H01L 29/00 — Напівпровідникові прилади, спеціально призначені для випрямлення, посилення, генерування або перемикання і мають щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр; конденсатори або резистори, що містять щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр, наприклад мають збіднений шар з електронно-дірковий переходом або шар з підвищеною концентрацією носіїв; конструктивні елементи напівпровідникових підкладок або електродів для них

Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних (гп) структур n-sns2/p-sns методом лазерного опромінення вихідного матеріалу sns2

Завантаження...

Номер патенту: 116965

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Опанасюк Анатолій Сергійович, Возний Андрій Андрійович, Косяк Володимир Володимирович

МПК: H01L 29/00

Мітки: структур, тонкоплівкових, лазерного, гетероперехідних, г.п, методом, спосіб, матеріалу, вихідного, опромінення, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних структур n-SnS2/p-SnS, що включає вирощування шару дисульфіду олова (SnS2) з n-типом провідності шляхом термічного випаровування на підкладку вихідного матеріалу SnS2 у квазізамкненому об'ємі (КЗО), який відрізняється тим, що на поверхні одержаного шару SnS2 з n-типом провідності додатково формують однорідний за площею шар сульфіду олова (SnS) з p-типом провідності шляхом лазерного опромінення...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску

Завантаження...

Номер патенту: 113378

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/00, H04R 19/00

Мітки: тиску, вимірювання, мікроелектронний, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги, вісім резисторів, загальну шину, два конденсатори та дві вихідні клеми, введені двостоковий тензочутливий МОН-транзистор, двозатворний МОН-транзистор, біполярний транзистор, індуктивність, причому перший та другий стоки двостокового тензочутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка...

Спосіб формування і контролю імпульсів сигналу управління тиристором

Завантаження...

Номер патенту: 113268

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Шитов Олександр Леонідович, Буров Олексій Миколайович

МПК: H02M 1/08, H01L 29/00

Мітки: сигналу, контролю, імпульсів, тиристором, спосіб, управління, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування і контролю імпульсів сигналу управління тиристором, який полягає в тому, що від вхідного сигналу почергово формують задавальні імпульси, які підсилюють в більш потужні імпульси, останні підсумовують і перетворюють в імпульси сигналу управління тиристором; крім того, більш потужні імпульси, отримані до або після підсумовування, перетворюють в імпульси контрольного сигналу; формують заборонний сигнал, який відрізняється...

Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-si

Завантаження...

Номер патенту: 106825

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/268

Мітки: спосіб, контактних, виготовлення, метал-si, термостійких, систем

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...

Електронна система керування двигуном внутрішнього згорання з режимом самодіагностики та стандартизованими кодами помилок

Завантаження...

Номер патенту: 105284

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Аулін Віктор Васильович, Замота Тарас Миколайович, Голуб Дмитро Вадимович, Слонь Віктор Вікторович, Лисенко Сергій Володимирович, Бичовий Ігор Володимирович, Гриньків Андрій Вікторович

МПК: H01L 29/00

Мітки: самодіагностики, стандартизованими, електронна, кодами, режимом, двигуном, внутрішнього, керування, згорання, система, помилок

Формула / Реферат:

Електронна система керування двигуном внутрішнього згорання з режимом самодіагностики та стандартизованими кодами помилок, що містить електронний блок керування двигуном, систему датчиків, виконавчі пристрої та роз'єм для діагностики, яка відрізняється тим, що в роз'єм встановлюють універсальний адаптер, що містить постійний запам'ятовуючий пристрій з адаптивним набором режимів роботи датчиків двигуна та блок аналізу і передачі параметрів до...

Діод ганна на основі gan

Завантаження...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Голинна Тетяна Іванівна, Веремійченко Георгій Микитович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Слєпова Олександра Станіславівна, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Семенов Олександр Володимирович, Болтовець Микола Силович, Сай Павло Олегович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: ганна, основі, діод

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Високочастотний спіновий конденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 11/00, H01G 4/00, H01L 27/00 ...

Мітки: конденсатор, високочастотний, спіновий

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму

Завантаження...

Номер патенту: 102617

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Піскун Сергій Жанович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ

МПК: H01L 31/105, H01L 31/04, H01L 29/00 ...

Мітки: напівпровідниковий, регульованою, світлоструму, спектральною, характеристикою, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену р-область і вироджений компенсований шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі, направленому від n-області до р-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини компенсованого шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, з можливістю вводу вхідного...

Імпульсний лавинно-пролітний діод

Завантаження...

Номер патенту: 71701

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Крицька Тетяна Володимирівна, Зоренко Олександр Вольтович, Рижков Микола Ігорович, Маруненко Юрій Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/864

Мітки: лавинно-пролітний, діод, імпульсний

Формула / Реферат:

1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...

