Івахненко Сергій Олексійович

Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119729

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Гуцу Ольга Сергіївна, Лисаковський Валентин Володимирович, Бурченя Андрій Віталійович, Івахненко Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Гордєєв Сергій Олексійович

МПК: B01J 3/06, C01B 32/25

Мітки: вирощування, області, спосіб, алмазу, стабільності, затравці, термодинамічно, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності, що включає використання металічного розчинника та джерела вуглецю, розміщення їх в ростовій комірці з системою електрорезистивного нагріву, оснащеній пристроєм для вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що фіксування перетворення кристалічний стан ® рідина при плавленні сплаву розчинника визначають мінімумом електричного опору...

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Гордєєв Сергій Олексійович, Івахненко Сергій Олексійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Бурченя Андрій Віталійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Лисаковський Валентин Володимирович

МПК: C30B 7/00

Мітки: тиску, термодинамічно, монокристалів, температури, вирощування, затравці, алмазу, стабільності, області, пристрій, високого

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Спосіб виготовлення зондів скануючої тунельної мікроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 89625

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Цисар Максим Олександрович, Чепугов Олексій Павлович, Івахненко Сергій Олексійович, Шатохін Володимир Володимирович, Пащенко Євген Олександрович

МПК: G01Q 60/00

Мітки: спосіб, мікроскопі, виготовлення, скануючої, тунельної, зондів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення зондів для скануючої тунельної мікроскопії, що включає виготовлення вістря зонда з використанням монокристалу алмазу, який вирощують на затравці, та його закріплення у металевому корпусі, який відрізняється тим, що для виготовлення вістря зонда використовують кристал алмазу, який має електричний опір 103÷107 Ом·м, з концентрацією домішки бору не менше ніж 1018 см-3.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється...

Спосіб виготовлення зондів скануючої тунельної мікроскопії

Завантаження...

Номер патенту: 83170

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Чепугов Олексій Павлович, Цисар Максим Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: G01Q 60/00

Мітки: зондів, тунельної, спосіб, скануючої, виготовлення, мікроскопі

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення зондів для скануючої тунельної мікроскопії, що включає виготовлення вістря зонда з використанням монокристалу алмазу, який вирощують на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом температурного градієнта між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, який відрізняється тим, що для виготовлення вістря зонда використовують кристал алмазу, який має напівпровідникові властивості та...

Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 70965

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович, Чепугов Олексій Павлович

МПК: C01B 31/06

Мітки: затравці, монокристалів, вирощування, алмазу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом створення градієнта температури між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, що розміщені пошарово та розділені сплавом-розчинником вуглецю, при цьому градієнт температури встановлюється таким чином, щоб джерело вуглецю знаходилося в області, яку нагріто до максимальної для даного градієнта температури, а...

Спосіб отримання шліфпорошку синтетичного алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 84968

Опубліковано: 10.12.2008

Автори: Ільницька Галина Дмитриївна, Івахненко Сергій Олексійович, Невструєв Георгій Феодосійович

МПК: C01B 31/06, B24D 3/06

Мітки: алмазу, синтетичного, отримання, спосіб, шліфпорошку

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання шліфпорошку синтетичного алмазу, що включає магнітну сепарацію і хімічну обробку шліфпорошку синтетичного алмазу, який відрізняється тим, що хімічну обробку шліфпорошку синтетичного алмазу здійснюють перед магнітною сепарацією, а магнітну сепарацію здійснюють із виділенням у немагнітну фракцію зерен алмазу з магнітною сприйнятливістю не більше 6,6·10-8 м3/кг для порошків алмазу марок АС 15-АС 32 зернистостей 160/125 і...

Спосіб отримання шліфпорошку синтетичного алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 24759

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Невструєв Георгій Федосійович, Ільницька Галина Дмитриївна, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: B24D 3/06, C01B 31/06

Мітки: алмазу, шліфпорошку, отримання, спосіб, синтетичного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення шліфпорошку синтетичного алмазу, що включає магнітну сепарацію і хімічну обробку шліфпорошку синтетичного алмазу, який відрізняється тим, що хімічну обробку шліфпорошку синтетичного алмазу виконують перед магнітною сепарацією, а магнітну сепарацію здійснюють із виділенням у немагнітну фракцію зерен алмазу з магнітною сприйнятливістю не більше 3,4·10-8 м3/кг для порошків алмазу різних марок і зернистостей і не...

