H01L 43/00 — Прилади з використанням гальваномагнітних або аналогічних магнітних ефектів; способи і пристрої, спеціально призначені для виготовлення та обробки цих приладів або їх частин

Багатофункційний датчик

Завантаження...

Номер патенту: 106175

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/22, H01L 43/00

Мітки: датчик, багатофункційний

Формула / Реферат:

Багатофункційний датчик, який містить терморезистор на основі ниткоподібного кристала з кристалографічною орієнтацією [111], який відрізняється тим, що додатково містить два тензорезистори з германію n-типу і р-типу провідності, закріплені на підкладці з немагнітного матеріалу паралельно один одному та перпендикулярно до терморезистора з кремнію р-типу провідності.

Вимірювач індукції магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 90927

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: індукції, магнітного, вимірювач, поля

Формула / Реферат:

Вимірювач індукції магнітного поля, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори, індуктивність, ємність, два джерела постійної напруги, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першою базою біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, друга база якого...

Вимірювач індукції магнітного поля з активним індуктивним елементом

Завантаження...

Номер патенту: 90926

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: магнітного, поля, індуктивним, активним, вимірювач, індукції, елементом

Формула / Реферат:

Вимірювач індукції магнітного поля з активним індуктивним елементом, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори, ємність, два джерела постійної напруги, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першою базою біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора,...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції з активним індуктивним елементом

Завантаження...

Номер патенту: 105402

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 43/00, G01R 33/06, H01L 29/82 ...

Мітки: пристрій, активним, мікроелектронний, вимірювання, індукції, індуктивним, елементом, магнітної

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання магнітної індукції з активним індуктивним елементом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком,...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 105401

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: вимірювання, мікроелектронний, магнітної, індукції, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий полюс...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 105400

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 43/00, H01L 29/82, G01R 33/06 ...

Мітки: мікроелектронний, виходом, індукції, магнітної, пристрій, частотним, вимірювання

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання магнітної індукції з частотним виходом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий полюс...

Сенсор магнітного поля з активним індуктивним елементом

Завантаження...

Номер патенту: 86606

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 43/00, H01L 29/82, G01R 33/09 ...

Мітки: магнітного, елементом, поля, активним, сенсор, індуктивним

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля з активним індуктивним елементом, який містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому другий вивід першого резистора підключений до першого виводу магніторезистора, другий полюс джерела постійної напруги з'єднаний із загальної шиною, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що введені біполярний двоколекторний транзистор, польовий...

Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора

Завантаження...

Номер патенту: 86605

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/09 ...

Мітки: сенсор, магніторезистора, поля, базі, магнітного

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора, який містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому другий вивід першого резистора підключений до першого виводу магніторезистора, другий полюс джерела постійної напруги з'єднаний із загальної шиною, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що введені біполярний двоколекторний транзистор, польовий двостоковий...

Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента холла

Завантаження...

Номер патенту: 86604

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Ярослав Олександрович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: H01L 43/00, G01R 33/06, H01L 29/82 ...

Мітки: магнітного, сенсор, базі, елемента, магніторезистора, поля, холла

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента Холла, який містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому другий вивід першого резистора підключений до першого виводу магніторезистора, другий полюс джерела постійної напруги з'єднаний із загальної шиною, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що введені біполярний двоколекторний транзистор,...

Мікроелектронний перетворювач магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 76463

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: мікроелектронний, перетворювач, магнітної, індукції

Формула / Реферат:

Мікроелектронний перетворювач магнітної індукції, що містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другі полюси першого та другого джерел постійної напруги об'єднані у загальну...

Газочутливий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 74835

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Швець Євген Якович, Зубко Євгенія Іванівна

МПК: H01L 43/00

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить поліровану пластину монокристалічного кремнію n-типу провідності, на тильній поверхні якої шляхом електролітичного травлення з фотошаблоном за умов освітлення утворені пористі шари кремнію, який відрізняється тим, що поверх пористих шарів кремнію на тильній стороні сформовано контактну наноструктуровану сітку з міді з розмірами до 600 нм і контакт з міді по торцю пористого кремнію, а на фронтальній стороні...

Вимірювач магнітнoї індукції

Завантаження...

Номер патенту: 74239

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Микулка Ірина Володимирівна, Мартинюк Володимир Валерійович, Сухоцький Олександр Миколайович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 43/00

Мітки: вимірювач, магнітної, індукції

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітної індукції, який містить п'ять резисторів, дві ємності, два біполярних транзистори, загальну шину, дві вихідні клеми та джерело постійної напруги, причому перший вивід третього резистора з'єднаний з другим виводом першого резистора, другий вивід третього резистора підключений до бази першого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з першим виводом четвертого резистора та першої ємності, другі виводи яких підключені...

Вимірювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 74238

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Сухоцький Олександр Миколайович, Микулка Ірина Володимирівна, Осадчук Володимир Степанович, Мартинюк Володимир Валерійович

МПК: H01L 43/00

Мітки: вимірювач, магнітного, поля

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля, який містить п'ять резисторів, дві ємності, два біполярних транзистори, загальну шину, дві вихідні клеми та джерело постійної напруги, причому перший вивід третього резистора з'єднаний з другим виводом першого резистора, другий вивід третього резистора підключений до бази першого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з першим виводом четвертого резистора та першої ємності, другі виводи яких підключені до...

Сенсор магнітного поля з активним індуктивним елементом

Завантаження...

Номер патенту: 72255

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: елементом, поля, магнітного, активним, сенсор, індуктивним

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля з активним індуктивним елементом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його...

Частотний вимірювач магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 72254

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: магнітної, вимірювач, частотний, індукції

Формула / Реферат:

Частотний вимірювач магнітної індукції, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключений до першого виводу другого резистора, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора...

Мікроелектронний частотний сенсор магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 71878

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: H01L 43/00, H01L 29/82, G01R 33/06 ...

Мітки: поля, мікроелектронний, сенсор, магнітного, частотний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний частотний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його...

Мікроелектронний сенсор магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 70968

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Ющенко Юрій Андрійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 43/00, H01L 29/82, G01R 33/06 ...

Мітки: магнітного, сенсор, мікроелектронний, поля

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий...

Вимірювач магнітної індукції з активним індуктивним елементом

Завантаження...

Номер патенту: 70967

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Ющенко Юрій Андрійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: магнітної, елементом, індукції, вимірювач, індуктивним, активним

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітної індукції з активним індуктивним елементом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключений до першого виводу другого резистора, підкладка двостокового магніточутливого...

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 70192

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: магнітної, вимірювач, індукції, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключений до першого виводу другого резистора, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора...

Спосіб виготовлення контактного шару на антивідбиттєвому покритті сонячного елемента

Завантаження...

Номер патенту: 67830

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Зубко Євгенія Іванівна

МПК: H01L 43/00

Мітки: покритті, сонячного, виготовлення, елемента, антивідбиттєвому, контактного, шару, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення контактного шару на антивідбиттєвому покритті сонячного елемента, що включає електрохімічне травлення на лицьовій стороні кремнієвої підкладки для утворення антивідбиттєвого покриття і нанесення контактної сітки, який відрізняється тим, що після електрохімічного травлення просушують підкладку і наносять фталоціанін міді або фталоціанін алюмінію, після чого сушать протягом не більше 2 годин і відпалюють при температурах...

Мікроелектронний вимірювач магнітного поля з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 66286

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Процюк Тетяна Володимирівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: виходом, мікроелектронний, магнітного, вимірювач, поля, частотним

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції з частотним виходом, що містить три резистори, елемент Холла, другий вихід якого з'єднаний з першим виходом другого резистора, та джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено два біполярних транзистори, п'ять резисторів, дві ємності та котушку індуктивності, причому перший вихід першого резистора з'єднаний з першим виходом елемента Холла, другий його вихід з'єднаний з...

Сенсор магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 66045

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Стовбчата Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/00, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: сенсор, магнітного, поля

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля, який містить перший магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, другий магніточутливий діод, два резистори,...

Вимірювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 66031

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Стовбчата Ольга Петрівна

МПК: H01L 43/00, G01R 33/06

Мітки: поля, магнітного, вимірювач

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля, який містить магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, три резистори, індуктивність та ємність, причому перший вивід...

Вимірювач магнітного поля з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 62367

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Стовбчата Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: виходом, частотним, вимірювач, поля, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля з частотним виходом, який містить магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені три біполярних транзистори, шість резисторів та три ємності, причому перший вивід...

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 59007

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Стовбчата Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: мікроелектронний, магнітної, виміру, пристрій, індукції

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори, два джерела постійної напруги, двозатворний польовий транзистор, індуктивність і ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, другий вивід якого з'єднаний із першою базою біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, друга база...

Вимірювач потужності надвисоких частот на основі магніторезистивного ефекту

Завантаження...

Номер патенту: 32905

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Лаунець Віліен Львович, Олійник Віктор Валентинович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 43/00, G01R 21/12

Мітки: потужності, ефекту, основі, частот, магніторезистивного, надвисоких, вимірювач

Формула / Реферат:

Вимірювач потужності надвисоких частот (НВЧ) на основі магніторезистивного ефекту, що містить хвилевід, всередині якого розміщена магніторезистивна плівка, яка покрита діелектриком, та індикатор потужності, який відрізняється тим, що додатково містить ближньопольовий зонд, другий хвилевід, який має прямокутний поперечний переріз, на одному з кінців якого встановлені послідовно з'єднані НВЧ-генератор, вентиль, а на іншому - поршень, при цьому...

