H01L 29/82 — керовані тільки зміною магнітного поля, прикладеного до приладу

Номер патенту: 120820

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Яцухненко Сергій Юрійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H01L 29/82

Мітки: мікроелектронного, поля, магнітного, вимірювання, сенсора, елемент, чутливий

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного сенсора для вимірювання магнітного поля, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована напівмагнітна плівка з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а напівмагнітна плівка виконана нанопористою.

Номер патенту: 120127

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: активним, елементом, перетворювач, індукції, індуктивним, магнітної

Формула / Реферат:

Перетворювач магнітної індукції з активним індуктивним елементом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другі полюси першого та другого джерел постійної напруги...

Номер патенту: 108576

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Полуденко Ольга Сергіївна, Антонюк Ганна Леонідівна, Осадчук Олександр Володимирович, Притула Максим Олександрович, Семенов Андрій Олександрович, Коваль Костянтин Олегович

МПК: H01L 29/82

Мітки: індукції, пристрій, магнітної, мікроелектронний, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, п'ять резисторів, два джерела живлення, біполярний транзистор та індуктивність, вивід якої підключений до виводу ємності та другого джерела живлення, причому перший полюс першого джерела живлення з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом бази...

Номер патенту: 90927

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: вимірювач, індукції, поля, магнітного

Формула / Реферат:

Вимірювач індукції магнітного поля, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори, індуктивність, ємність, два джерела постійної напруги, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першою базою біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, друга база якого...

Номер патенту: 90926

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: елементом, вимірювач, індуктивним, індукції, активним, магнітного, поля

Формула / Реферат:

Вимірювач індукції магнітного поля з активним індуктивним елементом, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори, ємність, два джерела постійної напруги, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першою базою біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора,...

Номер патенту: 105402

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 43/00, H01L 29/82, G01R 33/06 ...

Мітки: вимірювання, елементом, індукції, магнітної, індуктивним, пристрій, мікроелектронний, активним

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання магнітної індукції з активним індуктивним елементом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком,...

Номер патенту: 105401

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: мікроелектронний, вимірювання, індукції, магнітної, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий полюс...

Номер патенту: 105400

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: виходом, частотним, пристрій, магнітної, вимірювання, індукції, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання магнітної індукції з частотним виходом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий полюс...

Номер патенту: 86606

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Ярослав Олександрович

МПК: G01R 33/09, H01L 29/82, H01L 43/00 ...

Мітки: елементом, магнітного, активним, сенсор, індуктивним, поля

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля з активним індуктивним елементом, який містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому другий вивід першого резистора підключений до першого виводу магніторезистора, другий полюс джерела постійної напруги з'єднаний із загальної шиною, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що введені біполярний двоколекторний транзистор, польовий...

Номер патенту: 86605

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: H01L 29/82, G01R 33/09, H01L 43/00 ...

Мітки: сенсор, базі, магнітного, магніторезистора, поля

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора, який містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому другий вивід першого резистора підключений до першого виводу магніторезистора, другий полюс джерела постійної напруги з'єднаний із загальної шиною, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що введені біполярний двоколекторний транзистор, польовий двостоковий...

Номер патенту: 86604

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: сенсор, поля, магнітного, базі, магніторезистора, холла, елемента

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента Холла, який містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому другий вивід першого резистора підключений до першого виводу магніторезистора, другий полюс джерела постійної напруги з'єднаний із загальної шиною, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що введені біполярний двоколекторний транзистор,...

Номер патенту: 76463

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: магнітної, мікроелектронний, перетворювач, індукції

Формула / Реферат:

Мікроелектронний перетворювач магнітної індукції, що містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другі полюси першого та другого джерел постійної напруги об'єднані у загальну...

Номер патенту: 73071

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Мартинюк Володимир Валерійович, Микулка Ірина Володимирівна, Мельник Діана Валеріївна, Сухоцький Олександр Миколайович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82

Мітки: перетворювач, радіовимірювальний, магнітного, поля

Формула / Реферат:

Радіовимірювальний перетворювач магнітного поля, що містить джерело постійної напруги, п'ять резисторів, індуктивність, ємність, що паралельно включена із джерелом постійної напруги, який відрізняється тим, що введено шостий резистор, друга ємність, магніточутливий тиристор та два біполярних транзистори, причому емітери першого і другого біполярного транзистора з'єднані через паралельне включення четвертого резистора та першої ємності, до...

Номер патенту: 72255

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 33/06, H01L 29/82, H01L 43/00 ...

Мітки: активним, поля, магнітного, сенсор, індуктивним, елементом

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля з активним індуктивним елементом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його...

