Клюй Микола Іванович

Спосіб термоциклічних випробувань сонячних фотоелектричних панелей

Завантаження...

Номер патенту: 103172

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Клюй Микола Іванович, Горбулик Володимир Іванович, Макаров Анатолій Володимирович, Дикуша Валерій Миколайович, Трубіцин Юрій Олександрович, Ганус Валерій Олександрович

МПК: H01L 31/18

Мітки: спосіб, сонячних, випробувань, термоциклічних, фотоелектричних, панелей

Формула / Реферат:

Спосіб термоциклічних випробувань сонячних фотоелектричних панелей, що включає освітлення об'єкта термоциклювання світлом з густиною потоку випромінювання 500-600 сонць для вимірювання його фотоелектричних характеристик, після чого проводять n-циклів охолодження об'єкта газоподібним азотом та його нагрівання, після чого знову вимірюють фотоелектричні параметри об'єкта, який відрізняється тим, що об'єкт термоциклювання закріплюють тримачем і...

Спосіб складання сонячних фотоелектричних панелей

Завантаження...

Номер патенту: 98006

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Макаров Анатолій Володимирович, Ганус Валерій Олександрович, Темченко Володимир Григорович, Горбулик Володимир Іванович, Дикуша Валерій Миколайович, Клюй Микола Іванович

МПК: H01L 21/68

Мітки: спосіб, фотоелектричних, складання, панелей, сонячних

Формула / Реферат:

Спосіб складання сонячних фотоелектричних панелей з фотоперетворювачів (ФП), що включає їх розташування в заданому порядку шляхом фіксації їх між собою, транспортування матриці ФП, комутацію елементів матриці ФП між собою та їх закріплення на каркасі батареї фотоелектричної (БФ), який відрізняється тим, що після фіксації ФП між собою їх розташовують на прозорій технологічній оснастці з вікнами, а фіксація ФП на оснастці здійснюється шляхом...

Спосіб покращення пропускання іч-світла та деградаційної стійкості оптичного елемента на основі gaas

Завантаження...

Номер патенту: 97876

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Клюй Микола Іванович, Неймаш Володимир Борисович, Лозінський Володимир Борисович, Оксанич Анатолій Петрович, Притчин Сергій Емілійович, Ліптуга Анатолій Іванович, Кабалдін Олександр Миколайович

МПК: C23C 16/02, C23C 16/26

Мітки: спосіб, основі, елемента, пропускання, оптичного, покращення, іч-світла, стійкості, деградаційної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення пропускання ІЧ-світла оптичним елементом на основі GaAs та покращення його деградаційної стійкості, який включає різання високоомного кристала напівізолюючого GaAs на пластини, шліфовку, поліровку пластин, попередню обробку в плазмі Ar+ та осадження на їх поверхню просвітлюючої алмазоподібної вуглецевої плівки в плазмі СНЦ, який відрізняється тим, що попередню плазмову обробку пластини напівізолюючого GaAs перед осадженням...

Спосіб з’єднання струмопровідних шин з металевої фольги

Завантаження...

Номер патенту: 95669

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Авксентьєва Любов Вікторівна, Притчин Сергій Емілійович, Клюй Микола Іванович, Оксанич Анатолій Петрович, Макаров Анатолій Володимирович

МПК: H01L 31/04, B23K 20/10

Мітки: металевої, спосіб, шин, струмопровідних, з'єднання, фольги

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання металевих струмопровідних шин між собою при складанні сонячних модулів, що включає їх ультразвукове мікрозварювання, який відрізняється тим, що з'єднання шин між собою здійснюють шляхом ультразвукового мікрозварювання, попередньо розмістивши їх одна над одною на масивному столику, на поверхні якого розміщена кремнієва пластина з текстурованою поверхнею, глибина рельєфу якої складає 5-10 мкм, що дозволяє запобігти переміщенню...

Спосіб просвітлення фотоприймача іч-випромінювання на основі cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 94605

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Ганус Валерій Олександрович, Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович, Клюй Микола Іванович, Савкіна Рада Костянтинівна

МПК: G02B 5/22, H01L 31/0296

Мітки: основі, cdhgte, спосіб, фотоприймача, просвітлення, іч-випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб просвітлення фотоприймача ІЧ-випромінювання на основі CdHgTe (KPT), який включає попередню обробку поверхні пластини монокристалу КРТ в плазмі аргону протягом 5-5,5 хв. з тиском у робочій камері 25 Па та наступне осадження першого шару алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) a-C:H:N як просвітлюючого покриття з суміші плазми газів аргону, метану, водню та азоту в співвідношенні Ar:CH4:H2:N2=1:3:5:9 при потужності високочастотного...

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії

Завантаження...

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Єфремов Олексій Олександрович, Костильов Віталій Петрович, Попов Валентин Георгійович, Литовченко Володимир Григорович, Рассамакін Юрій Володимирович, Євтух Анатолій Антонович, Саріков Андрій Вікторович, Клюй Микола Іванович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: рекомбінаційно-активних, монокристалічному, гетерування, полікристалічному, спосіб, домішок, кремнії

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в кремнії

Завантаження...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Попов Валентин Георгійович, Горбулик Володимир Іванович, Романюк Борис Миколайович, Клюй Микола Іванович, Мельник Віктор Павлович, Литовченко Володимир Григорович, Марченко Ростислав Іванович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: гетерування, кремнії, рекомбінаційно-активних, домішок, спосіб

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...