H01L 31/18 — способи і пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки таких приладів або їх частин

Спосіб виготовлення фотодіодів на антимоніді індію

Завантаження...

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Романюк Андрій Борисович, Голтвянський Юрій Васильович, Оберемок Олександр Степанович, Мельник Віктор Павлович, Кладько Василь Петрович, Федулов Віктор Васильович, Сафрюк Надія Володимирівна, Сабов Томаш Мар'янович

МПК: H01L 31/18, H01L 21/265

Мітки: антимоніді, виготовлення, фотодіодів, спосіб, індію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...

Спосіб виготовлення фотодіоду на антимоніді індію

Завантаження...

Номер патенту: 115173

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Попов Валентин Георгієвич, Романюк Борис Миколайович, Гудименко Олександр Йосипович, Мусаєв Сергій Мусаєвич, Педченко Юрій Миколайович, Дубіковський Олександр Володимирович, Калистий Геннадій Володимирович, Сапон Сергій Васильович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: виготовлення, спосіб, антимоніді, фотодіоду, індію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі кристалів антимоніду індію n-типу провідності, що включає в себе підготовку поверхні вихідної пластини антимоніду індію, формування легованих областей р-типу провідності, формування захисної плівки шляхом анодного окиснення (АОП) в електроліті, нанесення пасивуючої просвітлюючої діелектричної плівки та формування контактної системи, який відрізняється тим, що після формування захисної плівки АОП...

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Дюбуа Лоран, Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/14, C30B 28/06, C30B 11/00 ...

Мітки: напівпровідникових, виготовлення, спосіб, кристалізатор, заготовок, кристалічних, виробництва

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Спосіб термоциклічних випробувань сонячних фотоелектричних панелей

Завантаження...

Номер патенту: 103172

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Макаров Анатолій Володимирович, Дикуша Валерій Миколайович, Клюй Микола Іванович, Трубіцин Юрій Олександрович, Ганус Валерій Олександрович, Горбулик Володимир Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: фотоелектричних, термоциклічних, панелей, спосіб, випробувань, сонячних

Формула / Реферат:

Спосіб термоциклічних випробувань сонячних фотоелектричних панелей, що включає освітлення об'єкта термоциклювання світлом з густиною потоку випромінювання 500-600 сонць для вимірювання його фотоелектричних характеристик, після чого проводять n-циклів охолодження об'єкта газоподібним азотом та його нагрівання, після чого знову вимірюють фотоелектричні параметри об'єкта, який відрізняється тим, що об'єкт термоциклювання закріплюють тримачем і...

Спосіб тестування фоточутливих багатошарових структур

Завантаження...

Номер патенту: 110075

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Скришевський Валерій Антонович, Манілов Антон Ігорович, Литвиненко Сергій Васильович

МПК: H01L 31/18, H02S 50/10, G01N 21/27 ...

Мітки: тестування, фоточутлівих, структур, спосіб, багатошарових

Формула / Реферат:

Спосіб тестування фоточутливих багатошарових структур з визначенням вольт-амперних характеристик окремих шарів, що включає операції їх опромінення модульованим світлом, реєстрацію та обробку наведеного фотоелектричного сигналу, який відрізняється тим, що багатошарову структуру підключають до керованого потенціостата, за допомогою якого задають електричний струм та забезпечують гальваностатичний режим вимірювань; при цьому застосовують...

Кремнієвий фотоелектричний перетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 99050

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Соколовський Іван Івановіч, Плаксін Сергій Вікторович, Погоріла Любов Михайлівна, Дзензерський Віктор Олександрович, Бистров Микола Іванович, Лавріч Юрій Миколайович

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06

Мітки: перетворювач, кремнієвий, фотоелектричний

Формула / Реферат:

Кремнієвий фотоелектричний перетворювач, який містить розташовану на металевій пластині світлочутливу матрицю з напівпровідникового полімеру, що містить металеві наночастинки, з обмеженнями по концентрації вказаних частинок, прозорий провідний шар і електроконтактну сітку, який відрізняється тим, що додатково містить тришарову напівпровідникову структуру з аморфного кремнію, яка примикає до прозорого провідного шару з боку металевої...

