Івахненко Сергій Олексійович

Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119729

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Бурченя Андрій Віталійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Лисаковський Валентин Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович

МПК: C01B 32/25, B01J 3/06

Мітки: затравці, стабільності, області, термодинамічно, монокристалів, вирощування, алмазу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності, що включає використання металічного розчинника та джерела вуглецю, розміщення їх в ростовій комірці з системою електрорезистивного нагріву, оснащеній пристроєм для вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що фіксування перетворення кристалічний стан ® рідина при плавленні сплаву розчинника визначають мінімумом електричного опору...

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Гордєєв Сергій Олексійович, Бурченя Андрій Віталійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Каленчук Віталій Анатолійович

МПК: C30B 7/00

Мітки: термодинамічно, високого, тиску, вирощування, пристрій, стабільності, монокристалів, температури, області, затравці, алмазу

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Спосіб виготовлення зондів скануючої тунельної мікроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 89625

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Цисар Максим Олександрович, Чепугов Олексій Павлович, Шатохін Володимир Володимирович, Пащенко Євген Олександрович

МПК: G01Q 60/00

Мітки: спосіб, зондів, виготовлення, скануючої, мікроскопі, тунельної

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення зондів для скануючої тунельної мікроскопії, що включає виготовлення вістря зонда з використанням монокристалу алмазу, який вирощують на затравці, та його закріплення у металевому корпусі, який відрізняється тим, що для виготовлення вістря зонда використовують кристал алмазу, який має електричний опір 103÷107 Ом·м, з концентрацією домішки бору не менше ніж 1018 см-3.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється...

Спосіб виготовлення зондів скануючої тунельної мікроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 83170

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Чепугов Олексій Павлович, Івахненко Сергій Олексійович, Цисар Максим Олександрович

МПК: G01Q 60/00

Мітки: зондів, спосіб, мікроскопі, скануючої, тунельної, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення зондів для скануючої тунельної мікроскопії, що включає виготовлення вістря зонда з використанням монокристалу алмазу, який вирощують на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом температурного градієнта між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, який відрізняється тим, що для виготовлення вістря зонда використовують кристал алмазу, який має напівпровідникові властивості та...

Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 70965

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Чепугов Олексій Павлович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, затравці, алмазу, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом створення градієнта температури між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, що розміщені пошарово та розділені сплавом-розчинником вуглецю, при цьому градієнт температури встановлюється таким чином, щоб джерело вуглецю знаходилося в області, яку нагріто до максимальної для даного градієнта температури, а...

Спосіб отримання шліфпорошку синтетичного алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 84968

Опубліковано: 10.12.2008

Автори: Невструєв Георгій Феодосійович, Ільницька Галина Дмитриївна, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06, B24D 3/06

Мітки: отримання, синтетичного, алмазу, спосіб, шліфпорошку

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання шліфпорошку синтетичного алмазу, що включає магнітну сепарацію і хімічну обробку шліфпорошку синтетичного алмазу, який відрізняється тим, що хімічну обробку шліфпорошку синтетичного алмазу здійснюють перед магнітною сепарацією, а магнітну сепарацію здійснюють із виділенням у немагнітну фракцію зерен алмазу з магнітною сприйнятливістю не більше 6,6·10-8 м3/кг для порошків алмазу марок АС 15-АС 32 зернистостей 160/125 і...

Спосіб отримання шліфпорошку синтетичного алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 24759

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Ільницька Галина Дмитриївна, Невструєв Георгій Федосійович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06, B24D 3/06

Мітки: шліфпорошку, алмазу, спосіб, отримання, синтетичного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення шліфпорошку синтетичного алмазу, що включає магнітну сепарацію і хімічну обробку шліфпорошку синтетичного алмазу, який відрізняється тим, що хімічну обробку шліфпорошку синтетичного алмазу виконують перед магнітною сепарацією, а магнітну сепарацію здійснюють із виділенням у немагнітну фракцію зерен алмазу з магнітною сприйнятливістю не більше 3,4·10-8 м3/кг для порошків алмазу різних марок і зернистостей і не...

Контейнер пристрою високого тиску для одержання надтвердих матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 79716

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Виноградов Сергій Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович, Серга Максим Андрійович

МПК: B01J 3/00, B01J 3/06

Мітки: тиску, контейнер, матеріалів, надтвердих, високого, одержання, пристрою

Формула / Реферат:

1. Контейнер пристрою високого тиску для одержання надтвердих матеріалів, виконаний складеним з елементів з термо- та електроізоляційних матеріалів, які симетрично розташовані відносно його горизонтальної площини, з центральним отвором для розміщення реакційної комірки, який відрізняється тим, що елементи контейнера, які виконані з термо- та електроізоляційних матеріалів, мають різні фізико-механічні властивості.2. Контейнер за п. 1,...

Контейнер пристрою високого тиску для отримання надтвердих матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 20225

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Виноградов Сергій Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович, Серга Максим Андрійович

МПК: B01J 3/06

Мітки: тиску, отримання, пристрою, високого, надтвердих, контейнер, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Контейнер пристрою високого тиску для отримання надтвердих матеріалів, виконаний складеним з термо- та електроізоляційних матеріалів, елементи якого симетричні відносно горизонтальної площини, з центральним отвором для розміщення реакційної комірки, який відрізняється тим, що елементи контейнера виконані з матеріалів з різними фізико-механічними властивостями.2. Контейнер за п. 1, який відрізняється тим, що його центральна...

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 77918

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Лисаковський Валентин Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Марков Андрій Іванович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: H05B 3/12, B01J 3/06

Мітки: нагрівача, комірки, тиску, високого, шихта, виготовлення

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску, що містить порошки графіту - 5-25 мас. %, і принаймні одного оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп - 75-95 мас. %, яка відрізняється тим, що порошки графіту і оксиду(ів) з ряду перехідних металів IV-V груп мають розміри частинок 10-40 мкм, при цьому середній розмір частинок графіту в 2-4 рази менше, ніж середній розмір порошку(ів) оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп.

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 15221

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Лисаковський Валентин Володимирович, Марков Андрій Іванович

МПК: H05B 3/12, B01J 3/06

Мітки: високого, шихта, нагрівача, тиску, комірки, виготовлення

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску, що містить порошки 5-25 ваг. % графіту і 75-95 ваг. % принаймні одного оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп, яка відрізняється тим, що порошки графіту і оксиду(ів) з ряду перехідних металів IV-V груп мають розміри частинок 10-40 мкм, при цьому середній розмір частинок графіту в 2-4 разів менший, ніж середній розмір порошку(ів) оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп.

Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 8143

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Шевчук Сергій Миколайович, Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Марков Андрій Іванович, Заневський Олег Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: затравці, спосіб, монокристалів, алмазу, синтезу

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці, який передбачає створення початкового перепаду температури між алмазною затравкою і джерелом вуглецю, які розділені розташованою між ними масою металічного каталізатора-розчинника, який полягає у прикладанні високого тиску і температури Т0 до розміщених пошарово в реакційній зоні джерела вуглецю, металічного каталізатора-розчинника і кристала затравки, причому алмазну затравку нагрівають до...

Шихта для виготовлення контейнера апарата високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 58198

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Серга Максим Андрійович, Заневський Олег Олексійович, Виноградов Сергій Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович, Шевчук Сергій Миколайович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: B01J 3/06

Мітки: шихта, тиску, високого, виготовлення, апарата, контейнера

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення контейнера апарата високого тиску, яка містить теплоелектроізоляційний пружно-пластичний матеріал - тальк, тугоплавкий матеріал на основі окису цирконію та зв'язуюче, яка відрізняється тим, що як зв'язуюче вона містить рідке скло при наступному співвідношенні компонентів, мас %: тальк 8-25 тугоплавкий матеріал на основі окису цирконію 70-90 ...

Апарат високого тиску і температури

Завантаження...

