Кохан Олександр Павлович

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00, C30B 13/04 ...

Мітки: складу, розплаву-розчину, спосіб, кристалізації, твердих, спрямовано, вирощування, cu1-xagx)7ges5i, методом, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00

Мітки: кристалізації, спрямовано, спосіб, cu7ges5i, розплаву-розчину, вирощування, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46, C30B 1/06 ...

Мітки: вирощування, кристалізації, спрямовано, спосіб, ag7ges5i, розплаву-розчину, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00, C30B 13/04 ...

Мітки: ag7ges5i, спрямовано, розчину, спосіб, методом, кристалізації, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Гуранич Павло Павлович, Біланчук Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: йодид-пентатіогерманату, плівки, міді, застосування, матеріалу, основі, cu7ges5i, твердоелектролітичного, енергії, аморфної, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Севрюков Дмитро Володимирович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/04

Мітки: монокристалів, вирощування, cu7ps6, спосіб, кристалізації, методом, купрум(і)гексатіофосфату, спрямовано, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів, спрямовано, йодиду, методом, cu6ps5i, купрум(і)пентатіофосфату(v, кристалізації, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: спосіб, спрямовано, монокристалів, купрум(і)пентатіофосфату(v, методом, броміду, розплаву, cu6ps5br, кристалізації, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01F 1/00

Мітки: матеріалу, твердоелектролітичного, міді, cu7ges5i, основі, застосування, енергії, аморфної, джерела, йодид-пентатіогерманату, плівки

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00, C01G 5/00, C01G 35/00 ...

Мітки: одержання, ag6tas5i, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6(pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Панько Василь Васильович, Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, cu6(pxas1-x)s5i, реакцій, транспортних, хімічних, спосіб, монокристалів, допомогою, розчинів, вирощування, йодиду, купрум, пентатіофосфату-арсенату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: міді, джерела, основі, матеріал, твердоелектролітичного, cu7gese5i, енергії, монокристалу, йодид-пентаселеногерманату

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: спосіб, методом, купрум(і, розплаву, броміду, cu6ps5br, вирощування, спрямовано, монокристалів, пентатіофосфату(v, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: купрум(і, кристалізації, спосіб, методом, монокристалів, вирощування, cu6ps5i, спрямовано, розплаву, пентатіофосфату(v, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, розплаву, cu7ps6, методом, кристалізації, монокристалів, гексатіофосфату, купрум(і, вирощування, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб одержання аргентум(і) пентатіотанталату(v) йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C01G 35/00, C01G 5/00

Мітки: ag6tas5i, йодиду, пентатіотанталату(v, аргентум(і, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, купрум, пентатіофосфату, розчинів, реакцій, cu6ps5(ci0,5i0,5, хімічних, твердих, хлорид-йодиду, вирощування, монокристалів, транспортних, допомогою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu6ps5cl0,5br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, пентатіофосфату, хлориду-броміду, хімічних, купрум, монокристалів, допомогою, твердих, cu6ps5cl0,5br0,5, вирощування, реакцій, транспортних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердого, розчину, монокристалу, енергії, застосування, матеріалу, твердоелектролітичного, cu7ge(s0,7se0,3)5i, джерела

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6 (pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, йодиду, розчинів, купрум, хімічних, вирощування, транспортних, реакцій, pxas1-x)s5i, пентатіофосфату-арсенату, допомогою, твердих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум-хлорид йодиду пентатіофосфату cu6ps5(cl1-xix) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, допомогою, хімічних, транспортних, вирощування, купрум-хлорид, спосіб, cu6ps5(cl1-xix, монокристалів, реакцій, пентатіофосфату, твердих, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(br0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu6ps5(br0,5i0,5, спосіб, твердих, вирощування, монокристалів, хімічних, броміду-йодиду, транспортних, реакцій, пентатіофосфату, допомогою, купрум, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu 6ps5(cl1-xbrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Паньков Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пентатіофосфату, спосіб, хімічних, купрум, твердих, допомогою, транспортних, вирощування, хлориду-броміду, розчинів, монокристалів, 6ps5(cl1-xbrx, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(br1-xix) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, вирощування, допомогою, транспортних, пентатіофосфату, монокристалів, купрум, cu6ps5(br1-xix, хімічних, твердих, броміду-йодиду, розчинів, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату cu6ass5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/14, C30B 11/00 ...

Мітки: вирощування, йодиду-пентатіоарсенату, реакцій, хімічних, допомогою, монокристалів, транспортних, спосіб, cu6ass5i, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату cu6ass5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: купрум, монокристалів, cu6ass5i, хімічних, спосіб, вирощування, транспортних, допомогою, йодиду-пентатіоарсенату, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Застосування монокристалів твердих розчинів cu7(si0,7ge0,3)s5i як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 91876

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Стасюк Юрій Михайлович

МПК: G01N 27/333

Мітки: електрода, застосування, міді, розчинах, cu7(si0,7ge0,3)s5i, матеріалу, мембрани, твердих, кислих, визначення, розчинів, іоноселективного, монокристалів

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів твердих розчинів Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах.

Монокристал твердого розчину cu7(si0,7ge0,3)s5i як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 39078

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Стасюк Юрій Михайлович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 27/333

Мітки: електрода, твердого, матеріал, розчинах, монокристал, купруму, мембрани, розчину, іоноселективного, кислих, визначення, cu7(si0,7ge0,3)s5i

Формула / Реферат:

Монокристал твердого розчину Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: cu7ges5i, міді, матеріалу, йодид-пентатіогерманату, джерела, енергії, твердоелектролітичного, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: йодид-пентатіогерманату, твердоелектролітичного, cu7ges5i, джерела, матеріалу, міді, енергії, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 19341

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Балог Йосип Степанович, Яновицький Олександр Константинович, Гаврилюк Валентин Миколайович, Кохан Олександр Павлович, Ковач Степан Калманович, Панько Василь Васильович, Лубенець Володимир Гаврилович

МПК: G01N 27/333

Мітки: матеріал, іоноселективного, кислих, мембрани, міді, електрода, розчинах, визначення

Формула / Реферат:

Применение иодид-пентатиофосфата меди (1) в качестве материала мембраны ионоселективного электрода для определения меди в кислых растворах.