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 106862

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Ященко Лариса Миколаївна, Подолян Артем Олександрович, Стебленко Людмила Петрівна, Курилюк Алла Миколаївна, Макара Володимир Арсенійович, Тодосійчук Тамара Тимофіївна, Кобзар Юлія Леонідівна, Калініченко Дмитро Володимирович

МПК: H01L 27/30, H01L 21/66, G01R 31/26 ...

Мітки: сонячних, коефіцієнта, дії, елементів, підвищення, спосіб, корисної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії сонячних елементів, виготовлених на основі кристалів кремнію сонячної якості, що використовуються для потреб сонячної енергетики, який відрізняється тим, що спочатку на поверхню кремнію сонячної якості наносять полімерну епоксіуретанову плівку товщиною 15-25 мкм, а потім витримують сформовані структури в стаціонарному магнітному полі з індукцією В = 0,15-0,19 Тл протягом 180-220 діб або в...

Радіометр енергетичної освітленості ультрафіолетового діапазону

Завантаження...

Номер патенту: 82801

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Юр'єв Василь Григорович, Добровольський Юрій Георгійович, Мельничук Степан Васильович, Гуржуй Руслан Дмитрович, Шабашкевич Борис Григорович, Воробець Георгій Іванович, Кузь Микола Андрійович

МПК: H01L 31/18

Мітки: радіометр, ультрафіолетового, освітленості, енергетичної, діапазону

Формула / Реферат:

Радіометр енергетичної освітленості ультрафіолетового діапазону, що містить радіометричну головку з двома фотосенсорами і подвійними світлофільтрами та мікропроцесорний вимірювальний блок з відповідним програмним забезпеченням, який відрізняється тим, що вимірювальний блок додатково містить двоканальний 16-розрядний аналогово-цифровий перетворювач з дельта-сигма модуляцією, енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій з об'ємом пам'яті не менше...

Пристрій для живлення геодезичних приладів в польових умовах

Завантаження...

Номер патенту: 76029

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Терещук Олексій Іванович, Тестова Олена Петрівна, Нисторяк Іван Олександрович, Тестов Віктор Павлович

МПК: H01L 31/18, H01L 31/042

Мітки: польових, пристрій, приладів, геодезичних, живлення, умовах

Формула / Реферат:

Пристрій для живлення геодезичних приладів в польових умовах, що містить сонячну панель, стабілізатор напруги, акумулятори, інвертор, блок живлення та зарядні пристрої, який відрізняється тим, що в ньому змонтовані та об'єднані різні варіанти зарядної схеми для усіх необхідних номіналів блоків живлення польових геодезичних приладів, при цьому вихід блока сонячної панелі електрично з'єднаний з входом блока стабілізатора напруги, виходи блока...

Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента

Завантаження...

Номер патенту: 73341

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Круковський Семен Іванович, Круковський Ростислав Семенович, Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: C23C 16/22, H01L 31/052, H01L 31/18 ...

Мітки: елемента, отримання, структури, спосіб, епітаксійної, сонячного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійної структури сонячного елемента на основі GalnP/GaAs з двома р-n переходами із газової фази, яка містить, як елементи третьої і п'ятої груп, триметилгалій (TMGa), триметилалюміній (ТМА1), арсин (АН3) та фосфін (РН3), а як донорні та акцепторні домішки - силан (SiH4) та діетилцинк (DEZn), який відрізняється тим, що формування твердого розчину pAlxGa1-xAs, легованого цинком із наростаючою шириною забороненої зони до...

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах

Завантаження...

Номер патенту: 99369

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Коман Богдан Петрович, Писаревський Володимир Костянтинович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/02, C30B 25/00, C30B 19/00 ...

