Карушкін Микола Федорович

Потужний нвч напівпровідниковий помножувач частоти

Завантаження...

Номер патенту: 20455

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Касаткін Леонід Веніамінович, Бєлкін Володимир Володимирович, Косінський Олексій Сергійович, Карушкін Микола Федорович

МПК: H03B 19/00

Мітки: помножувач, нвч, потужний, частоти, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Мощный СВЧ полупроводниковый умножи­тель частоты, содержащий входной и выходной волноводы прямоугольного поперечного сечения, связанные друг с другом отрезком коаксиальной линии с центральным проводником, являющимся штырем связи, проходящим через широкую стенку выходного волновода перпендикулярно к ней, по­лупроводниковый умножительный диод, установ­ленный в разрыве штыря связи, режекторный фильтр, пропускающий входной и отражающий выходной...

Hапівпровідhиковий hвч діод

Завантаження...

Номер патенту: 15048

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Карушкін Микола Федорович, Буторін Вячеслав Михайлович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/868

Мітки: діод, hвч, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий меза-структуру в виде кольца и диэлектрическую втулку, установленные соосно на металлическом теплоотводе, металлическую крышку в виде диска, присоединенную через контактный элемент к верхнему торцу диэлектрической втулки, и к металлизированному торцу кольцевой меза-структуры, отличающийся тем, что ширина кольца меза-структуры выбрана равной глубине скинслоя в области взаимодействия носителей заряда в...

Корпус напівпровідникового нвч діода

Завантаження...

Номер патенту: 9375

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Дворніченко Вячеслав Петрович, Горлачев Віктор Єфимович, Карушкін Микола Федорович

МПК: H01L 23/02

Мітки: напівпровідникового, нвч, корпус, діода

Формула / Реферат:

Корпус полупроводникового СВЧ-диода, со­держащий металлическое основание с присоединен­ной к нему металлизированной диэлектрической втулкой, верхний торец которой соединен с выво­дом диода, и крышку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажения энергетических ха­рактеристик СВЧ-диодов, в основании корпуса вы­полнен прямоугольный в сечении волноводный канал, ори этом плоскости симметрии волноводно-го канала и диэлектрической втулки...