H01L 29/00 — Напівпровідникові прилади, спеціально призначені для випрямлення, посилення, генерування або перемикання і мають щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр; конденсатори або резистори, що містять щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр, наприклад мають збіднений шар з електронно-дірковий переходом або шар з підвищеною концентрацією носіїв; конструктивні елементи напівпровідникових підкладок або електродів для них

Номер патенту: 116965

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Возний Андрій Андрійович, Опанасюк Анатолій Сергійович, Косяк Володимир Володимирович

МПК: H01L 29/00

Мітки: спосіб, структур, г.п, отримання, гетероперехідних, методом, матеріалу, опромінення, вихідного, лазерного, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних структур n-SnS2/p-SnS, що включає вирощування шару дисульфіду олова (SnS2) з n-типом провідності шляхом термічного випаровування на підкладку вихідного матеріалу SnS2 у квазізамкненому об'ємі (КЗО), який відрізняється тим, що на поверхні одержаного шару SnS2 з n-типом провідності додатково формують однорідний за площею шар сульфіду олова (SnS) з p-типом провідності шляхом лазерного опромінення...

Номер патенту: 113378

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H04R 19/00, H01L 29/00

Мітки: пристрій, тиску, вимірювання, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги, вісім резисторів, загальну шину, два конденсатори та дві вихідні клеми, введені двостоковий тензочутливий МОН-транзистор, двозатворний МОН-транзистор, біполярний транзистор, індуктивність, причому перший та другий стоки двостокового тензочутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка...

Номер патенту: 113268

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Буров Олексій Миколайович, Шитов Олександр Леонідович

МПК: H01L 29/00, H02M 1/08

Мітки: спосіб, тиристором, формування, контролю, сигналу, управління, імпульсів

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування і контролю імпульсів сигналу управління тиристором, який полягає в тому, що від вхідного сигналу почергово формують задавальні імпульси, які підсилюють в більш потужні імпульси, останні підсумовують і перетворюють в імпульси сигналу управління тиристором; крім того, більш потужні імпульси, отримані до або після підсумовування, перетворюють в імпульси контрольного сигналу; формують заборонний сигнал, який відрізняється...

Номер патенту: 106825

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Кудрик Ярослав Ярославович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/268

Мітки: метал-si, виготовлення, систем, контактних, спосіб, термостійких

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...

Номер патенту: 105284

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Слонь Віктор Вікторович, Замота Тарас Миколайович, Лисенко Сергій Володимирович, Гриньків Андрій Вікторович, Бичовий Ігор Володимирович, Аулін Віктор Васильович, Голуб Дмитро Вадимович

МПК: H01L 29/00

Мітки: система, кодами, внутрішнього, електронна, помилок, режимом, стандартизованими, самодіагностики, двигуном, керування, згорання

Формула / Реферат:

Електронна система керування двигуном внутрішнього згорання з режимом самодіагностики та стандартизованими кодами помилок, що містить електронний блок керування двигуном, систему датчиків, виконавчі пристрої та роз'єм для діагностики, яка відрізняється тим, що в роз'єм встановлюють універсальний адаптер, що містить постійний запам'ятовуючий пристрій з адаптивним набором режимів роботи датчиків двигуна та блок аналізу і передачі параметрів до...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Голинна Тетяна Іванівна, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Слєпова Олександра Станіславівна, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович, Сай Павло Олегович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: основі, ганна, діод

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01L 27/00, H01G 4/00, H01G 11/00 ...

Мітки: спіновий, високочастотний, конденсатор

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Номер патенту: 102617

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Піскун Сергій Жанович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/105, H01L 29/00 ...

Мітки: фотоприймач, світлоструму, напівпровідниковий, регульованою, характеристикою, спектральною

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену р-область і вироджений компенсований шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі, направленому від n-області до р-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини компенсованого шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, з можливістю вводу вхідного...

Номер патенту: 71701

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Маруненко Юрій Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович, Крицька Тетяна Володимирівна, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Зоренко Олександр Вольтович, Рижков Микола Ігорович

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: діод, лавинно-пролітний, імпульсний

Формула / Реферат:

1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Савчук Андрій Йосипович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 29/26, C30B 31/20, C30B 9/00 ...