Контейнер пристрою високого тиску для одержання надтвердих матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 79716

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Виноградов Сергій Олександрович, Серга Максим Андрійович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: B01J 3/00, B01J 3/06

Мітки: одержання, високого, контейнер, пристрою, тиску, надтвердих, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Контейнер пристрою високого тиску для одержання надтвердих матеріалів, виконаний складеним з елементів з термо- та електроізоляційних матеріалів, які симетрично розташовані відносно його горизонтальної площини, з центральним отвором для розміщення реакційної комірки, який відрізняється тим, що елементи контейнера, які виконані з термо- та електроізоляційних матеріалів, мають різні фізико-механічні властивості.2. Контейнер за п. 1,...

Контейнер пристрою високого тиску для отримання надтвердих матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 20225

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Виноградов Сергій Олександрович, Серга Максим Андрійович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: B01J 3/06

Мітки: пристрою, надтвердих, матеріалів, отримання, високого, контейнер, тиску

Формула / Реферат:

1. Контейнер пристрою високого тиску для отримання надтвердих матеріалів, виконаний складеним з термо- та електроізоляційних матеріалів, елементи якого симетричні відносно горизонтальної площини, з центральним отвором для розміщення реакційної комірки, який відрізняється тим, що елементи контейнера виконані з матеріалів з різними фізико-механічними властивостями.2. Контейнер за п. 1, який відрізняється тим, що його центральна...

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 77918

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Білоусов Ігор Святославович, Лисаковський Валентин Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Марков Андрій Іванович

МПК: B01J 3/06, H05B 3/12

Мітки: тиску, комірки, виготовлення, високого, нагрівача, шихта

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску, що містить порошки графіту - 5-25 мас. %, і принаймні одного оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп - 75-95 мас. %, яка відрізняється тим, що порошки графіту і оксиду(ів) з ряду перехідних металів IV-V груп мають розміри частинок 10-40 мкм, при цьому середній розмір частинок графіту в 2-4 рази менше, ніж середній розмір порошку(ів) оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп.

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 15221

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Марков Андрій Іванович, Івахненко Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: B01J 3/06, H05B 3/12

Мітки: шихта, тиску, високого, виготовлення, комірки, нагрівача

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення нагрівача комірки високого тиску, що містить порошки 5-25 ваг. % графіту і 75-95 ваг. % принаймні одного оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп, яка відрізняється тим, що порошки графіту і оксиду(ів) з ряду перехідних металів IV-V груп мають розміри частинок 10-40 мкм, при цьому середній розмір частинок графіту в 2-4 разів менший, ніж середній розмір порошку(ів) оксиду з ряду перехідних металів IV-V груп.

Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 8143

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Шевчук Сергій Миколайович, Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Марков Андрій Іванович, Заневський Олег Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, синтезу, алмазу, монокристалів, затравці

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці, який передбачає створення початкового перепаду температури між алмазною затравкою і джерелом вуглецю, які розділені розташованою між ними масою металічного каталізатора-розчинника, який полягає у прикладанні високого тиску і температури Т0 до розміщених пошарово в реакційній зоні джерела вуглецю, металічного каталізатора-розчинника і кристала затравки, причому алмазну затравку нагрівають до...

Шихта для виготовлення контейнера апарата високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 58198

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Заневський Олег Олексійович, Виноградов Сергій Олександрович, Серга Максим Андрійович, Білоусов Ігор Святославович, Шевчук Сергій Миколайович

МПК: B01J 3/06

Мітки: апарата, шихта, високого, контейнера, тиску, виготовлення

Формула / Реферат:

Шихта для виготовлення контейнера апарата високого тиску, яка містить теплоелектроізоляційний пружно-пластичний матеріал - тальк, тугоплавкий матеріал на основі окису цирконію та зв'язуюче, яка відрізняється тим, що як зв'язуюче вона містить рідке скло при наступному співвідношенні компонентів, мас %: тальк 8-25 тугоплавкий матеріал на основі окису цирконію 70-90 ...

Апарат високого тиску і температури

Завантаження...