Мітки: спосіб, власнодефектних, акцепторів, концентрації, зниження, кристалах

Формула / Реферат:

Спосіб зниження концентрації акцепторів у власнодефектних кристалах, за яким кристали вирощують вертикальним способом Бріджмена або способом твердотільної рекристалізації, який відрізняється тим, що з вирощеного кристала вирізають середню частину, отримані злитки розрізають на зразки у формі паралелепіпедів з розмірами  мм, які механічно шліфують і хімічно полірують у...

Спосіб отримання різкого профілю розподілу легуючих домішок на гетерограниці ngaas/palgaas

Завантаження...

Номер патенту: 67082

Опубліковано: 25.01.2012

Автор: Ірина Фостер

МПК: H01L 31/18

Мітки: отримання, спосіб, профілю, розподілу, гетерограниці, різкого, домішок, легуючих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання різкого профілю розподілу легуючих домішок на гетерограниці nGaAs/pAlGaAs в температурному інтервалі 600-800 °C, що включає послідовне осадження із газової фази епітаксійного шару n+GaAs із TMGa, AsH3 та джерела n - домішки (SiH4), шару pAlGaAs із TMGa, TMAl, AsH3 та джерела домішки р-типу (DEZn), яке проводять без переривання подачі компонент в газову фазу на гетерограниці nGaAs/pAlGaAs, який відрізняється тим, що...

Сонячний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 66569

Опубліковано: 10.01.2012

Автор: Зубко Євгенія Іванівна

МПК: H01L 31/18

Мітки: сонячний, елемент

Формула / Реферат:

Сонячний елемент, що включає пластину монокристалічного кремнію, на тильну поверхню якої нанесений р+-шар легований бором, на фронтальну поверхню – n+-шар легований фосфором, поверх якого створене антивідбиваюче покриття і сформована контактна сітка, який відрізняється тим, що антивідбиваюче покриття утворено шляхом травлення напівпровідникового матеріалу і має структуру модифікованого поруватого кремнію на фронтальній стороні товщиною до 1...

Спосіб одержання сонячного елемента, застосування тетрахлориду кремнію у ньому та тонкоплівковий сонячний елемент одержаний цим способом

Завантаження...

Номер патенту: 95942

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Шиллінгер Норберт, Раулєдер Хартвіг, Хьоне Ханс-Юрген, Зонненшайн Раймунд, Ребер Штефан

МПК: C23C 16/24, H01L 31/052, C23C 16/22 ...

Мітки: застосування, сонячний, елемента, ньому, сонячного, способом, одержання, елемент, спосіб, кремнію, одержаний, тетрахлориду, цим, тонкоплівковий

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання сонячного елемента осадженням з парової фази кремнієвої плівки на поверхні субстрату з використанням вихідної речовини на основі кремнію та подальшою обробкою покритого субстрату для формування сонячного елемента, який відрізняється тим, що вказаною вихідною речовиною є тетрахлорид кремнію, а покритий субстрат:- очищають та текстурують,- потім дифундують з парової фази або іншого джерела легуючі добавки при...

Спосіб формування базових шарів cdte для гнучких сонячних елементів та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 94649

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Товажнянська Олена Леонідівна, Росс Джон Бітті, Кравець Андрій Валерійович, Харченко Микола Михайлович, Хрипунов Геннадій Семенович, Станкевич Анатолій Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: елементів, гнучких, реалізації, пристрій, спосіб, шарів, сонячних, базових, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування базових шарів CdTe для плівкових сонячних елементів, що включає створення підкладки з оптично-прозорого матеріалу з нанесеними на неї шарами прозорого провідного оксиду (ТСО) і CdS, розміщення підкладки та джерела CdTe в частково закритому об'ємі на віддаленні один від одного, вакуумування цього об'єму до тиску не менше ніж до 10-3 Па, нагрівання підкладки до першої температури - температури підкладки, нагрівання частини...

Установка для вимірювання питомого коефіцієнта сили світла світловідбивних поверхонь

Завантаження...

