Кохан Олександр Павлович

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (cu1-xagx)7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00, C30B 13/04 ...

Мітки: твердих, спрямовано, вирощування, складу, методом, кристалізації, cu1-xagx)7ges5i, спосіб, розплаву-розчину, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: спрямовано, кристалізації, спосіб, розплаву-розчину, методом, cu7ges5i, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Спосіб вирощування аg7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/46, C30B 1/06, C30B 11/02 ...

Мітки: кристалізації, спосіб, вирощування, методом, розплаву-розчину, спрямовано, ag7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Спосіб вирощування ag7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву – розчину

Завантаження...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00, C30B 13/04 ...

Мітки: кристалізації, розплаву, спосіб, методом, розчину, ag7ges5i, вирощування, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Гуранич Павло Павлович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: матеріалу, основі, джерела, міді, плівки, застосування, твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, енергії, cu7ges5i, аморфної

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/04

Мітки: cu7ps6, монокристалів, методом, кристалізації, вирощування, спосіб, купрум(і)гексатіофосфату, розплаву, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: cu6ps5i, спрямовано, спосіб, йодиду, вирощування, монокристалів, кристалізації, методом, купрум(і)пентатіофосфату(v, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: броміду, методом, кристалізації, монокристалів, розплаву, cu6ps5br, спосіб, спрямовано, купрум(і)пентатіофосфату(v, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович, Ізай Віталій Юрійович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01F 1/00

Мітки: твердоелектролітичного, застосування, матеріалу, плівки, основі, міді, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, джерела, аморфної, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб одержання аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C01G 35/00, C01G 5/00, C30B 11/00 ...

Мітки: аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, спосіб, ag6tas5i, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6(pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Кайла Маріанна Іванівна, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: вирощування, транспортних, йодиду, спосіб, реакцій, купрум, допомогою, розчинів, cu6(pxas1-x)s5i, хімічних, монокристалів, твердих, пентатіофосфату-арсенату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді cu7gese5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: монокристалу, матеріал, йодид-пентаселеногерманату, твердоелектролітичного, основі, джерела, міді, cu7gese5i, енергії

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: кристалізації, методом, спосіб, броміду, cu6ps5br, пентатіофосфату(v, монокристалів, спрямовано, розплаву, купрум(і, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: методом, йодиду, купрум(і, cu6ps5i, спосіб, кристалізації, спрямовано, розплаву, пентатіофосфату(v, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: гексатіофосфату, cu7ps6, спрямовано, розплаву, монокристалів, кристалізації, спосіб, методом, купрум(і, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Спосіб одержання аргентум(і) пентатіотанталату(v) йодиду ag6tas5i

Завантаження...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: ag6tas5i, пентатіотанталату(v, аргентум(і, йодиду, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, спосіб, вирощування, твердих, купрум, cu6ps5(ci0,5i0,5, реакцій, допомогою, монокристалів, транспортних, хлорид-йодиду, хімічних, пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu6ps5cl0,5br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: пентатіофосфату, вирощування, спосіб, монокристалів, транспортних, твердих, допомогою, хімічних, cu6ps5cl0,5br0,5, купрум, хлориду-броміду, розчинів, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Застосування монокристалу твердого розчину cu7ge(s0,7se0,3)5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: енергії, застосування, твердого, твердоелектролітичного, cu7ge(s0,7se0,3)5i, монокристалу, розчину, джерела, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату cu6 (pxas1-x)s5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: вирощування, монокристалів, купрум, транспортних, йодиду, хімічних, спосіб, розчинів, допомогою, pxas1-x)s5i, твердих, реакцій, пентатіофосфату-арсенату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум-хлорид йодиду пентатіофосфату cu6ps5(cl1-xix) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, пентатіофосфату, монокристалів, допомогою, купрум-хлорид, хімічних, cu6ps5(cl1-xix, реакцій, транспортних, вирощування, твердих, йодиду, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(br0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, хімічних, броміду-йодиду, розчинів, cu6ps5(br0,5i0,5, спосіб, монокристалів, твердих, вирощування, пентатіофосфату, допомогою, транспортних, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату cu 6ps5(cl1-xbrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Паньков Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: реакцій, твердих, хімічних, спосіб, хлориду-броміду, допомогою, вирощування, 6ps5(cl1-xbrx, монокристалів, розчинів, транспортних, пентатіофосфату, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(br1-xix) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, cu6ps5(br1-xix, реакцій, вирощування, розчинів, купрум, спосіб, допомогою, монокристалів, хімічних, пентатіофосфату, броміду-йодиду, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату cu6ass5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/10 ...

Мітки: cu6ass5i, вирощування, хімічних, спосіб, йодиду-пентатіоарсенату, купрум, реакцій, допомогою, монокристалів, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату cu6ass5i за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантаження...

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, купрум, вирощування, допомогою, спосіб, cu6ass5i, реакцій, хімічних, йодиду-пентатіоарсенату, транспортних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Застосування монокристалів твердих розчинів cu7(si0,7ge0,3)s5i як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 91876

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Стасюк Юрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: G01N 27/333

Мітки: розчинах, мембрани, cu7(si0,7ge0,3)s5i, монокристалів, визначення, матеріалу, твердих, міді, електрода, застосування, розчинів, кислих, іоноселективного

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів твердих розчинів Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах.

Монокристал твердого розчину cu7(si0,7ge0,3)s5i як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 39078

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Стасюк Юрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: G01N 27/333

Мітки: визначення, cu7(si0,7ge0,3)s5i, іоноселективного, розчинах, твердого, мембрани, матеріал, купруму, електрода, кислих, монокристал, розчину

Формула / Реферат:

Монокристал твердого розчину Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, джерела, матеріалу, cu7ges5i, застосування, енергії, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування йодид-пентатіогерманату міді cu7ges5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, міді, застосування, джерела, cu7ges5i, енергії, йодид-пентатіогерманату, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 19341

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Панько Василь Васильович, Ковач Степан Калманович, Гаврилюк Валентин Миколайович, Яновицький Олександр Константинович, Кохан Олександр Павлович, Лубенець Володимир Гаврилович, Балог Йосип Степанович

МПК: G01N 27/333

Мітки: іоноселективного, кислих, матеріал, міді, визначення, мембрани, електрода, розчинах

Формула / Реферат:

Применение иодид-пентатиофосфата меди (1) в качестве материала мембраны ионоселективного электрода для определения меди в кислых растворах.