Мітки: fesexte1-x, монокристалічних, процес, fese, отримання, твердих, злитків, розчинів

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Номер патенту: 66914

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 29/00

Мітки: діод, металів, контактною, платинової, групи, системою, лавинно-пролітний, основі

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...

Номер патенту: 66045

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Стовбчата Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/00, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: магнітного, сенсор, поля

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля, який містить перший магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, другий магніточутливий діод, два резистори,...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 9/00, C30B 29/46, C30B 31/20 ...

Мітки: fesexte1-x, полікристалічних, злитків, розчинів, процес, твердих, отримання, fese

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Раєвська Нелля Сергіївна, Веремійченко Георгій Микитович, Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: фосфіду, індію, ганна, діод

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Кудрик Ярослав Ярославович, Міленін Віктор Володимирович, Іванов Володимир Миколайович, Конакова Раїса Васильйовна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Бєляєв Олександр Євгенійович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: індія, діод, ганна, фосфіду

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Номер патенту: 49867

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Личман Кирило Олексійович, Коростинська Тамара Васильовна, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00

Мітки: системою, лавинно-пролітний, термостійкою, діод, контактною

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...

Номер патенту: 42025

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Лисенко Сергій Володимирович, Жулай Олександр Юрійович, Бобрицький Віталій Миколайович, Аулін Віктор Васильович, Кузик Олександр Володимирович, Лівіцький Олександр Миколайович, Панарін Дмитро Євгенійович, Голуб Дмитро Вадимович, Барановський Денис Миколайович

МПК: H01L 29/00, F02D 43/04

Мітки: електронна, автомобільним, внутрішнього, керування, двигуном, система, згоряння

Формула / Реферат:

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння, що складається з блока взаємодії з периферичними системами автомобіля, системи виконавчих пристроїв, системи датчиків, електронного блока керування двигуном та його складових: оперативно-запам'ятовуючого пристрою, постійного запам'ятовуючого пристрою, електронно-програмованого запам'ятовуючого пристрою, інтегрованого блока керування режимами роботи двигуна, блока...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Хацевич Ігор Мирославович, Романюк Борис Миколайович, Мельник Віктор Павлович, Попов Валентин Георгійович, Мельник Павло Вікентієвич

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: виготовлення, кремнієвої, спосіб, структури, фотолюмінесцентної, нанокластерної

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Попов Валентин Георгійович, Романюк Борис Миколайович, Мельник Віктор Павлович, Гамов Дмитро Вікторович, Оберемок Олександр Степанович, Хацевич Ігор Мирославович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: кремнієвої, виготовлення, фотолюмінесцентної, спосіб, нанокластерної, структури

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Пріц Іван Павлович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: матеріалу, енергії, джерела, міді, полікристалічного, твердоелектролітичного, застосування, cu6ps5i, композита, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 36772

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Громова Галина Володимирівна, Коломоєць Володимир Васильович, Горін Андрій Євгенович

МПК: H01L 29/00

Мітки: р-мон-транзистор

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, що складається з монокристалічної напівпровідникової підкладинки n-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки, плівки діелектрика і металічного затвора, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку {100}.2. р-МОН-транзистор за п. 1, який...

Номер патенту: 30430

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Ткаченко Віктор Михайлович, Ткаченко Михайло Вікторович, Бандура Іван Миколайович, Макаренко Валентин Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: узгоджуючий, підсилювач

Формула / Реферат:

Узгоджуючий підсилювач, що містить nрn-транзистор, включений за схемою із загальним колектором, вхід бази транзистора підключений до виходу перетворювача модульованих по тривалості імпульсів у постійну напругу, що змінюється, колектор транзистора з'єднаний з позитивним виводом блока живлення, навантажувальний резистор з'єднаний з виходом підсилювача й катодом діода прив'язки пристрою керування керованого випрямляча, анод цього діода з'єднаний...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Слєпова Олександра Станіславівна, Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Миколаєнко Валентина Іванівна, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: лавино-пролітний, діод

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...