Номер патенту: 58174

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Юр'єв Василь Григорович, Шабашкевич Борис Григорович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: G01J 1/10, H01L 31/18

Мітки: установка, поверхонь, сили, світловідбивних, вимірювання, питомого, світла, коефіцієнта

Формула / Реферат:

Установка для вимірювання питомого коефіцієнта сили світла світловідбивних поверхонь, що складається з джерела світла типу А (з кольоровою температурою 2854 К), фотоприймальної головки, корегованої під криву видності ока, розташованої на відповідному кронштейні, та блока живлення, яка відрізняється тим, що освітлювач містить амперметр, додаткову оптичну систему для його юстування та люксметр слабких освітленостей, установка в цілому додатково...

Твердотілий сонячний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 52025

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Зубко Євгенія Іванівна, Швець Євген Якович, Головко Юрій Вікторович

МПК: H01L 31/18

Мітки: елемент, твердотілий, сонячний

Формула / Реферат:

Твердотілий сонячний елемент, що складається з пластини монокристалічного кремнію, на тильну поверхню якої нанесений р+-шар, легований бором, на фронтальну поверхню – n+-шар, легований фосфором, поверх якого створений шар SnO2 і сформована контактна сітка з алюмінію, який відрізняється тим, що фронтальна сторона пластини монокристалічного кремнію n+-шар має пірамідальний рельєф заввишки 20-40 нм і шар SnO2, легований F, а тильна сторона...

Спосіб електрохімічного осадження кремнію на метали

Завантаження...

Номер патенту: 89744

Опубліковано: 25.02.2010

Автор: Капінус Євген Ілліч

МПК: C25D 9/00, C25D 3/02, H01L 31/00 ...

Мітки: кремнію, спосіб, метали, електрохімічного, осадження

Формула / Реферат:

1. Спосіб електрохімічного осадження кремнію на метали, що включає приготування електроліту розчиненням тетраетоксисилану, як джерела кремнію, у органічному розчиннику в присутності фонового електроліту, зокрема розчинів органічних солей, пропускання випрямленого електричного струму від графітового анода через електроліт до металевого катода при перемішуванні електроліту з осадженням на катоді кремнію, який відрізняється тим, що як розчинник...

Гнучкий гібридний тонкоплівковий гетерогенний фотоелектричний перетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 46237

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Зубко Євгенія Іванівна, Турба Микола Миколайович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 31/18

Мітки: гібридний, гнучкий, гетерогенний, фотоелектричний, перетворювач, тонкоплівковий

Формула / Реферат:

Гнучкий гібридний тонкоплівковий гетерогенний фотоелектричний перетворювач, що складається з підкладки, на тильній стороні якої виконано металевий контакт з міді, поверх міді - активний шар фталоціаніну міді з активним шаром фулеренів (С60), поверх фулеренів (С60) - прозорий верхній електрод з оксиду цинку, легованого алюмінієм, який відрізняється тим, що як підкладку використано пластину орієнтованого кристалічного поліетилентерефталату...

Пристрій для нанесення об`ємного оптичного покриття

Завантаження...

Номер патенту: 45914

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: H01L 31/18, G03C 1/015

Мітки: покриття, об`ємного, пристрій, оптичного, нанесення

Формула / Реферат:

Пристрій для нанесення об'ємного оптичного покриття, що складається зі станини, на якій розміщена нагрівна камера, тримача напівпровідникових приладів разом з механізмом їх переміщення, який відрізняється тим, що нагрівна камера містить не менше двох просторово розділених нагрівних елементів, реактор з конусоподібною нижньою частиною, механізм вертикального переміщення реактора, тримач, механізм горизонтального переміщення тримача, датчики...

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода

Завантаження...

Номер патенту: 42419

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович

МПК: H01L 33/00, H01L 31/00, H01L 31/18, H01L 31/102 ...

Мітки: діода, теплового, спосіб, напівпровідникового, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-p+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури

Завантаження...

