H01M 6/00 — Первинні елементи; їх виготовлення

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Мікула Маріан, Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: тонкої, міді, йодид-пентатіофосфату, основі, cu6ps5i, плівки, матеріалу, рентгенівського, реєстрації, застосування, випромінювання

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді сu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Чомоляк Артем Анатолійович, Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: плівки, сu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, твердоелектролітичного, джерела, енергії, матеріалу, аморфної, застосування, міді, основі

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Чомоляк Артем Анатолійович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: джерела, застосування, твердоелектролітичного, cu6ps5i, плівки, аморфної, міді, енергії, основі, йодид-пентатіофосфату, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді cu6pse5i

Завантаження...

Номер патенту: 64545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: йодид-пентаселенофосфату, cu6pse5i, джерела, твердоелектролітичного, міді, основі, матеріал, енергії

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I.

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Прітц Іван Павлович

МПК: H01M 6/00

Мітки: матеріал, cu6ps5i, енергії, суперіонної, основі, кераміки, йодид-пентатіофосфату, джерела, міді, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: кераміки, основі, твердоелектролітичного, міді, йодид-пентатіофосфату, суперіонної, застосування, енергії, джерела, матеріалу, мікрокристалічного, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб вилучення цінних компонентів з відпрацьованих джерел живлення

Завантаження...

Номер патенту: 43482

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Козуб Павло Анатолійович, Грінь Григорій Іванович, Панчева Ганна Михайлівна, Лавренко Антоніна Олександрівна, Козуб Світлана Миколаївна

МПК: B09B 3/00, H01M 10/54, H01M 6/00 ...

Мітки: живлення, спосіб, джерел, цінних, вилучення, відпрацьованих, компонентів

Формула / Реферат:

Спосіб вилучення цінних компонентів з відпрацьованих джерел живлення за допомогою їх контактування з розчином мінеральної кислоти, який відрізняється тим, що процес вилучення проводять у два прийоми з різною початковою концентрацією кислоти.

Спосіб отримання активного матеріалу для літієвих та літій-іонних батарей

Завантаження...

Номер патенту: 85475

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Марковський Борис, Орбах Дорон, Шембель Олена Мойсіівна, Нагірний Віктор Михайлович, Апостолова Раїса Данилівна

МПК: H01M 6/00, H01M 4/00

Мітки: літієвих, батарей, спосіб, літій-іонних, активного, отримання, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання активного матеріалу для літієвих та літій-іонних батарей катодним відсадженням на підкладці з нержавіючої сталі або алюмінію з водного розчину, що містить сіль сульфідутворюючого металу та сіркогенної сполуки, наприклад сульфати заліза, нікелю, міді та тіосульфат натрію, у вигляді безбаластового катодного покриття, який відрізняється тим, що метал-сульфідний матеріал отримують при температурі 20-65 °С, густині струму 2,5-10,0...

Пристрій для отримання електричної енергії

Завантаження...

Номер патенту: 84117

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Шумінський Генрік Генрікович, Челомбітко Ігор Васильович, Гетьман Олександр Іванович

МПК: H01G 4/00, H01M 6/00

Мітки: отримання, пристрій, енергії, електричної

Формула / Реферат:

Пристрій для отримання електричної енергії, що включає корпус з пакетом пластин обох знаків, між пластинами знаходиться шар сегнетоелектрика, пристрій містить зарядову пластину, відокремлену від інших шаром сегнетоелектрика, який відрізняється тим, що зарядова пластина виконана з біполярного електрета, наприклад з політетрафторетилену, поліетилентерефталату, полікарбонату, титанату кальцію, скла, ситалів і ін., а як сегнетоелектрик...

Застосування йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5і для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 83930

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: міді, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, енергії, твердоелектролітичного, застосування, джерела

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Сu6PS5І як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб виготовлення позитивного електрода для плаского гнучкого джерела струму

Завантаження...

Номер патенту: 30942

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Болдирєв Євген Іванович, Сергєєнко Сергій Сергійович, Стадник Ольга Олександрівна, Іванова Наталія Дмитрівна, Гончарук Григорій Миколайович, Токар Олег Володимирович

МПК: H01M 4/50, H01M 6/00

Мітки: джерела, електрода, плаского, спосіб, гнучкого, струму, позитивного, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення позитивного електрода для плаского гнучкого хімічного джерела струму, що включає літієвий анод, сепаратор, органічний електроліт, катод з діоксиду мангану, з подальшою обробкою, який відрізняться тим, що до діоксиду мангану додають розчин гідроксиду літію у співвідношенні 1:(1,3-1,5), а термообробку проводять при температурі 298-301 °С протягом однієї години.

Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи

Завантаження...