Номер патенту: 47797

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06

Мітки: високого, тиску, апарат, температури

Формула / Реферат:

Апарат високого тиску і температури, що містить реакційний об'єм для пошарового розміщення в ньому металевого каталізатора-розчинника, джерела вуглецю і принаймні одного кристала-затравки, охоплений з усіх боків оболонкою з електро- та теплоізолюючого матеріалу, яка в свою чергу по бічній поверхні охоплена трубчастим нагрівачем, а на торцях розміщені пластинчаті нагрівачі, виконані з суміші графіту і цирконієвмісного матеріалу, а на торцях...

Апарат високого тиску і температури

Завантаження...

Номер патенту: 32284

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Новіков Микола Васильович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: B01J 3/06

Мітки: високого, температури, апарат, тиску

Текст:

...об'єм дая пошарового розміщення в ньому металевого каталізатора-розчинника І .джерела вуглецю 2 і принаймі одного кристала-затравки 3,охоплений з усіх боків оболонкою 4 з електрота теплоІзолюючого матеріалу,яка в свою чергу по бічній поверхні охоплена трубчатим нагрівачем 5,а на торцях розміщені пластинчаті нагріва чі 6,7,пр ичому джер ело вугле цю 2 та метале вий каталізатор-розчинник І розміщені вздовж осі симетрії реакційного об'єму...

Апарат високого тиску і температури

Завантаження...

Номер патенту: 31987

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Новіков Микола Васильович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: B01J 13/06

Мітки: апарат, високого, тиску, температури

Текст:

...ів по в ин на бу ти те ж с т аб іл ьн ою ,щ о з а бе зп еч ую ть ся технологією виготовлення нагрівачів :матеріал нагрівачів спочатку розмільчується,перемішується,а потім пресується.Так як пластинчаті нагрівачі.як правило,виготовляються з графіту,а графіт майже усіх марок пресується погано,то в якості матеріалу дая пластинчатих нагрівачів можна використати суміш порошків графіта любої марки і цирконію,що пресується добре. На кресленнях,фіг.І...

Шихта для виготовлення контейнера апарата високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 24070

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Виноградов Сергій Олександрович, Ляшенко Олександр Федорович, Давидов Микола Олексійович, Доценко Василь Михайлович

МПК: C04B 35/00

Мітки: контейнера, виготовлення, тиску, високого, апарата, шихта

Формула / Реферат:

1. Шихта для изготовления контейнера аппарата высокого давления, содержащая теплоэлектроизоляционный упругопласти-ческий материал и гидратационный вяжущий материал, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит органическое связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:Теплоэлектроизоляционный упругопластический материал      65-90Гидратационный вяжущий материал                                      ...

Шихта для виготовлення нагрівача пристрою високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 20283

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Доценко Василь Михайлович, Виноградов Сергій Олександрович, Терентьєв Сергій Олександрович

МПК: B01J 3/06

Мітки: тиску, нагрівача, високого, пристрою, шихта, виготовлення

Формула / Реферат:

Шихта для изготовления нагревателя уст­ройства высокого давления, содержащая электро­проводный и теплоэлектроизоляционный мате­риалы, отличающаяся тем, что линейные размеры частиц теплоэлектроизоляционного материала не менее, чем в 4 раза превышают линейные размеры частиц электропроводного материала при следую­щем соотношении компонентов шихты (мас.%):Электропроводный материал                                            10-30...

Спосіб синтезу алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 11294

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Івлєв Алєксандр Алєксєєвіч, Доценко Василь Михайлович, Ушаков Валєрій Константіновіч, Кацай Маргарита Яківна, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06

Мітки: спосіб, синтезу, алмазу

Формула / Реферат:

Способ синтеза алмаза, включающий воздей­ствие высокого давления и температуры, соответст­вующих области термодинамической стабильности алмаза, на реакционную смесь металла-растворите­ля с графитом, отличающийся тем, что используют металл-растворитель пластинчатой формы, размеры частиц которого имеют толщину d=30-600 мкм, длину а=500-4000 мкм, ширину с = (0,2-1,0)а.