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Дьяк Віталій Пилипович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 31/18

Мітки: галію, n-p+-типу, спосіб, епітаксійних, структур, діодних, високотемпературних, фосфіду, температури, отримання, сенсорів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Спосіб виготовлення охолоджуваних (т=77 к) фоточутливих inas p-n-переходів

Завантаження...

Номер патенту: 41154

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Луцишин Ірина Григорівна, Лук'яненко Володимир Іванович, Ворощенко Андрій Тарасович, Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович

МПК: H01L 31/18, H01L 33/00, H01L 31/102 ...

Мітки: p-n-переходів, фоточутлівих, т=77, спосіб, виготовлення, охолоджуваних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення охолоджуваних (Т=77 К) фоточутливих InAs р-n-переходів, що включає дифузію акцепторної домішки кадмію в монокристалічні підкладки n-InAs у вакуумному замкненому об'ємі, наприклад вакуумованій кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що дифузія проводиться в інтервалі температур 570-650 °С протягом 15-60 хвилин, а як дифузант використовується сполука CdAs2.

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки

Завантаження...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фр'єстад Кеннет, Детлофф Крістіан

МПК: C01B 33/02, C30B 13/00, C01B 33/00 ...

Мітки: еремнію, методом, полікристалічного, спосіб, шляхом, плавки, одержуваного, зливка, направленої, зонної, виготовлення, чохральського, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Тонкоплівковий гетерогенний фотоелектричний перетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 39047

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Головко Ольга Петрівна, Зубко Євгенія Іванівна, Михайлін Вадим Миколайович

МПК: H01L 31/18

Мітки: перетворювач, тонкоплівковий, фотоелектричний, гетерогенний

Формула / Реферат:

1. Тонкоплівковий гетерогенний фотоелектричний перетворювач, що складається з пластини неорганічного напівпровідника, на тильній стороні якої виконано металевий контакт з алюмінію, на другій стороні - активний шар фталоціаніну міді з прозорим верхнім електродом, який відрізняється тим, що як неорганічний напівпровідник використано мультикристалічний кремній р-типу, як верхній електрод - прозору плівку з оксиду цинку, легованого алюмінієм з...

Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача

Завантаження...

Номер патенту: 83887

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Голотюк Валентин Миколайович, Наумов Вадим Володимирович, Мельниченко Микола Миколайович, Лукомський Дмитро Васильович, Кочелап Вячеслав Олександрович, Скуртул Олександр Дмитрович, Шмирєва Олександра Миколаївна

МПК: H01L 31/18

Мітки: перетворювача, спосіб, фотоелектричного, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача на основі підкладки кремнію р- типу провідності, який включає операції створення на тильній поверхні підкладки шару р+-типу провідності, формування її на лицьовій поверхні шару n-типу провідності з наступним формуванням контактів, який відрізняється тим, що додатково вирощують шар поруватого кремнію, при цьому шар р+-типу провідності на тильній поверхні формують у процесі одночасної...

Радіометр енергетичної освітленості ультрафіолетового діапазону

Завантаження...

Номер патенту: 82843

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Бутенко Василь Кирилович, Добровольський Юрій Георгійович, Піроженко Сергій Іванович, Юр'єв Василь Григорович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: G01N 21/00, H01L 31/18, G01J 1/00 ...

Мітки: ультрафіолетового, освітленості, енергетичної, діапазону, радіометр

Формула / Реферат:

Радіометр енергетичної освітленості ультрафіолетового діапазону, який оснащений виносною головкою зі світлофільтром та вимірювальним блоком, який відрізняється тим, що виносна головка має два однакових фотоприймачі, радіометр оснащений додатковим світлофільтром, перший з яких пропускає оптичне випромінювання з довжинами хвиль, розташованими поза межами робочого діапазону вимірювання, і знаходиться безпосередньо перед одним з фотоприймачів, а...

Спосіб виготовлення контакту метал – n-cdte

Завантаження...

