Колесніков Олександр Володимирович

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Галенін Євгеній Петрович, Архіпов Павло Васильович, Романчук Вікторія Володимирівна, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: пристрій, монокристалів, розплаву, ампулі, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Ляхов Віктор Васильович, Сулаєв Михайло Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: пристрій, полікристалічних, пластин, великої, реалізації, спосіб, отримання, площі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: зокрема, пластин, спосіб, площі, одержання, кристалічних, кристалів, великої

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію

Завантаження...

Номер патенту: 93840

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Тимошенко Микола Миколайович, Васецький Сергій Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Заславський Борис Григорович

МПК: C01D 17/00, C30B 11/00, C01D 3/12 ...

Мітки: йодиду, цезію, спосіб, натрію, вирощування, основі, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм., який відрізняється тим, що, після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D,...

Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Васецький Сергій Іванович, Заславський Борис Григорович, Колесніков Олександр Володимирович, Кудін Олександр Михайлович, Мітічкін Анатолій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Овчаренко Наталія Володимирівна

МПК: C30B 15/02, C30B 15/00, C30B 29/10 ...

Мітки: цезію, йодидом, спосіб, одержання, сцинтиляційний, матеріал, основі, активованій, йодиду, талію

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів

Завантаження...

Номер патенту: 77818

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Заславський Борис Григорович, Самойлов Віктор Леонідович, Кисіль Олена Михайлівна, Волошко Олександр Юрійович, Шишкін Олег Валерійович, Гриньов Борис Вікторович, Софронов Дмитро Семенович

МПК: G01N 25/56, G01N 27/22

Мітки: виміру, солей, спосіб, матеріалів, вологості, йодидів, лужних, зокрема, металів

Формула / Реферат:

Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів, який полягає в тому, що досліджуваний матеріал поміщають у ємнісну комірку, яку включають у вимірювальний ланцюг джерела змінної напруги, вимірюють її ємність і, використовуючи попереднє градуювання, визначають значення вологості, який відрізняється тим, що як ємнісну комірку використовують відкачну кварцову ампулу, яку поміщають між щільно прилягаючими обкладками...