Процес отримання монокристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x

Завантаження...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Савчук Андрій Йосипович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Маник Тетяна Орестівна, Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 31/20, C30B 29/26, C30B 9/00 ...

Мітки: злитків, твердих, розчинів, fesexte1-x, монокристалічних, fese, отримання, процес

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Лавинно-пролітний діод з контактною системою на основі металів платинової групи

Завантаження...

Номер патенту: 66914

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00

Мітки: системою, групи, діод, лавинно-пролітний, контактною, металів, основі, платинової

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...

Сенсор магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 66045

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Стовбчата Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/00 ...

Мітки: магнітного, поля, сенсор

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля, який містить перший магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, другий магніточутливий діод, два резистори,...

Процес отримання полікристалічних злитків fese, fete та твердих розчинів fesexte1-x

Завантаження...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 29/46, C30B 31/20, C30B 9/00 ...

Мітки: fese, твердих, отримання, процес, злитків, полікристалічних, fesexte1-x, розчинів

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Діод ганна з фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Раєвська Нелля Сергіївна, Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: фосфіду, діод, ганна, індію

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Діод ганна з фосфіду індія

Завантаження...

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Ковтонюк Віктор Михайлович, Міленін Віктор Володимирович, Іванов Володимир Миколайович, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Васильйовна, Бєляєв Олександр Євгенійович, Кудрик Ярослав Ярославович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: фосфіду, діод, ганна, індія

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою

Завантаження...

Номер патенту: 49867

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Коростинська Тамара Васильовна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна

МПК: H01L 29/00

Мітки: контактною, діод, термостійкою, системою, лавинно-пролітний

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння

Завантаження...

Номер патенту: 42025

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Панарін Дмитро Євгенійович, Лівіцький Олександр Миколайович, Бобрицький Віталій Миколайович, Барановський Денис Миколайович, Жулай Олександр Юрійович, Лисенко Сергій Володимирович, Голуб Дмитро Вадимович, Кузик Олександр Володимирович, Аулін Віктор Васильович

МПК: F02D 43/04, H01L 29/00

Мітки: система, внутрішнього, автомобільним, двигуном, згоряння, електронна, керування

Формула / Реферат:

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння, що складається з блока взаємодії з периферичними системами автомобіля, системи виконавчих пристроїв, системи датчиків, електронного блока керування двигуном та його складових: оперативно-запам'ятовуючого пристрою, постійного запам'ятовуючого пристрою, електронно-програмованого запам'ятовуючого пристрою, інтегрованого блока керування режимами роботи двигуна, блока...

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури

Завантаження...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Мельник Павло Вікентієвич, Хацевич Ігор Мирославович, Попов Валентин Георгійович, Романюк Борис Миколайович, Мельник Віктор Павлович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: виготовлення, нанокластерної, спосіб, кремнієвої, фотолюмінесцентної, структури

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури

Завантаження...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Гамов Дмитро Вікторович, Оберемок Олександр Степанович, Хацевич Ігор Мирославович, Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович, Мельник Віктор Павлович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: виготовлення, нанокластерної, структури, кремнієвої, спосіб, фотолюмінесцентної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Р-мон-транзистор

Завантаження...

Номер патенту: 36772

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Громова Галина Володимирівна, Горін Андрій Євгенович, Коломоєць Володимир Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: р-мон-транзистор

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, що складається з монокристалічної напівпровідникової підкладинки n-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки, плівки діелектрика і металічного затвора, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку {100}.2. р-МОН-транзистор за п. 1, який...

Узгоджуючий підсилювач

Завантаження...

Номер патенту: 30430

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Ткаченко Михайло Вікторович, Ткаченко Віктор Михайлович, Макаренко Валентин Миколайович, Бандура Іван Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: підсилювач, узгоджуючий

Формула / Реферат:

Узгоджуючий підсилювач, що містить nрn-транзистор, включений за схемою із загальним колектором, вхід бази транзистора підключений до виходу перетворювача модульованих по тривалості імпульсів у постійну напругу, що змінюється, колектор транзистора з'єднаний з позитивним виводом блока живлення, навантажувальний резистор з'єднаний з виходом підсилювача й катодом діода прив'язки пристрою керування керованого випрямляча, анод цього діода з'єднаний...

Лавино-пролітний діод

Завантаження...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Болтовець Микола Силович, Миколаєнко Валентина Іванівна, Слєпова Олександра Станіславівна, Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: діод, лавино-пролітний

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння

Завантаження...

Номер патенту: 26123

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Лисенко Сергій Володимирович, Жулай Олександр Юрійович, Бісюк Віктор Анатолійович, Бобрицький Віталій Миколайович, Панарін Дмитро Євгенійович, Аулін Віктор Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: система, згоряння, електронна, двигуном, внутрішнього, керування, автомобільним

Формула / Реферат:

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння, що складається з електронного блока керування двигуном, системи датчиків та системи виконавчих пристроїв, яка відрізняється тим, що в електронний блок керування двигуном встановлюють блок керування режимами, що містить постійний запам’ятовуючий пристрій з набором режимів роботи двигуна та блок системи аналізу і збереження параметрів стилю керування водія, а контроль і...

Спосіб отримання кремнієвого мдн-транзистора

Завантаження...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 29/00, H01J 37/30, H01L 21/70 ...

Мітки: мдн-транзистора, кремнієвого, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Одноперехідний тензотранзистор

Завантаження...

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Мінгальов Володимир Олександрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод ганна з арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Ковтонюк Віктор Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: діод, ганна, арсеніду, напівпровідниковий, надвисокочастотний, галію

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю

Завантаження...

Номер патенту: 41770

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Рибак Роман Йосипович, Макашов Валерій Федорович, Солодовнік Анатолій Іванович, Павлинів Ярослав Ілліч, Олішевський Олександр Степанович

МПК: H01L 29/00

Мітки: стійкістю, напівпровідниковий, прилад, силовий, термодинамічною, високою

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю, що містить корпус, утворений з керамічного кільця і тонких металевих манжет, що з'єднують його з двома струмопровідними електродами, між якими знаходяться випрямний елемент, який складається з напівпровідникової структури та одного або двох термокомпенсаторів, і контактні прокладки, а також центруюче ізоляційне кільце, який відрізнясться тим, що центруюче ізоляційне...

Польовий емітер

Завантаження...

Номер патенту: 38140

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Чайка Василь Євгенович, Миронов Дмитро Вікторович, Жовнір Микола Федорович

МПК: H01L 29/00, H01J 19/00

Мітки: емітер, польовий

Текст:

...падку роль поверхні, що емітує електрони, відіграє межа поділу між матеріалом внутрішнього вістря і матеріалом зовнішнього покриття; q=1 і t2=1,1 параметри, пов'язані зі структурою катода і його матеріалу; jb - висота потенційного бар'єру між внутрішнім вістрям і зовнішнім покриттям. Очевидно, що найбільша щільність струму тунелювання має місце на вершині внутрішнього вістря внаслідок того, що на вершині внутрішнього вістря напруженість...

Високовольтний біполярний транзистор

Завантаження...

Номер патенту: 22218

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Назаренко Володимир Миколайович, Переверзев Анатолій Васильович, Базилєва Ірина Валентинівна, Пантюк Володимир Олександрович

МПК: H01L 27/06, H01L 29/00

Мітки: транзистор, високовольтний, біполярний

Формула / Реферат:

Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...

Статичний індукційний діод

Завантаження...

Номер патенту: 22193

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Гаращенко Микола Павлович, Назаренко Володимир Миколайович, Переверзев Анатолій Васильович, Пантюк Володимир Олександрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: індукційний, статичний, діод

Формула / Реферат:

Статический индукционный диод, содержащий базовую область n-типа, в которой на одинаковом расстоянии друг от друга сформированы глубокие области р+-типа, соединенные между собой нанесенной на поверхность структуры металлической пленкой, отличающийся тем, что в приповерхностном слое базы между р+-областями выполнен тонкий слой n+-типа, электрически соединенный с р+-областями металлической пленкой.

Високовольтний стабілітрон

Завантаження...

Номер патенту: 22192

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Антошин Сергій Володимирович, Переверзев Анатолій Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: стабілітрон, високовольтний

Формула / Реферат:

Высоковольтный стабилитрон, содержащий низковольтный стабилитрон, соединенный с источником напряжения, отличающийся тем, что он содержит статический индукционный транзистор, сток которого соединен с полюсом источника напряжения, а затвор, через низковольтный стабилитрон, соединен с истоком и с другим полюсом источника напряжения.

Спосіб формування бар’єра шотткі до напівпровіників а в

Завантаження...

Номер патенту: 4739

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Скакун Василь Захарович, Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: спосіб, шотткі, формування, бар'єра, напівпровіників

Формула / Реферат:

Способ формирования барьера Шоттки к полупроводникам AIIIBV, включающий нанесение на поверхность полупроводника путем магнетронного распыления пленки из соединений типа фаз внедрения: нитридов, боридов, карбидов или силицидов переходных металлов III-V групп при подаче на полупроводниковую подложку отрицательного смещения, отличающийся тем, что проводят магнетронное распыление фазы внедрения из мишени стехиометрического состава в инертной...