Клюй Микола Іванович

Спосіб термоциклічних випробувань сонячних фотоелектричних панелей

Завантаження...

Номер патенту: 103172

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Макаров Анатолій Володимирович, Трубіцин Юрій Олександрович, Клюй Микола Іванович, Дикуша Валерій Миколайович, Ганус Валерій Олександрович, Горбулик Володимир Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: термоциклічних, сонячних, випробувань, спосіб, панелей, фотоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб термоциклічних випробувань сонячних фотоелектричних панелей, що включає освітлення об'єкта термоциклювання світлом з густиною потоку випромінювання 500-600 сонць для вимірювання його фотоелектричних характеристик, після чого проводять n-циклів охолодження об'єкта газоподібним азотом та його нагрівання, після чого знову вимірюють фотоелектричні параметри об'єкта, який відрізняється тим, що об'єкт термоциклювання закріплюють тримачем і...

Спосіб складання сонячних фотоелектричних панелей

Завантаження...

Номер патенту: 98006

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Макаров Анатолій Володимирович, Клюй Микола Іванович, Дикуша Валерій Миколайович, Горбулик Володимир Іванович, Ганус Валерій Олександрович, Темченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/68

Мітки: сонячних, складання, панелей, спосіб, фотоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб складання сонячних фотоелектричних панелей з фотоперетворювачів (ФП), що включає їх розташування в заданому порядку шляхом фіксації їх між собою, транспортування матриці ФП, комутацію елементів матриці ФП між собою та їх закріплення на каркасі батареї фотоелектричної (БФ), який відрізняється тим, що після фіксації ФП між собою їх розташовують на прозорій технологічній оснастці з вікнами, а фіксація ФП на оснастці здійснюється шляхом...

Спосіб покращення пропускання іч-світла та деградаційної стійкості оптичного елемента на основі gaas

Завантаження...

Номер патенту: 97876

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Оксанич Анатолій Петрович, Притчин Сергій Емілійович, Неймаш Володимир Борисович, Клюй Микола Іванович, Ліптуга Анатолій Іванович, Лозінський Володимир Борисович, Кабалдін Олександр Миколайович

МПК: C23C 16/26, C23C 16/02

Мітки: іч-світла, пропускання, спосіб, елемента, покращення, деградаційної, оптичного, основі, стійкості

Формула / Реферат:

Спосіб покращення пропускання ІЧ-світла оптичним елементом на основі GaAs та покращення його деградаційної стійкості, який включає різання високоомного кристала напівізолюючого GaAs на пластини, шліфовку, поліровку пластин, попередню обробку в плазмі Ar+ та осадження на їх поверхню просвітлюючої алмазоподібної вуглецевої плівки в плазмі СНЦ, який відрізняється тим, що попередню плазмову обробку пластини напівізолюючого GaAs перед осадженням...

Спосіб з’єднання струмопровідних шин з металевої фольги

Завантаження...

Номер патенту: 95669

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Авксентьєва Любов Вікторівна, Клюй Микола Іванович, Макаров Анатолій Володимирович, Притчин Сергій Емілійович, Оксанич Анатолій Петрович

МПК: B23K 20/10, H01L 31/04

Мітки: металевої, струмопровідних, фольги, спосіб, шин, з'єднання

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання металевих струмопровідних шин між собою при складанні сонячних модулів, що включає їх ультразвукове мікрозварювання, який відрізняється тим, що з'єднання шин між собою здійснюють шляхом ультразвукового мікрозварювання, попередньо розмістивши їх одна над одною на масивному столику, на поверхні якого розміщена кремнієва пластина з текстурованою поверхнею, глибина рельєфу якої складає 5-10 мкм, що дозволяє запобігти переміщенню...

Спосіб просвітлення фотоприймача іч-випромінювання на основі cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 94605

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Клюй Микола Іванович, Смірнов Олексій Борисович, Сизов Федір Федорович, Ганус Валерій Олександрович, Савкіна Рада Костянтинівна

МПК: H01L 31/0296, G02B 5/22

Мітки: фотоприймача, основі, спосіб, просвітлення, іч-випромінювання, cdhgte

Формула / Реферат:

Спосіб просвітлення фотоприймача ІЧ-випромінювання на основі CdHgTe (KPT), який включає попередню обробку поверхні пластини монокристалу КРТ в плазмі аргону протягом 5-5,5 хв. з тиском у робочій камері 25 Па та наступне осадження першого шару алмазоподібних вуглецевих плівок (АВП) a-C:H:N як просвітлюючого покриття з суміші плазми газів аргону, метану, водню та азоту в співвідношенні Ar:CH4:H2:N2=1:3:5:9 при потужності високочастотного...

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії

Завантаження...

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Саріков Андрій Вікторович, Клюй Микола Іванович, Євтух Анатолій Антонович, Єфремов Олексій Олександрович, Костильов Віталій Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Рассамакін Юрій Володимирович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: гетерування, рекомбінаційно-активних, домішок, полікристалічному, кремнії, монокристалічному, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в кремнії

Завантаження...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Марченко Ростислав Іванович, Клюй Микола Іванович, Горбулик Володимир Іванович, Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович, Литовченко Володимир Григорович, Мельник Віктор Павлович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: спосіб, домішок, гетерування, рекомбінаційно-активних, кремнії

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...