Кохан Олександр Павлович

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: спрямовано, розчинів, складу, вирощування, cu1-xagx)7ges5i, розплаву-розчину, методом, спосіб, кристалізації, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: методом, вирощування, спосіб, спрямовано, кристалізації, cu7ges5i, розплаву-розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46, C30B 1/06 ...

Мітки: методом, вирощування, спрямовано, спосіб, розплаву-розчину, ag7ges5i, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 13/04, C30B 13/00, C30B 9/00 ...

Мітки: спосіб, розплаву, ag7ges5i, розчину, методом, вирощування, кристалізації, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, матеріалу, плівки, аморфної, йодид-пентатіогерманату, основі, cu7ges5i, застосування, енергії, джерела, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Севрюков Дмитро Володимирович

МПК: C30B 11/04

Мітки: монокристалів, методом, cu7ps6, кристалізації, спосіб, вирощування, купрум(і)гексатіофосфату, спрямовано, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: монокристалів, cu6ps5i, кристалізації, методом, спосіб, вирощування, розплаву, йодиду, купрум(і)пентатіофосфату(v, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: спосіб, кристалізації, спрямовано, броміду, методом, вирощування, купрум(і)пентатіофосфату(v, розплаву, монокристалів, cu6ps5br

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/00, H01F 1/00

Мітки: твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, аморфної, застосування, основі, джерела, матеріалу, міді, cu7ges5i, енергії, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C01G 5/00, C01G 35/00 ...

Мітки: одержання, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, ag6tas5i, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6(pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кохан Олександр Павлович, Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: пентатіофосфату-арсенату, твердих, транспортних, хімічних, йодиду, спосіб, монокристалів, купрум, реакцій, розчинів, вирощування, cu6(pxas1-x)s5i, допомогою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: енергії, твердоелектролітичного, матеріал, cu7gese5i, міді, основі, йодид-пентаселеногерманату, джерела, монокристалу

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/06

Мітки: купрум(і, кристалізації, cu6ps5br, спрямовано, розплаву, монокристалів, пентатіофосфату(v, вирощування, спосіб, броміду, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, купрум(і, методом, cu6ps5i, монокристалів, спосіб, спрямовано, йодиду, вирощування, розплаву, пентатіофосфату(v

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: розплаву, вирощування, методом, купрум(і, спосіб, монокристалів, кристалізації, спрямовано, гексатіофосфату, cu7ps6

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб одержання аргентум(і) пентатіотанталату(v) йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C01G 35/00, C01G 5/00

Мітки: одержання, ag6tas5i, аргентум(і, пентатіотанталату(v, спосіб, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: хлорид-йодиду, спосіб, реакцій, пентатіофосфату, монокристалів, допомогою, купрум, розчинів, вирощування, хімічних, cu6ps5(ci0,5i0,5, твердих, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu6ps5cl0,5br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, спосіб, транспортних, хлориду-броміду, купрум, cu6ps5cl0,5br0,5, реакцій, вирощування, пентатіофосфату, хімічних, розчинів, монокристалів, допомогою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: матеріалу, твердого, джерела, енергії, розчину, застосування, cu7ge(s0,7se0,3)5i, твердоелектролітичного, монокристалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6 (pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, купрум, реакцій, транспортних, вирощування, pxas1-x)s5i, пентатіофосфату-арсенату, спосіб, розчинів, допомогою, твердих, йодиду, хімічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум-хлорид йодиду пентатіофосфату cu6ps5(cl1-xix) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: транспортних, реакцій, допомогою, хімічних, cu6ps5(cl1-xix, розчинів, твердих, йодиду, спосіб, вирощування, купрум-хлорид, монокристалів, пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(br0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: вирощування, хімічних, броміду-йодиду, купрум, реакцій, твердих, пентатіофосфату, монокристалів, допомогою, розчинів, спосіб, cu6ps5(br0,5i0,5, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu 6ps5(cl1-xbrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Паньков Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, хімічних, пентатіофосфату, реакцій, вирощування, допомогою, твердих, 6ps5(cl1-xbrx, купрум, хлориду-броміду, монокристалів, транспортних, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(br1-xix) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, реакцій, монокристалів, броміду-йодиду, пентатіофосфату, спосіб, розчинів, вирощування, cu6ps5(br1-xix, транспортних, купрум, допомогою, хімічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату cu6ass5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/14, C30B 11/00 ...

Мітки: хімічних, вирощування, монокристалів, спосіб, реакцій, cu6ass5i, йодиду-пентатіоарсенату, допомогою, транспортних, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату cu6ass5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, монокристалів, хімічних, вирощування, транспортних, купрум, спосіб, допомогою, йодиду-пентатіоарсенату, cu6ass5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Застосування монокристалів твердих розчинів cu7(si0,7ge0,3)s5i як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 91876

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Стасюк Юрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 27/333

Мітки: розчинів, розчинах, іоноселективного, cu7(si0,7ge0,3)s5i, міді, застосування, кислих, монокристалів, електрода, матеріалу, твердих, визначення, мембрани

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів твердих розчинів Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах.

Монокристал твердого розчину cu7(si0,7ge0,3)s5i як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 39078

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Панько Василь Васильович, Стасюк Юрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 27/333

Мітки: розчинах, твердого, визначення, кислих, розчину, cu7(si0,7ge0,3)s5i, іоноселективного, купруму, матеріал, монокристал, мембрани, електрода

Формула / Реферат:

Монокристал твердого розчину Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: джерела, міді, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, застосування, енергії, матеріалу, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: джерела, міді, застосування, твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, енергії, матеріалу, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 19341

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Ковач Степан Калманович, Кохан Олександр Павлович, Гаврилюк Валентин Миколайович, Панько Василь Васильович, Лубенець Володимир Гаврилович, Балог Йосип Степанович, Яновицький Олександр Константинович

МПК: G01N 27/333

Мітки: визначення, кислих, мембрани, електрода, розчинах, іоноселективного, міді, матеріал

Формула / Реферат:

Применение иодид-пентатиофосфата меди (1) в качестве материала мембраны ионоселективного электрода для определения меди в кислых растворах.