Номер патенту: 5572

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Байрачний Борис Іванович, Коваленко Юлія Іванівна

МПК: H01M 6/00

Мітки: елемент, мангано-магнієвої, гальванічний, системі

Формула / Реферат:

Гальванічний елемент мангано-магнієвої системи, який містить анод з магнієвого сплаву, катод з діоксиду мангану та електроліт на основі загущеного хлориду натрію, який відрізняється тим, що магнієвий анод містить 2-3 % Pb, а до складу електроліту додатково вводять хлористий амоній та хлорамін Б у наступному співвідношенні компонентів (г/дм3): натрію хлорид 10 амонію хлорид ...

Спосіб виготовлення гідридного електрода металогідридних хімічних джерел струму

Завантаження...

Номер патенту: 54182

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Загінайченко Світлана Юріївна, Данилов Михайло Олегович, Щур Дмитро Вікторович, Чупров Сергій Степанович, Пішук Василь Кирилович

МПК: H01M 6/00, H01M 4/58

Мітки: виготовлення, спосіб, гідридного, струму, електрода, металогідридних, джерел, хімічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гідридного електрода металогідридних хімічних джерел струму, що включає перемішування порошку воднесорбційного сплаву, додавання металу і зв'язуючого, висушування і наступне виготовлення електрода, який відрізняється тим, що метал до складу електрода вводиться шляхом нанесення на поверхню порошку тонкого шару металу мікроплакуванням окремих ділянок часток сплаву, так званих "активних центрів", хімічним,...

Джерело живлення на основі електрохімічних акумуляторів

Завантаження...

Номер патенту: 50468

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Губін Сергій Вікторович, Безручко Костянтин Васильович, Азарнов Олександр Леонідович, Василенко Анатолій Сергійович, Василенко Сергій Анатолійович

МПК: H01M 2/26, H01M 10/48, H01M 6/00 ...

Мітки: основі, джерело, живлення, електрохімічних, акумуляторів

Формула / Реферат:

Джерело живлення на основі електрохімічних акумуляторів, яке містить n акумуляторів і електронну систему контролю параметрів, яке відрізняється тим, що воно оснащене n конверторами, кожний з який з'єднаний з відповідним акумулятором і утворює з ними n каналів перетворення напруги, і комутатором цих каналів, через який виходи конверторів підключені паралельно до електронної системи контролю параметрів джерела живлення і до навантаження.

Установка для проточного нанесення гальванічних покриттів

Завантаження...

Номер патенту: 35860

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Солових Євген Костянтинович, Катеринич Станіслав Євгенович, Черновол Михайло Іванович, Солових Андрій Євгенович, Агліулін Роман Равілійович, Наливайко Володимир Миколайович, Шепеленко Ігор Віталійович

МПК: H01M 6/00

Мітки: покриттів, гальванічних, нанесення, проточного, установка

Формула / Реферат:

1. Установка для проточного нанесення гальванічних покриттів, яка складається з системи подачі повітря, яка містить компресор, ресивер нагнітання, повітряний фільтр, редуктор тиску, вентилі з електромагнітним приводом і трубопроводи, електричну чарунку та дві ємкості для електроліта, яка відрізня­ється тим, що ємкості виконані циліндричної форми з конусоподібним дном, при цьому з боку зрізаної вершини встановлений штуцер.2. Установка...

Літій трис(пентафторетил)трифторфосфат як компонент електроліту хімічних джерел струму

Завантаження...

Номер патенту: 26878

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ягупольський Лев Мусійович, Павленко Наталія Віталієвна, Ігнат'єв Микола Володимирович, Сємєній Валерій Якович, Коломєйцев Олександр Олександрович, Ягупольський Юрій Левович

МПК: H01M 6/00, C07F 9/09, C07F 1/00 ...

Мітки: литий, джерел, електроліту, трис(пентафторетил)трифторфосфат, компонент, струму, хімічних

Текст:

...(1F); вещество, хорошо растворимое в органических растворителях, таких как эфиры, ацетонитрил, пропиленкарбонат и др. и бСРз(1) - 80,26 м.д.; (3F); не растворимое в углеводородах. Устой30 чиво при 25°С в безводных условиях. *Ц(2) - 82,48 м.д. (6F); Полезные свойства заявляемого соединения определяются химической струкSF(2) - 88,33 мл.; 'J.P_F) 905,58 Гц (2F); турой и проявляются в высокой раствори- 116,23 м.д.; «Jmn 83,03 Гц мости в...

Хімічне джерело струму сr240150

Завантаження...

Номер патенту: 21211

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Перековець Петро Іванович, Малков Юрій Олександрович, Щипцов Олександр Анатолійович

МПК: H01M 6/00

Мітки: струму, сr240150, джерело, хімічне

Формула / Реферат:

1. Химический источник тока (ХИТ) электрохимической системы Li/MnO2, содержащий твердотельный катод, неводный апротонный электролит и литиевый анод, отличающийся тем, что применены: катодная масса по составу, представляющая собой смесь из обезвоженного термоактивированного диоксида марганца МnО2, углеродистой сажи (5-10%), фторопластовой суспензии (CF)n - (5%); в качестве электролита - обезвоженный органический электролит, состоящий из...