Шихта для виготовлення контейнерів апаратів високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 11275

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Кацай Маргарита Яківна, Доценко Василь Михайлович, Виноградов Сергій Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович, Ляшенко Олександр Федорович, Давидов Микола Олексійович

МПК: C04B 35/22

Мітки: високого, шихта, тиску, контейнерів, виготовлення, апаратів

Формула / Реферат:

Шихта для изготовления контейнеров аппа­ратов высокого давления, содержащая наполни­тель на основе известняка и связующее, отличаю­щаяся тем, что в качестве наполнителя она содер­жит известняк, величина условной твердости кото­рого составляет 100-300 МПа, при следующем соот­ношении компонентов, мас.%:наполнитель             80-95связующее                 5-20.

Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 6823

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Чіпенко Георгій Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: затравці, алмазу, синтезу, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1.Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную затравку нагревают до температуры,...

Спосіб одержання алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 2911

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Терентьєв Сергій Олександрович, Кацай Маргарита Яківна, Поляков Владімір Прокофьєвіч, Івахненко Сергій Олексійович, Черних Роман Олеговіч, Чіпенко Георгій Володимирович, Давидов Микола Олексійович, Доценко Василь Михайлович

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06

Мітки: алмазу, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Способ получения алмаза путем воздействия высокого давления, и температуры в области термодинамической стабильности алмаза на шихту, содержащую графит и катализатор-растворитель, отличающийся тем, что в шихту предварительно вводят добавку, разлагающуюся в условиях процесса с образованием водорода в количестве, обеспечивающем содержание водорода 0,002-0,03 масс. % от массы катализатора-растворителя, а графит и катализатор-растворитель берут...

Шихта для виготовлення контейнера апарату високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 1917

Опубліковано: 20.12.1994

Автори: Виноградов Сергій Олександрович, Давидов Микола Олексійович, Доценко Василь Михайлович, Мельник Віталій Іванович, Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Якименко Валерян Дмитрович, Ляшенко Олександр Федорович

МПК: B01J 3/06

Мітки: тиску, шихта, високого, апарату, виготовлення, контейнера

Формула / Реферат:

1. Шихта для изготовления контейнера аппарата высокого давления для синтеза сверхтвердых материалов, содержащая теплоэлектроизоляционные упругопластический материал и тугоплавкий материал на основе окиси циркония и органическое связующее, отличающаяся тем, что она содержит компоненты при следующем их соотношении, в мас. %: упруго-пластичный материал 15-80 тугоплавкий материал на основе окиси...

Спосіб синтезу монокристалів алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 1372

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович, Вітюк Віктор Іванович, Заневський Олег Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, синтезу, алмазу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза путем воздействия высокого давления и темпера­туры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостой­кости монокристаллов алмаза, в качестве источ­ника углерода используют алмазные зерна разме­ром не менее 100 мкм, предварительно пропитан­ные металлом или сплавом, растворяющимся в...

Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 1374

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: C01B 31/06

Мітки: алмазу, затравці, спосіб, монокристалів, синтезу

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализато­ра-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источ­ника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращива­емого...

Шіхта для виготовлення деталей контейнеру камери високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 1373

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Виноградов Сергій Олександрович, Шульженко Олександр Олександрович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: B01J 3/04, C04B 35/48

Мітки: виготовлення, тиску, контейнеру, високого, камери, шихта, деталей

Формула / Реферат:

Шихта для изготовления деталей контейнера камеры высокого давлення, включающая галогенид щелочного металла и оксид, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности давления, в реакционной ячейке контейнера и снижения потреб­ляемой мощности нагрева, она в качестве оксида со­держит стабилизированный диоксид циркония, при следующем соотношении компонентов, об. %:галогенид щелочного металла                          30—95...

Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 2

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Новіков Микола Васильович

МПК: B01J 3/00, C01B 31/06, C30B 1/00 ...

Мітки: монокристалів, алмазу, спосіб, синтезу, затравці

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий создание начального перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, которые разделены расположенной между ними массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную...