдан Валерійович, Ковалюк Захар Дмитрович, Кудринський Захар Русланович, Камінський Василь Михайлович, Товарницький Мірча Васильович

МПК: H01G 4/06

Мітки: фазі, in2ses4, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фази шарів In2SeS4 кубічної структури на підкладках шаруватих кристалів InSe, що включає їх відпал в парах сірки, який відрізняється тим, що як підкладки використовуються шаруваті кристали моноселеніду індію.

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 87571

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Балазюк Віталій Назарович, Хандожко Віктор Олександрович, Саміла Андрій Петрович, Раранський Микола Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: G01N 24/00

Мітки: температури, монокристалу, процес, селеніду, реєстрації, галію, основі

Формула / Реферат:

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.

Високочастотний спіновий конденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01L 27/00, H01G 4/00, H01G 11/00 ...

Мітки: високочастотний, конденсатор, спіновий

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах inse і gase

Завантаження...

Номер патенту: 101001

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Товарницький Мірча Васильович, Заслонкін Андрій Володимирович, Катеринчук Валерій Миколайович, Дуплавий Василь Йосипович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/46, C30B 1/00, C30B 11/00 ...

Мітки: кристалографічній, спосіб, шаруватих, колінеарної, кристалах, грані, осі, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання грані, колінеарної кристалографічній осі с, в шаруватих кристалах InSe і GaSe, який відрізняється тим, що вирощують шаруватий кристал в кварцовій ампулі, в якій перед вирощуванням розміщують кварцову пластину, орієнтовану співвісно з віссю ампули, після чого в ампулу поміщають попередньо синтезований матеріал.

Нанокомпозитний фотоконденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 99859

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Коноплянко Денис Юрійович

МПК: H01G 7/00, H01L 29/15, H01G 9/20 ...

Мітки: нанокомпозитний, фотоконденсатор

Формула / Реферат:

Нанокомпозитний фотоконденсатор, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою напівпровідникову матрицю селеніду галію з...

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 70598

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Шевчик Віталій Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: напівпровідникового, феромагнітного, матеріалу, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу, який ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватого напівпровідника GaSe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому перпендикулярно напрямку електричного струму.

Спосіб визначення питомої ефективної внутрішньої поверхні пористого електрода суперконденсатора

Завантаження...

Номер патенту: 98860

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Боднарашек Володимир Михайлович, Юрценюк Сидір Прокопович, Ковалюк Захар Дмитрович, Юрценюк Наталя Сидорівна

МПК: H01G 9/00, G01N 33/22

Мітки: визначення, поверхні, суперконденсатора, ефективно, внутрішньої, спосіб, електрода, питомої, пористого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення питомої ефективної робочої поверхні пористого електрода суперконденсатора, який відрізняється тим, що проводять вимірювання ємностей суперконденсатора в двох режимах розряду: при постійному струмі та на високій частоті (105 - 106 Гц), а потім розраховують питому ефективну робочу поверхню за формулою:  [м2/г], де, Sпит..eф - питома ефективна...

Спосіб синтезу пористого вуглецевого матеріалу з органічної сировини рослинного походження

Завантаження...

Номер патенту: 98833

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боднарашек Володимир Михайлович, Юрценюк Сидір Прокопович, Юрценюк Наталя Сидорівна

МПК: H01G 9/00, C01B 31/02, B01J 20/20 ...

Мітки: сировини, пористого, вуглецевого, спосіб, рослинного, органічної, матеріалу, синтезу, походження

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу пористого вуглецевого матеріалу з органічної сировини рослинного походження методом двостадійного піролізу, а саме, карбонізацією та активацією, який відрізняється тим, що як вихідну сировину використовують кукурудзяні рильця (corn stigmas), на стадії карбонізації проводять 4-5-разове кисневе травлення напусканням в робочу зону повітря з розрахунку 20-30 % від об'єму завантаженої сировини, а при активації як активний реагент...

Інтеркаляційний накопичувальний конденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 97301

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Коноплянко Денис Юрійович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 4/06

Мітки: інтеркаляційний, накопичувальний, конденсатор

Формула / Реферат:

Інтеркаляційний накопичувальний конденсатор, який складається з шарів монокристала селеніду галію із включеннями інтеркалянту, які знаходяться у Ван-дер-ваальсових щілинах цього кристала, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використаний сегнетоелектричний матеріал KNO3, який впроваджений в міжшарові щілини селеніду галію в розплавленому стані.

Спосіб виготовлення інтеркаляційного фільтрового конденсатора

Завантаження...

Номер патенту: 97269

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Коноплянко Денис Юрійович

МПК: H01G 4/06

Мітки: конденсатора, фільтрового, спосіб, інтеркаляційного, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення інтеркаляційного фільтрового конденсатора, що включає інтеркалювання шаруватого напівпровідника селеніду галію (GaSe) сегнетоелектричним матеріалом, який відрізняється тим, що інтеркалювання шаруватого напівпровідника GaSe проводять шляхом впровадження в двовимірні (2D) міжшарові Ван-дер-Ваальсівські щілини тривимірних (3D) нанорозмірних включень з розплаву сегнетоелектричного матеріалу KNO3 при температурі від 329 до 339...

Інтеркаляційний фільтровий конденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 97268

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Коноплянко Денис Юрійович

МПК: H01G 4/06

Мітки: інтеркаляційний, фільтровий, конденсатор

Формула / Реферат:

Інтеркаляційний фільтровий конденсатор, що містить шаруватий монокристал селенід галію та включення інтеркалянту в міжшарових Ван-дер-Ваальсівських щілинах монокристала селеніду галію, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використаний сегнетоелектричний матеріал KNO3 в формі тривимірних (3D) нанорозмірних включень.

Сонячний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 62625

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 33/00

Мітки: сонячний, елемент

Формула / Реферат:

1. Сонячний елемент на основі анізотипної гетероструктури n-TiO2/p-CdTe, який містить поглинач сонячного випромінювання та нанесену на поглинач плівку n-ТіО2, який відрізняється тим, що поглинач сонячного випромінювання виконаний у вигляді сколотої монокристалічної підкладки p-CdTe, а нанесена на підкладку плівка n-ТіО2 має щільну структуру.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що фронтальний контакт сонячного елемента виконаний...

Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура

Завантаження...

Номер патенту: 57157

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/26

Мітки: напівпровідникова, гетероструктура, світловипромінююча

Формула / Реферат:

Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...

Спосіб виготовлення тонких електродів

Завантаження...

Номер патенту: 83271

Опубліковано: 25.06.2008

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Юрценюк Наталя Сидорівна, Юрценюк Сидір Прокопович, Бухаров Володимир Андрійович

МПК: H01G 9/04, H01G 9/00, H01G 13/00 ...

Мітки: спосіб, електродів, виготовлення, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення тонких електродів суперконденсаторів, що полягає в нанесенні електродної суміші на підкладку пульверизацією, який відрізняється тим, що формування електрода проводять безпосередньо на сепараторному матеріалі, розміщеному поверх гідрофільної підкладки, а товщину нанесеного шару розраховують за формулою , де d - товщина електрода; m - маса електродної...

Спосіб одержання квантових точок телуриду свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 80614

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Слинько Євген Іларіонович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: C30B 23/02

Мітки: квантових, одержання, телуриду, свинцю, точок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання квантових точок телуриду свинцю, який включає випаровування матеріалу, що містить телурид свинцю, і його осадження в вакуумі на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що матеріал осаджують при температурі підкладки не менше 350 °С на нижню поверхню (111) підкладки, яку деформують зовнішніми силами і створюють в перпендикулярному до площини (111) напрямі направлену від...

Півторавольтовий літієвий елемент

Завантаження...

Номер патенту: 79362

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Дудяк Олександр Володимирович, Мінтянський Ілля Васильович, Савицький Петро Іванович, Заслонкін Андрій Володимирович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01M 4/36, H01M 4/58, H01M 6/14 ...