Спосіб вимірювання квазістаціонарного магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 82496

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Голяка Роман Любомирович, Гєрасімов Сєргєй Ніколаєвіч

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: спосіб, поля, квазістаціонарного, вимірювання, магнітного

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання квазістаціонарного магнітного поля, який включає вимірювання вихідної напруги гальваномагнітного перетворювача та наступний розрахунок індукції вимірюваного магнітного поля за виміряним значенням вихідної напруги та наперед відомою чутливістю гальваномагнітного перетворювача, яку визначають шляхом періодичного калібрування гальваномагнітного перетворювача через встановлення співвідношення між зміною магнітного поля та...

Багатопозиційний 3-d сенсор магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 74628

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: багатопозиційний, магнітного, поля, сенсор

Формула / Реферат:

Багатопозиційний 3-D сенсор магнітного поля, який містить декілька однакових вимірювальних перетворювачів, кожний з яких містить підкладку з сформованими на ній напівпровідниковою областю та контактами до неї, причому підкладки перетворювачів розміщені в різних площинах, який відрізняється тим, що містить шість перетворювачів, які утворюють шість сторін куба, причому напівпровідникові області кожного перетворювача розміщені по периметру...

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 72826

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: H01L 43/00, G01R 33/06

Мітки: перетворювач, вимірювальний, поля, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить сформовані на підкладці область напівпровідникового шару та з'єднані з цією областю два струмові виводи та декілька потенційних виводів, який відрізняється тим, що до кожного струмового виводу під'єднано  по одному потенційному виводу, а всі виводи перетворювача розміщені на підкладці тільки з однієї сторони області напівпровідникового шару.

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 72825

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Голяка Роман Любомирович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00

Мітки: вимірювальний, поля, перетворювач, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, який містить сформований на підкладці перетворювач Холла з двома струмовими та двома потенційними виводами та петлю електромагнітної компенсації з двома виводами, який відрізняється тим, що додатково на тій же підкладці сформований другий перетворювач Холла, їх струмові виводи  виконані спільними, а геометрична форма його потенційних виводів є дзеркально симетричною до геометричної форми петлі...

Вимірювальний перетворювач магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 72824

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Голяка Роман Любомирович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: H01L 43/00, G01R 33/06

Мітки: вимірювальний, поля, магнітного, перетворювач

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач магнітного поля, що містить напівпровідникову робочу область квадратної форми, яка обмежена по периметру зовнішньою ізолюючою областю, а в кутах напівпровідникової робочої області сформовані  чотири струмові контакти, між якими по сторонах сформовані чотири потенційні контакти, який відрізняється тим, що в центрі робочої області додатково сформована внутрішня ізолююча область.

Вимірювач магнітного поля і температури

Завантаження...

Номер патенту: 41659

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Столярчук Петро Гаврилович, Гінгін Микола Петрович, Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович

МПК: G01K 7/32, H01L 43/00

Мітки: поля, вимірювач, магнітного, температури

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала Si-Ge<Zn>, шар фериту Mn-Zn, який відрізняється тим. що терморезистор виконаний з двох послідовно з'єднаних чутливих елементів і розташований в шарі фериту, який виконано з суміші теплопровідної пасти і порошку фериту, і який нанесений на поверхню датчика...

Датчик для вимірювання температури і магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 33148

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Прохорович Анатолій Вікторович, Ющук Степан Іванович, Венгер Евген Федорович

МПК: G01K 7/00, H01L 43/00

Мітки: температури, вимірювання, датчик, магнітного, поля

Текст:

...Х-и,5 з питомим опором 5ии-Іши Омш контакти створені з привареного лудженого мідного дроту, закріпленого ІНДІЄМ. встановлено, що виготовлення чутливого елемента датчика а пресованого марганець-цинкового фериту даного складу І питомого опору *абе»~ печуе добру температурну чутливість датчика в Інтервалі U».,+IOU°C s коефіцієнтом тК0-£ 5&/R, а також його чутливість до магнітних полів s коефіцієнтом^^ Ом /тл дз Оскільки...

Багатофункціональний датчик

Завантаження...

Номер патенту: 28394

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Байцар Роман Іванович, Прохорович Анатолій Вікторович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Євген Федорович

МПК: G01K 7/16, G01B 7/00, H01L 43/00 ...

Мітки: багатофункціональний, датчик

Формула / Реферат:

1. Багатофункціональний датчик, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала, точкові контакти, який відрізняється тим, що чутливий елемент виготовлено з голчастого монокристала твердого розчину Si1-хGex складу х=0,05, легованого Zn, з питомим опором 0,5 Ом.см, чутливий елемент складається з 3-х частин, утворених 4-а точковими контактами так, що частина з сторони більшого поперечного перерізу використана як...