Номер патенту: 47797

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06

Мітки: апарат, високого, температури, тиску

Формула / Реферат:

Апарат високого тиску і температури, що містить реакційний об'єм для пошарового розміщення в ньому металевого каталізатора-розчинника, джерела вуглецю і принаймні одного кристала-затравки, охоплений з усіх боків оболонкою з електро- та теплоізолюючого матеріалу, яка в свою чергу по бічній поверхні охоплена трубчастим нагрівачем, а на торцях розміщені пластинчаті нагрівачі, виконані з суміші графіту і цирконієвмісного матеріалу, а на торцях...

Апарат високого тиску і температури

Завантаження...

Номер патенту: 32284

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Новіков Микола Васильович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: B01J 3/06

Мітки: апарат, тиску, високого, температури

Текст:

...об'єм дая пошарового розміщення в ньому металевого каталізатора-розчинника І .джерела вуглецю 2 і принаймі одного кристала-затравки 3,охоплений з усіх боків оболонкою 4 з електрота теплоІзолюючого матеріалу,яка в свою чергу по бічній поверхні охоплена трубчатим нагрівачем 5,а на торцях розміщені пластинчаті нагріва чі 6,7,пр ичому джер ело вугле цю 2 та метале вий каталізатор-розчинник І розміщені вздовж осі симетрії реакційного об'єму...

Апарат високого тиску і температури

Завантаження...

Номер патенту: 31987

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Новіков Микола Васильович, Білоусов Ігор Святославович, Івахненко Сергій Олексійович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: B01J 13/06

Мітки: високого, температури, тиску, апарат

Текст:

...ів по в ин на бу ти те ж с т аб іл ьн ою ,щ о з а бе зп еч ую ть ся технологією виготовлення нагрівачів :матеріал нагрівачів спочатку розмільчується,перемішується,а потім пресується.Так як пластинчаті нагрівачі.як правило,виготовляються з графіту,а графіт майже усіх марок пресується погано,то в якості матеріалу дая пластинчатих нагрівачів можна використати суміш порошків графіта любої марки і цирконію,що пресується добре. На кресленнях,фіг.І...

Шихта для виготовлення контейнера апарата високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 24070

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Ляшенко Олександр Федорович, Виноградов Сергій Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович, Давидов Микола Олексійович, Доценко Василь Михайлович

МПК: C04B 35/00

Мітки: апарата, високого, тиску, виготовлення, контейнера, шихта

Формула / Реферат:

1. Шихта для изготовления контейнера аппарата высокого давления, содержащая теплоэлектроизоляционный упругопласти-ческий материал и гидратационный вяжущий материал, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит органическое связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:Теплоэлектроизоляционный упругопластический материал      65-90Гидратационный вяжущий материал                                      ...

Шихта для виготовлення нагрівача пристрою високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 20283

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Доценко Василь Михайлович, Виноградов Сергій Олександрович, Терентьєв Сергій Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: B01J 3/06

Мітки: нагрівача, високого, пристрою, шихта, тиску, виготовлення

Формула / Реферат:

Шихта для изготовления нагревателя уст­ройства высокого давления, содержащая электро­проводный и теплоэлектроизоляционный мате­риалы, отличающаяся тем, что линейные размеры частиц теплоэлектроизоляционного материала не менее, чем в 4 раза превышают линейные размеры частиц электропроводного материала при следую­щем соотношении компонентов шихты (мас.%):Электропроводный материал                                            10-30...

Спосіб синтезу алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 11294

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Івлєв Алєксандр Алєксєєвіч, Доценко Василь Михайлович, Івахненко Сергій Олексійович, Кацай Маргарита Яківна, Ушаков Валєрій Константіновіч

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06

Мітки: алмазу, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

Способ синтеза алмаза, включающий воздей­ствие высокого давления и температуры, соответст­вующих области термодинамической стабильности алмаза, на реакционную смесь металла-растворите­ля с графитом, отличающийся тем, что используют металл-растворитель пластинчатой формы, размеры частиц которого имеют толщину d=30-600 мкм, длину а=500-4000 мкм, ширину с = (0,2-1,0)а.