Номер патенту: 72254

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: частотний, магнітної, індукції, вимірювач

Формула / Реферат:

Частотний вимірювач магнітної індукції, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключений до першого виводу другого резистора, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора...

Номер патенту: 71878

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: частотний, сенсор, магнітного, мікроелектронний, поля

Формула / Реферат:

Мікроелектронний частотний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його...

Номер патенту: 70968

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович, Ющенко Юрій Андрійович

МПК: H01L 29/82, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: поля, сенсор, магнітного, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий...

Номер патенту: 70967

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Ющенко Юрій Андрійович, Осадчук Олександр Володимирович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: вимірювач, індукції, елементом, активним, магнітної, індуктивним

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітної індукції з активним індуктивним елементом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключений до першого виводу другого резистора, підкладка двостокового магніточутливого...

Номер патенту: 70192

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 43/00, G01R 33/06, H01L 29/82 ...

Мітки: вимірювач, мікроелектронний, індукції, магнітної

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключений до першого виводу другого резистора, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора...

Номер патенту: 63652

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Микулка Ірина Володимирівна, Мартинюк Володимир Валерійович, Осадчук Володимир Степанович, Сухоцький Олександр Миколайович

МПК: H01L 29/82

Мітки: магнітної, сенсор, індукції

Формула / Реферат:

Сенсор магнітної індукції, що містить два джерела напруги, п'ять резисторів, ємність, біполярний транзистор, біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим вводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, при цьому другий вивід бази біполярного двоколекторного...

Номер патенту: 62366

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Стовбчата Ольга Петрівна

МПК: G01R 33/06, H01L 29/82

Мітки: сенсор, поля, магнітного, виходом, частотним

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля з частотним виходом, який містить магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені три біполярних транзистори, шість резисторів, три ємності та елемент Холла, причому...

Номер патенту: 59007

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Стовбчата Ольга Петрівна

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: індукції, мікроелектронний, пристрій, виміру, магнітної

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори, два джерела постійної напруги, двозатворний польовий транзистор, індуктивність і ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, другий вивід якого з'єднаний із першою базою біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, друга база...

Номер патенту: 49256

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Вікуліна Лідія Федорівна

МПК: H01L 29/82

Мітки: сенсор, магніточутливий

Формула / Реферат:

Магніточутливий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на базі одноперехідного транзистора, який доповнено конденсатором С, який відрізняється тим, що до схеми генератора включений біполярний магнітотранзистор в двополюсному включенні (тобто з відключеною базою).

Номер патенту: 78565

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 33/02, H01L 29/82

Мітки: сенсор, індукції, магнітної

Формула / Реферат:

Сенсор магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені двозатворний польовий транзистор, біполярний транзистор, сім резисторів, ємність та індуктивність, причому перший вивід першого резистора підключений до першої бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з першим...

Номер патенту: 78318

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82

Мітки: елементом, індуктивним, сенсор, магнітний, активним

Формула / Реферат:

Магнітний сенсор з активним індуктивним елементом, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені двозатворний польовий транзистор, два біполярних транзистори, вісім резисторів, дві ємності, причому перший вивід першого резистора підключений до першої бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, а другий вивід першого резистора...

Номер патенту: 77810

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82

Мітки: мікроелектронний, виміру, сенсор, магнітної, індукції

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор для виміру магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені двозатворний польовий транзистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першою...

Номер патенту: 7409

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Мартинюк Володимир Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82

Мітки: магнітний, частотний, сенсор

Формула / Реферат:

Частотний магнітний сенсор, що містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора підключений до першої бази і другого колектора біполярного...

Номер патенту: 7408

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Мартинюк Володимир Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82

Мітки: магнітної, сенсор, мікроелектронний, індукції

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор магнітної індукції, що містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені другий біполярний транзистор, два резистори, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим...

Номер патенту: 57342

Опубліковано: 16.06.2003

Автор: Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 29/82

Мітки: магнітотранзистор

Формула / Реферат:

Магнітотранзистор, що містить область бази, виконану як прямокутний паралелепіпед з напівпровідникового матеріалу першого типу провідності, область емітера другого типу провідності, область омічного контакту до області бази першого типу провідності і області колекторів другого типу провідності, який відрізняється тим, що область бази виконана  як куб, а області емітера, омічного контакту до бази і колекторів розташовані у вершинах куба,...

Номер патенту: 41013

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82

Мітки: магнітної, індукції, вимірювач, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції, який містить магніточутливий польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені два магніточутливих польових транзистора, два резистори, дві ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого магніточутливого...