Мітки: елемент, півторавольтовий, літієвий

Формула / Реферат:

Півторавольтовий літієвий елемент, що містить літієвий анод та халькогенідний катод, утворений з активного матеріалу та в'яжучої речовини, з розміщеним між ними сепаратором, з електролітом із електропровідної літієвої солі в органічному розчиннику, який відрізняється тим, що як активний матеріал катода використовується мідно-вісмутовий сульфід Cu4Bi5S10.

Літієве джерело струму

Завантаження...

Номер патенту: 77971

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Дудяк Олександр Володимирович, Савицький Петро Іванович, Мінтянський Ілля Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Заслонкін Андрій Володимирович

МПК: H01M 4/24, H01M 4/58, H01M 4/36 ...

Мітки: літієве, струму, джерело

Формула / Реферат:

Літієве джерело струму, що містить літієвий анод та халькогенідний катод, утворений з активного матеріалу та в'яжучої речовини, з розміщеним між ними сепаратором, з електролітом із електропровідної літієвої солі в органічному розчиннику, яке відрізняється тим, що як активний матеріал використовується мідно-вісмутовий халькогенід CuBiSeS.

Спосіб виготовлення фільтрових конденсаторів

Завантаження...

Номер патенту: 68477

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Гаврилюк Степан Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Будзуляк Іван Михайлович

МПК: H01G 13/00

Мітки: конденсаторів, виготовлення, фільтрових, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фільтрових конденсаторів, що містять два електроди, сформовані із активованого вуглеволокна і розділені сепаратором із водним розчином електроліту, який відрізняється тим, що як електродний матеріал використовують активований вуглець, отриманий із фруктових кісточок, а як електроліт – 36 % воднийрозчин гідроксиду калію.2. Спосіб отримання фільтрових конденсаторів за п. 1, який відрізняється тим, що на основі...

Спосіб інтеркалювання

Завантаження...

Номер патенту: 53699

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Будзуляк Іван Михайлович, Григорчак Іван Іванович

МПК: C01B 19/00

Мітки: інтеркалювання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб інтеркалювання, що полягає у впровадженні в тверді тіла з шаруватою кристалічною структурою "гостьових" компонентів шляхом дифузії останніх в область ван-дер-ваальсових зв'язків, який відрізняється тим, що зазначена дифузія забезпечується і стимулюється імпульсним лазерним опроміненням, яке направляється під кутом 90° ± 10° до площини поглинаючої плівки "гостьового" компонента, нанесеної на одну з граней зразка,...

Спосіб отримання активованого вуглецю для конденсаторів з подвійним електричним шаром

Завантаження...

Номер патенту: 46345

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Будзуляк Іван Михайлович, Орлецький Володимир Борисович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 5/00, H01G 7/00, H01G 4/00 ...

Мітки: отримання, електричним, подвійним, шаром, конденсаторів, спосіб, активованого, вуглецю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання активованого вуглецю, що полягає в карбонізації фруктових кісточок у вакуумі при температурі 450-500°С протягом 50-60 хвилин з наступною активацією матеріалу в 10-15% водному розчині КОН при температурі 840-880°С протягом 70-80 хвилин.2. Спосіб отримання активованого вуглецю за п.1, який відрізняється тим, що активацію карбонізованих фруктових кісточок проводять у закритому контейнері з можливістю...

Гальванічний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 46137

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Савицький Петро Іванович, Ковалюк Захар Дмитрович, Заслонкін Андрій Володимирович, Мінтянський Ілля Васильович, Григорчак Іван Іванович

МПК: H01M 6/16, H01M 4/58

Мітки: елемент, гальванічний

Формула / Реферат:

Гальванічний елемент, що містить літієвий анод та катод, утворений халькогенідом із шаруватою кристалічною структурою та зв'язуючою речовиною, з розміщеним між ними сепаратором, з електролітом із електропровідної солі в органічному розчиннику, який відрізняється тим, що халькогенідом є селенід вісмуту, легований в процесі синтезу атомами міді в концентраційному інтервалі 0,8

Літієвий елемент

Завантаження...

