H01L 29/92 — конденсатори з потенційним бар’єром, на якому має місце стрибок потенціалу, або з поверхневим бар’єром

Пристрій для вимірювання індукції магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 114155

Опубліковано: 27.02.2017

Автор: Смірний Михайло Федорович

МПК: G01R 33/00, G01R 33/24, H01L 29/72 ...

Мітки: індукції, поля, пристрій, вимірювання, магнітного

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання індукції магнітного поля, що містить одноперехідний магнітотранзистор, конденсатор, підключений до емітера, джерело постійної напруги, до емітера одноперехідного магнітотранзистора та до полюса джерела постійної напруги підключено польовий транзистор, увімкнутий за схемою каррентора, перший та другий резистори з'єднано відповідно з першою та другою базами одноперехідного магнітотранзистора, емітер якого через...

Датчик тиску на основі релаксаційного генератора

Завантаження...

Номер патенту: 99093

Опубліковано: 25.05.2015

Автор: Смірний Михайло Федорович

МПК: H01L 29/92

Мітки: датчик, основі, релаксаційного, генератора, тиску

Формула / Реферат:

Датчик тиску на основі релаксаційного генератора, що містить перший резистор, підключений першим виводом до полюса джерела постійної напруги, другим виводом - до емітера одноперехідного транзистора, конденсатор, підключений першим виводом до емітера одноперехідного транзистора, а другим виводом - до іншого полюса джерела постійної напруги та першого виводу другого резистора, другий вивід якого з'єднаний з першою базою одноперехідного...

Пристрій для вимірювання індукції магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 99092

Опубліковано: 25.05.2015

Автор: Смірний Михайло Федорович

МПК: H01L 29/92

Мітки: поля, індукції, магнітного, вимірювання, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання індукції магнітного поля, що містить одноперехідний магнітотранзистор, конденсатор, підключений до емітера, та джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що до емітера одноперехідного магнітотранзистора та до полюса джерела постійної напруги підключено польовий транзистор, увімкнутий за схемою каррентора, перший та другий резистори з'єднано відповідно з першою та другою базами одноперехідного...