H01L 31/06 — характеризуються, щонайменше, одним потенційним бар’єром, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневим бар’єром

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/20, H01L 21/04, H01L 31/00 ...

Мітки: спосіб, кремнію, структур, фоточутлівих, отримання, поруватого, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Кремнієвий фотоелектричний перетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 99050

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Плаксін Сергій Вікторович, Дзензерський Віктор Олександрович, Лавріч Юрій Миколайович, Бистров Микола Іванович, Погоріла Любов Михайлівна, Соколовський Іван Івановіч

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18

Мітки: перетворювач, кремнієвий, фотоелектричний

Формула / Реферат:

Кремнієвий фотоелектричний перетворювач, який містить розташовану на металевій пластині світлочутливу матрицю з напівпровідникового полімеру, що містить металеві наночастинки, з обмеженнями по концентрації вказаних частинок, прозорий провідний шар і електроконтактну сітку, який відрізняється тим, що додатково містить тришарову напівпровідникову структуру з аморфного кремнію, яка примикає до прозорого провідного шару з боку металевої...

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Ткачук Андрій Іванович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/06, H01L 21/04 ...

Мітки: кадмію, телуриду, полікристалічних, провідності, гетероструктурний, омічний, шарів, контакт, р-типу

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 105345

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Сліпченко Микола Іванович, Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Галат Олександр Борисович, Бендеберя Геннадій Миколайович, Жуков Олександр Вікторович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: H01L 31/06

Мітки: уф-фотодіод, шотткі, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, що містить бар'єрний шар нікелю з лицевої сторони підкладки, виконаній з твердого розчину сполук А2В6, та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що підкладка виконана з твердого розчину сполук ZnS-ZnSe, яка додатково містить донорну домішку оксиду або халькогеніду металів при наступному співвідношенні компонентів, мол. %: ZnSe 1-70 ...

Спосіб виготовлення органічно-неорганічної гібридної структури сонячного елемента

Завантаження...

Номер патенту: 85003

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Смертенко Петро Семенович, Горбач Тамара Яківна

МПК: H01L 31/06, H01L 51/00

Мітки: структури, спосіб, елемента, органічно-неорганічної, сонячного, гібридної, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення органічно-неорганічної гібридної структури сонячного елемента, що включає хімічне осадження при кімнатній температурі на патерну поверхню кремнієвої підкладки у вигляді тетрагональних пірамід органічного шару з водного розчину клонідину гідрохлориду протягом 2-24 годин, який відрізняється тим, що до водного розчину клонідину гідрохлориду додатково додають органічну речовину, у склад якої входить хлор.2. Спосіб...

Органічно-неорганічна гібридна структура сонячного елемента

Завантаження...

Номер патенту: 82482

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Смертенко Петро Семенович, Горбач Тамара Яківна

МПК: H01L 51/00, H01L 31/06

Мітки: органічно-неорганічна, сонячного, елемента, гібридна, структура

Формула / Реферат:

1. Органічно-неорганічна гібридна структура сонячного елемента, яка має кремнієву підкладку та шар органічної речовини, яка відрізняється тим, що кремнієва підкладка має патерну поверхню у вигляді тетрагональних пірамід, як органічна речовина використана гетероциклічна хлорпохідна діазосполука, а поверхня органічного шару виконана у вигляді самоорганізованих комірок, стінки яких утворюють фронтальну контактну сітку.2....

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Білецький Микола Іванович, Онищенко Геннадій Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264

Мітки: шотткі, уф-фотодіод, бар'єром

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Рижиков Володимир Діомидович, Шабашкевич Борис Григорович, Воронкін Євген Федорович, Добровольський Юрій Георгійович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/0216, H01L 31/06 ...

Мітки: діапазоні, шотткі, спектра, ультрафіолетовому, бар'єром, чутливий, фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (t = 77 k) inas фотодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 47315

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович, Луцишин Ірина Григорівна, Лук'яненко Володимир Іванович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/102, H01L 31/06 ...

Мітки: структура, чутливої, p-n-переходу, охолоджуваних, області, фотодіодів

Формула / Реферат:

Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини...

Фотодіод з бар’єром шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра

Завантаження...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Галкін Сергій Миколайович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06, H01L 31/0216 ...

Мітки: фотодіод, шотткі, діапазоні, бар'єром, спектра, ультрафіолетовому, чутливий

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Фотодіод для ультрафіолетової області спектра

Завантаження...

Номер патенту: 71544

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Піроженко Сергій Іванович, Шабашкевич Борис Григорович, Малік Олександр Іванович

МПК: H01L 31/06

Мітки: ультрафіолетової, фотодіод, спектра, області

Формула / Реферат:

Фотодіод для ультрафіолетової області спектра, що містить епіктаксіальний шар фосфіду галію n-типу провідності на підкладці з фосфіду галію того самого типу провідності, захисний шар діелектрика з вікном на поверхні епітаксіального шару, в якому на поверхні епітаксіального шару розташований прозорий електрод у вигляді тонкої плівки, струмознімний контакт навколо вікна, що має електричний контакт з прозорим електродом та суцільний металічний...

Фотоприймач

Завантаження...

Номер патенту: 69919

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашов Шаміль Джемашевич, Сидорець Ростислав Григорович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що виконаний у вигляді напівпровідникової пластини довжиною порядку довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду з р-n переходом на одному кінці та омічним контактом на другому, який відрізняється тим, що на більш широкій стороні пластини розміщений металевий електрод, відділений від пластини діелектриком, причому товщина вузької сторони пластини повинна бути рівна товщині області об'ємного заряду напроти електрода.

Спосіб кріплення захисного скла

Завантаження...

Номер патенту: 68228

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Белоус Володимир Михайлович, Годованюк Василь Миколайович, Пундік Василь Іванович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/06, H01L 23/02

Мітки: скла, спосіб, захисного, кріплення

Формула / Реферат:

Спосіб кріплення захисного скла шляхом створення заглиблення в оправі по формі деталі із дещо збільшеними розмірами і заповнення зазору клеючою речовиною, який відрізняється тим, що у поверхні, яка збігається з торцевою гранню захисного скла, у заглибленні в оправі формується паз, на поверхню, яка містить паз, та на торцеву поверхню захисного скла наноситься клеюча речовина, захисне скло вкладається в оправу і здійснюється затвердіння клеючої...

Анізотропний координатний фотоелектричний приймач

Завантаження...

Номер патенту: 65018

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолієвич, Годованюк Василь Миколайович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/06

Мітки: анізотропний, приймач, фотоелектричний, координатний

Формула / Реферат:

1. Анізотропний координатний фотоелектричний приймач, що складається з термостатуючого корпусу із електровиводами і анізотропного фотоелемента у вигляді прямокутної призми довжиною , висотою  та шириною  

Фотоелектричний приймач лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 39347

Опубліковано: 15.06.2001

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Романюк Ігор Степанович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 31/06

Мітки: приймач, випромінювання, фотоелектричний, лазерного

Формула / Реферат:

Фотоелектричний приймач лазерного випромінювання, що містить напівпровіднико­вий фотодіод з кремнієвим вхідним вікном, який відрізняється тим, що на поверхні фотодіоду сформовано шар окислу кремнію, а кремнієве вхідне вікно розташовано безпо­середньо на поверхні цього шару у вигляді плоскопаралельної пластини, при цьому го­ловна вісь конструкції розвернута до джерела випромінения під кутом 80°, а її сумарна товщина не перевищує глибини...

Координатно-чутливий фотоелемент

Завантаження...

Номер патенту: 7065

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Серба Олександр Андрійович, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Горбань Анатолій Петрович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоелемент, координатно-чутливий

Текст:

...влияния на ' ^ предлагаемом фотоэлементе аспальзофотоэлектрические характеристики привана подложка из низкоомного полупробора, а планерное распределение заряводникового материала, то обуслокг.-енда диэлектрика, определяющее степень ное рекомбинационными токами падение Однородности его характеристик, являнапряжения происходит не в подложке, ется практически однородным на рас50 а в более высокоомном инверсионном стояниях, соизмеримых с...