Номер патенту: 31891

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Скрипник Микола Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/18

Мітки: контакту, виготовлення, n-cdte, метал, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення контакту метал - n-CdTe, при якому проводять механічне та хімічне полірування підкладинок, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами кип'ятять у водній суспензії одного з карбонатів лужних металів (Li2CO3, К2СО3, Nа2СО3) не менше 10 хв.

Спосіб вимірювання ефективної площі фоточутливого елемента фотодіода

Завантаження...

Номер патенту: 27887

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Рюхтін В'ячеслав Васильович, Юр'єв Василь Григорович, Докторович Ірина Василівна, Добровольський Юрій Георгійович, Годованюк Василь Миколайович, Бутенко Василь Кирилович

МПК: H01L 31/18

Мітки: площі, фоточутливого, фотодіодa, ефективно, елемента, вимірювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання ефективної площі фоточутливого елемента фотодіода, що здійснюється фотоелектричним методом шляхом засвічення фоточутливого елемента світловим потоком, який відрізняється тим, що в площині фоточутливого елемента фотоприймача формують рівномірне світлове поле в 2-3 рази більше більшого з розмірів фоточутливого елемента, вимірюють фотосигнал фотоприймача ІФП, потім перед вхідним вікном фотоприймача встановлюють діафрагму...

Спосіб виготовлення сонячного елемента

Завантаження...

Номер патенту: 22241

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Мельниченко Микола Миколайович, Шмирєва Олександра Миколаївна

МПК: H01L 31/18

Мітки: виготовлення, елемента, сонячного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення сонячного елемента, що включає операції формування шару електронного типу провідності, травлення торців кремнієвої пластини, створення на тильній поверхні підкладки шару p+-типу провідності і формування контактів, який відрізняється тим, що після формування контактів кремнієві пластини обробляють у водно-гліцериновому розчині плавикової й азотної кислот.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластини...

Дозиметр енергетичної освітленості ультрафіолетового діапазону

Завантаження...

Номер патенту: 21448

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Бутенко Василь Кирилович, Шабашкевич Борис Григорович, Юр'єв Василь Григорович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/18, G01J 1/10

Мітки: ультрафіолетового, енергетичної, діапазону, освітленості, дозиметр

Формула / Реферат:

Дозиметр енергетичної освітленості, який складається з датчиків, відповідних оптичних фільтрів, вимірювального блока, оснащеного мікроконтролером, рідкокристалічним індикатором та клавіатурою, який відрізняється тим, що як датчик ультрафіолетового випромінювання використана радіометрична головка з фотодіодом на основі фосфіду галію, чутлива у діапазоні довжин хвиль 220-500 нм, два світлофільтри оптимізовані на пропускання довжин хвиль окремо...

Спосіб виготовлення діода шотткі на основі високоомного телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 17438

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Воробець Олександр Іванович, Воробець Георгій Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: виготовлення, діода, високоомного, основі, шотткі, телуриду, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі на основі телуриду кадмію, який включає механічну та хімічну обробку пластин телуриду кадмію, створення бар'єра Шотткі та омічних контактів вакуумним напиленням та лазерного опромінювання, який відрізняється тим, що лазерне опромінювання з певною довжиною хвилі здійснюють в режимі модульованої добротності в квазіадіабатичних умовах при використанні серії з 20 імпульсів тривалістю

Спосіб виготовлення сонячного елемента

Завантаження...

Номер патенту: 16254

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Ярошенко Павло Олександрович, Цибенко Олександр Сергійович, Пешко Анатолій Володимирович

МПК: H01L 31/18

Мітки: виготовлення, сонячного, спосіб, елемента

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення сонячного елемента, який включає операції формування на лицьовій поверхні n+ шару, створення на тильній поверхні підкладки p+ шару, травлення торців пластини, нанесення просвітлюючого покриття і формування контактів, який відрізняється тим, що n+ шар, легований фосфором, утворюють шляхом двоетапної дифузії з заганянням домішки протягом 5-20 хв і розгонкою домішки протягом 30-100 хв при температурі 790...870°С, проводять...