Шихта для виготовлення контейнерів апаратів високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 11275

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Кацай Маргарита Яківна, Давидов Микола Олексійович, Івахненко Сергій Олексійович, Доценко Василь Михайлович, Ляшенко Олександр Федорович, Виноградов Сергій Олександрович

МПК: C04B 35/22

Мітки: контейнерів, високого, тиску, шихта, виготовлення, апаратів

Формула / Реферат:

Шихта для изготовления контейнеров аппа­ратов высокого давления, содержащая наполни­тель на основе известняка и связующее, отличаю­щаяся тем, что в качестве наполнителя она содер­жит известняк, величина условной твердости кото­рого составляет 100-300 МПа, при следующем соот­ношении компонентов, мас.%:наполнитель             80-95связующее                 5-20.

Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 6823

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Чіпенко Георгій Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Будяк Олександр Ананійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: затравці, монокристалів, алмазу, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

1.Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную затравку нагревают до температуры,...

Спосіб одержання алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 2911

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Доценко Василь Михайлович, Давидов Микола Олексійович, Кацай Маргарита Яківна, Чіпенко Георгій Володимирович, Поляков Владімір Прокофьєвіч, Черних Роман Олеговіч, Терентьєв Сергій Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06

Мітки: спосіб, одержання, алмазу

Формула / Реферат:

1. Способ получения алмаза путем воздействия высокого давления, и температуры в области термодинамической стабильности алмаза на шихту, содержащую графит и катализатор-растворитель, отличающийся тем, что в шихту предварительно вводят добавку, разлагающуюся в условиях процесса с образованием водорода в количестве, обеспечивающем содержание водорода 0,002-0,03 масс. % от массы катализатора-растворителя, а графит и катализатор-растворитель берут...

Шихта для виготовлення контейнера апарату високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 1917

Опубліковано: 20.12.1994

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Давидов Микола Олексійович, Мельник Віталій Іванович, Виноградов Сергій Олександрович, Якименко Валерян Дмитрович, Ляшенко Олександр Федорович, Доценко Василь Михайлович

МПК: B01J 3/06

Мітки: тиску, високого, контейнера, шихта, виготовлення, апарату

Формула / Реферат:

1. Шихта для изготовления контейнера аппарата высокого давления для синтеза сверхтвердых материалов, содержащая теплоэлектроизоляционные упругопластический материал и тугоплавкий материал на основе окиси циркония и органическое связующее, отличающаяся тем, что она содержит компоненты при следующем их соотношении, в мас. %: упруго-пластичный материал 15-80 тугоплавкий материал на основе окиси...

Спосіб синтезу монокристалів алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 1372

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Чіпенко Георгій Володимирович, Заневський Олег Олексійович, Вітюк Віктор Іванович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, монокристалів, синтезу, алмазу

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза путем воздействия высокого давления и темпера­туры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостой­кости монокристаллов алмаза, в качестве источ­ника углерода используют алмазные зерна разме­ром не менее 100 мкм, предварительно пропитан­ные металлом или сплавом, растворяющимся в...

Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 1374

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Чіпенко Георгій Володимирович, Білоусов Ігор Святославович, Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: затравці, алмазу, монокристалів, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализато­ра-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источ­ника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращива­емого...

Шіхта для виготовлення деталей контейнеру камери високого тиску

Завантаження...

Номер патенту: 1373

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Чіпенко Георгій Володимирович, Виноградов Сергій Олександрович, Івахненко Сергій Олексійович, Шульженко Олександр Олександрович, Білоусов Ігор Святославович

МПК: C04B 35/48, B01J 3/04

Мітки: контейнеру, високого, тиску, деталей, шихта, виготовлення, камери

Формула / Реферат:

Шихта для изготовления деталей контейнера камеры высокого давлення, включающая галогенид щелочного металла и оксид, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности давления, в реакционной ячейке контейнера и снижения потреб­ляемой мощности нагрева, она в качестве оксида со­держит стабилизированный диоксид циркония, при следующем соотношении компонентов, об. %:галогенид щелочного металла                          30—95...

Спосіб синтезу монокристалів алмазу на затравці

Завантаження...

Номер патенту: 2

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Будяк Олександр Ананійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Новіков Микола Васильович

МПК: C01B 31/06, B01J 3/00, C30B 1/00 ...

Мітки: синтезу, спосіб, алмазу, затравці, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий создание начального перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, которые разделены расположенной между ними массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную...