Колесніков Олександр Володимирович

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Галенін Євгеній Петрович, Архіпов Павло Васильович, Романчук Вікторія Володимирівна

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: вирощування, монокристалів, розплаву, ампулі, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 109196

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Сулаєв Михайло Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Ляхов Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: реалізації, площі, великої, пристрій, пластин, отримання, полікристалічних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання полікристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовано над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, що забезпечує формування гарнісажного шару біля його стінок завтовшки 5-10 мм,...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: кристалів, площі, спосіб, зокрема, кристалічних, одержання, великої, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію

Завантаження...

Номер патенту: 93840

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Тимошенко Микола Миколайович, Заславський Борис Григорович, Васецький Сергій Іванович

МПК: C01D 17/00, C01D 3/12, C30B 11/00 ...

Мітки: натрію, монокристалів, йодиду, вирощування, спосіб, основі, цезію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм., який відрізняється тим, що, після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D,...

Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 87792

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Овчаренко Наталія Володимирівна, Кудін Олександр Михайлович, Заславський Борис Григорович, Мітічкін Анатолій Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Васецький Сергій Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 15/02, C30B 15/00, C30B 29/10 ...

Мітки: талію, цезію, активованій, спосіб, матеріал, йодидом, одержання, сцинтиляційний, основі, йодиду

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі йодиду цезію, активований йодидом талію, що містить додаткові легуючі домішки, який відрізняється тим, що додатковими легуючими домішками є нітрит і оксид цезію при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: йодид талію 0,08-0,16 нітрит цезію 0,0007-0,0028 оксид цезію 0,001-0,0032 йодид...

Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів

Завантаження...

Номер патенту: 77818

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Кисіль Олена Михайлівна, Самойлов Віктор Леонідович, Волошко Олександр Юрійович, Шишкін Олег Валерійович, Заславський Борис Григорович, Колесніков Олександр Володимирович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01N 27/22, G01N 25/56

Мітки: лужних, зокрема, виміру, йодидів, вологості, матеріалів, спосіб, солей, металів

Формула / Реферат:

Спосіб виміру вологості матеріалів, зокрема солей йодидів лужних металів, який полягає в тому, що досліджуваний матеріал поміщають у ємнісну комірку, яку включають у вимірювальний ланцюг джерела змінної напруги, вимірюють її ємність і, використовуючи попереднє градуювання, визначають значення вологості, який відрізняється тим, що як ємнісну комірку використовують відкачну кварцову ампулу, яку поміщають між щільно прилягаючими обкладками...