Спосіб монтажу фотоприймального модуля тепловізора у кріостат

Завантаження...

Номер патенту: 12593

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Рева Володимир Павлович, Грінченко Микола Тимофієвич, Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, Сизов Федір Федорович, Голенков Олександр Геннадійович, Кравченко Світлана Леонідівна, Забудський Вячеслав Володимирович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/18

Мітки: модуля, тепловізора, фотоприймального, кріостат, монтажу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб монтажу фотоприймального модулю тепловізора у кріостат, при якому фотоприймальний модуль через сапфірову підкладку з’єднують з посадочним місцем зони кріостатування, який відрізняється тим, що спочатку фотоприймальний модуль монтують в металокерамічний корпус з контактами, який, в свою чергу, приклеюють до сапфірової підкладки, яку припаюють за допомогою індію до посадочного місця зони кріостатування.

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Скобаро Андрій Олексійович, Шульга Юрій Григорович, Святелик Володимир Федосійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, H01L 31/18, H01L 21/02 ...

Мітки: одержання, сонячних, спосіб, пластин, мультикристалічного, елементів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Спосіб виготовлення поверхнево-бар’єрного фотодіодa

Завантаження...

Номер патенту: 7145

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Шабашкевич Борис Григорович, Піроженко Сергій Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: виготовлення, фотодіодa, поверхнево-бар'єрного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення поверхнево-бар'єрного фотодіода, який включає нанесення на нагріту поверхню епітаксійного шару фосфіду галію шару окису металу (двоокису олова або триокису індію (Іn2О3), або їх суміші ІТО, або двоокис олова, легований фтором) та окису або двоокису кремнію, та створення омічних контактів, який відрізняється тим, що спочатку на поверхню фосфіду галію наноситься шар окису або двоокису кремнію, в якому створюється отвір,...

Спосіб виготовлення фотодіода

Завантаження...

Номер патенту: 4946

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Раренко Ілларій Михайлович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/18

Мітки: фотодіодa, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, що включає формування кристала фотодіода, одночасний вплив на нього постійних електричного та магнітного полів через поверхню конічної форми, який відрізняється тим, що постійне електричне поле модулюють.

Спосіб одержання високочистого гранульованого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 72279

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Бухгольц Зігурд, Млечко Леслав, Херольд Хейко

МПК: C01B 33/027, C01B 33/029, C01B 33/035 ...

Мітки: одержання, спосіб, високочистого, гранульованого, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого гранульованого кремнію розкладанням газу, що містить сполуки кремнію, який відрізняється тим, що вказане розкладання виконують при тиску 100-900 мбар, розкладання виконують в присутності частинок, через які газ, що містить сполуки кремнію, проходить таким чином, що частинки піддаються псевдозрідженню і утворюють псевдозріджений шар, причому співвідношення між швидкістю потоку газу, що містить сполуки кремнію,...

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Скобаро Андрій Олексійович, Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: H01L 21/304, C30B 29/00, C30B 29/06 ...

Мітки: елементів, пластин, одержання, спосіб, кремнію, сонячних, мультикристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Оптоелектронний пристрій індикації

Завантаження...

Номер патенту: 37003

Опубліковано: 16.04.2001

Автор: Білан Сергій Степанович

МПК: H01L 31/18

Мітки: оптоелектронний, індикації, пристрій

Текст:

...28 і другий кристал резистора 13, під'єднаний до кристалу фототранзистора 4 за допомогою клею 30, під'єднаний до позитивного полюса дже рела живлення, а перший його металевий контакт 11 з'єднаний через електропровідний клей з першим металевим контактом 10 другого кристалу резистора 13, який, в свою чергу, з'єднаний через електропровідний клей з першим металевим контактом 27 кристалу діода 28, другий металевий контакт 29 якого через перший...