Номер патенту: 26123

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Лисенко Сергій Володимирович, Аулін Віктор Васильович, Бісюк Віктор Анатолійович, Панарін Дмитро Євгенійович, Жулай Олександр Юрійович, Бобрицький Віталій Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: двигуном, автомобільним, згоряння, електронна, система, керування, внутрішнього

Формула / Реферат:

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння, що складається з електронного блока керування двигуном, системи датчиків та системи виконавчих пристроїв, яка відрізняється тим, що в електронний блок керування двигуном встановлюють блок керування режимами, що містить постійний запам’ятовуючий пристрій з набором режимів роботи двигуна та блок системи аналізу і збереження параметрів стилю керування водія, а контроль і...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/70, H01L 29/00, H01J 37/30 ...

Мітки: мдн-транзистора, спосіб, кремнієвого, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Никифоров Станислав Миколайович, Мінгальов Володимир Олександрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: галію, ганна, арсеніду, діод, надвисокочастотний, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 41770

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Рибак Роман Йосипович, Павлинів Ярослав Ілліч, Олішевський Олександр Степанович, Макашов Валерій Федорович, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 29/00

Мітки: прилад, стійкістю, силовий, напівпровідниковий, високою, термодинамічною

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю, що містить корпус, утворений з керамічного кільця і тонких металевих манжет, що з'єднують його з двома струмопровідними електродами, між якими знаходяться випрямний елемент, який складається з напівпровідникової структури та одного або двох термокомпенсаторів, і контактні прокладки, а також центруюче ізоляційне кільце, який відрізнясться тим, що центруюче ізоляційне...

Номер патенту: 38140

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Жовнір Микола Федорович, Чайка Василь Євгенович, Миронов Дмитро Вікторович

МПК: H01L 29/00, H01J 19/00

Мітки: польовий, емітер

Текст:

...падку роль поверхні, що емітує електрони, відіграє межа поділу між матеріалом внутрішнього вістря і матеріалом зовнішнього покриття; q=1 і t2=1,1 параметри, пов'язані зі структурою катода і його матеріалу; jb - висота потенційного бар'єру між внутрішнім вістрям і зовнішнім покриттям. Очевидно, що найбільша щільність струму тунелювання має місце на вершині внутрішнього вістря внаслідок того, що на вершині внутрішнього вістря напруженість...

Номер патенту: 22218

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Пантюк Володимир Олександрович, Переверзев Анатолій Васильович, Назаренко Володимир Миколайович, Базилєва Ірина Валентинівна

МПК: H01L 27/06, H01L 29/00

Мітки: біполярний, транзистор, високовольтний

Формула / Реферат:

Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...

Номер патенту: 22193

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Пантюк Володимир Олександрович, Гаращенко Микола Павлович, Назаренко Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: статичний, діод, індукційний

Формула / Реферат:

Статический индукционный диод, содержащий базовую область n-типа, в которой на одинаковом расстоянии друг от друга сформированы глубокие области р+-типа, соединенные между собой нанесенной на поверхность структуры металлической пленкой, отличающийся тем, что в приповерхностном слое базы между р+-областями выполнен тонкий слой n+-типа, электрически соединенный с р+-областями металлической пленкой.

Номер патенту: 22192

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Антошин Сергій Володимирович, Переверзев Анатолій Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: високовольтний, стабілітрон

Формула / Реферат:

Высоковольтный стабилитрон, содержащий низковольтный стабилитрон, соединенный с источником напряжения, отличающийся тем, что он содержит статический индукционный транзистор, сток которого соединен с полюсом источника напряжения, а затвор, через низковольтный стабилитрон, соединен с истоком и с другим полюсом источника напряжения.

Номер патенту: 4739

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Скакун Василь Захарович, Іванов Володимир Миколайович, Коваленко Леонід Євгенійович

МПК: H01L 29/00

Мітки: шотткі, напівпровіників, спосіб, бар'єра, формування

Формула / Реферат:

Способ формирования барьера Шоттки к полупроводникам AIIIBV, включающий нанесение на поверхность полупроводника путем магнетронного распыления пленки из соединений типа фаз внедрения: нитридов, боридов, карбидов или силицидов переходных металлов III-V групп при подаче на полупроводниковую подложку отрицательного смещения, отличающийся тем, что проводят магнетронное распыление фазы внедрения из мишени стехиометрического состава в инертной...