Номер патенту: 45130

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Заслонкін Андрій Володимирович, Мінтянський Ілля Васильович, Смакоус Микола Миколайович, Савицький Петро Іванович

МПК: H01M 4/00

Мітки: літієвий, елемент

Формула / Реферат:

1. Літієвий елемент, що містить літієвий анод та халькогеніднии катод, утворений з активного матеріалу та в'яжучої речовини, з розміщеним між ними сепаратором, з електролітом із електропровідної літієвої солі в органічному розчиннику, який відрізняється тим, що як халькогенід використовується мідно-вісмутовий селенід CuBiSe2.2. Літієвий елемент по п. 1, який відрізняється тим, що мідно-вісмутовий селенід CuBiSe2 одержують прямим...

Псевдоконденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 44438

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Григорчак Іван Іванович, Бахматюк Богдан Петрович

МПК: H01G 9/00

Мітки: псевдоконденсатор

Формула / Реферат:

Псевдоконденсатор, який містить два электроди, розділені електролітом, який відрізняється тим, що електродами служать зразки дисульфіду титану з інтеркаляційно активованими областями ван-дер-Ваальса, а як електроліт використані апротонні розчини перхлоратів, фторборатів тетраалкіламонію чи літію.

Конденсатор на подвійному електричному шарі

Завантаження...

Номер патенту: 44472

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Юрценюк Сидір Прокопович, Шастал Манолій Манолійович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 9/00, H01G 2/00

Мітки: подвійному, шарі, електричному, конденсатор

Формула / Реферат:

Конденсатор на подвійному електричному шарі, що містить два електроди з вуглецево-графітного матеріалу з розміщеним між ними сепаратором, змоченим розчином електроліту, який відрізняється тим, що один з електродів (катод) виготовляють з суміші Сu(ОН)2, струмопровідної добавки та зв'язуючого компонента, переважно у співвідношенні (65±5): (30±5) : (4±1) ваг. %, відповідно.

Спосіб виготовлення конденсаторів на подвійному електричному шарі з збалансованими електродами

Завантаження...

Номер патенту: 39335

Опубліковано: 15.06.2001

Автори: Юрценюк Сидір Прокопович, Шастал Манолій Манолійович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 13/00

Мітки: збалансованими, конденсаторів, подвійному, електричному, спосіб, виготовлення, шарі, електродами

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення конденсаторів на подвійному електричному шарі, що включає в себе розміщення двох електродів з вуглецевого матеріалу з поміщеним між ними сепаратором змоченим розчином електроліту, який відрізняється тим, що електроди виготовляють різними по масі при співвідношенні мас переважно в границях від 1 : 1,05 до 1 : 2.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що границі співвідношення мас електродів, для кожного...

Неполярний конденсатор з асиметричною ємністю на подвійному електричному шарі

Завантаження...

Номер патенту: 36945

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Юрценюк Сидір Прокопович

МПК: H01G 7/00

Мітки: конденсатор, подвійному, шарі, неполярний, ємністю, асиметричною, електричному

Текст:

...тобто стаканчика від кришки, забезпечується кільцеподібною прокладкою (наприклад, із поліпропілену). Отримуємо партію конденсаторів із співвідношенням мас електродів mм /m в – (1:20); (1:10); (1:3,3); (1:2); (1:1,4), де m м – маса меншого електроду, а m в – маса більшого електроду. 6. На діючих зразках конденсаторів по п. 5 проводять виміри ємностей С 1 і С2 при двох напрямках прикладеної зарядної напруги, тобто при величині зарядної...

Джерело електричного струму

Завантаження...

Номер патенту: 28186

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Шастал Манолій Манолійович, Ковалюк Захар Дмитрович, Гаврилюк Степан Васильович, Бахматюк Богдан Петрович, Григорчак Іван Іванович

МПК: H01M 4/06, H01M 4/36

Мітки: електричного, струму, джерело

Формула / Реферат:

1. Джерело електричного струму, що містить літієвий анод і катод із фторованого матеріалу з розміщеним між ними сепаратором з електролітом із електропровідної солі в органічному розчиннику, яке відрізняється тим, що як фторований матеріал береться халькогенід вісмуту формули Ві2 Сh3 (Ch - S, Se, Те) із шаруватою кристалічною структурою, витриманий в газоподібному фторі при температурі 100-140°С протягом 60-80 хвилин.2. Джерело...