Колесніков Олександр Володимирович

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Галенін Євгеній Петрович, Романчук Вікторія Володимирівна, Архіпов Павло Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: монокристалів, пристрій, вирощування, ампулі, розплаву

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Ляхов Віктор Васильович, Таранюк Володимир Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Сулаєв Михайло Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: площі, отримання, пристрій, реалізації, полікристалічних, спосіб, великої, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: площі, кристалічних, спосіб, пластин, великої, зокрема, одержання, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію

Завантаження...

Номер патенту: 93840

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Васецький Сергій Іванович, Заславський Борис Григорович, Колесніков Олександр Володимирович, Тимошенко Микола Миколайович

МПК: C01D 17/00, C01D 3/12, C30B 11/00 ...

Мітки: натрію, вирощування, йодиду, монокристалів, спосіб, цезію, основі

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм., який відрізняється тим, що, після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D,...

Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Заславський Борис Григорович, Кудін Олександр Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Васецький Сергій Іванович, Овчаренко Наталія Володимирівна, Колесніков Олександр Володимирович, Мітічкін Анатолій Іванович

МПК: C30B 29/10, C30B 15/02, C30B 15/00 ...

Мітки: основі, спосіб, йодиду, сцинтиляційний, йодидом, одержання, матеріал, талію, цезію, активованій

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів

Завантаження...

Номер патенту: 77818

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Самойлов Віктор Леонідович, Кисіль Олена Михайлівна, Заславський Борис Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Волошко Олександр Юрійович, Шишкін Олег Валерійович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/22, G01N 25/56

Мітки: матеріалів, лужних, спосіб, виміру, зокрема, вологості, солей, металів, йодидів

Формула / Реферат:

Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів, який полягає в тому, що досліджуваний матеріал поміщають у ємнісну комірку, яку включають у вимірювальний ланцюг джерела змінної напруги, вимірюють її ємність і, використовуючи попереднє градуювання, визначають значення вологості, який відрізняється тим, що як ємнісну комірку використовують відкачну кварцову ампулу, яку поміщають між щільно прилягаючими обкладками...