H01L 29/00 — Напівпровідникові прилади, спеціально призначені для випрямлення, посилення, генерування або перемикання і мають щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр; конденсатори або резистори, що містять щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр, наприклад мають збіднений шар з електронно-дірковий переходом або шар з підвищеною концентрацією носіїв; конструктивні елементи напівпровідникових підкладок або електродів для них

Номер патенту: 116965

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Опанасюк Анатолій Сергійович, Возний Андрій Андрійович, Косяк Володимир Володимирович

МПК: H01L 29/00

Мітки: тонкоплівкових, спосіб, методом, опромінення, матеріалу, отримання, гетероперехідних, структур, г.п, лазерного, вихідного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних структур n-SnS2/p-SnS, що включає вирощування шару дисульфіду олова (SnS2) з n-типом провідності шляхом термічного випаровування на підкладку вихідного матеріалу SnS2 у квазізамкненому об'ємі (КЗО), який відрізняється тим, що на поверхні одержаного шару SnS2 з n-типом провідності додатково формують однорідний за площею шар сульфіду олова (SnS) з p-типом провідності шляхом лазерного опромінення...

Номер патенту: 113378

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H04R 19/00, H01L 29/00

Мітки: мікроелектронний, тиску, вимірювання, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги, вісім резисторів, загальну шину, два конденсатори та дві вихідні клеми, введені двостоковий тензочутливий МОН-транзистор, двозатворний МОН-транзистор, біполярний транзистор, індуктивність, причому перший та другий стоки двостокового тензочутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка...

Номер патенту: 113268

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Шитов Олександр Леонідович, Буров Олексій Миколайович

МПК: H02M 1/08, H01L 29/00

Мітки: формування, імпульсів, спосіб, сигналу, контролю, управління, тиристором

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування і контролю імпульсів сигналу управління тиристором, який полягає в тому, що від вхідного сигналу почергово формують задавальні імпульси, які підсилюють в більш потужні імпульси, останні підсумовують і перетворюють в імпульси сигналу управління тиристором; крім того, більш потужні імпульси, отримані до або після підсумовування, перетворюють в імпульси контрольного сигналу; формують заборонний сигнал, який відрізняється...

Номер патенту: 106825

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/268, H01L 29/00

Мітки: метал-si, систем, виготовлення, контактних, термостійких, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...

Номер патенту: 105284

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Замота Тарас Миколайович, Слонь Віктор Вікторович, Бичовий Ігор Володимирович, Лисенко Сергій Володимирович, Голуб Дмитро Вадимович, Гриньків Андрій Вікторович, Аулін Віктор Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: стандартизованими, режимом, кодами, система, керування, внутрішнього, двигуном, самодіагностики, електронна, згорання, помилок

Формула / Реферат:

Електронна система керування двигуном внутрішнього згорання з режимом самодіагностики та стандартизованими кодами помилок, що містить електронний блок керування двигуном, систему датчиків, виконавчі пристрої та роз'єм для діагностики, яка відрізняється тим, що в роз'єм встановлюють універсальний адаптер, що містить постійний запам'ятовуючий пристрій з адаптивним набором режимів роботи датчиків двигуна та блок аналізу і передачі параметрів до...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Слєпова Олександра Станіславівна, Веремійченко Георгій Микитович, Семенов Олександр Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сай Павло Олегович, Голинна Тетяна Іванівна, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: діод, основі, ганна

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01L 27/00, H01G 4/00, H01G 11/00 ...

Мітки: конденсатор, спіновий, високочастотний

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Номер патенту: 102617

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Піскун Сергій Жанович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/105, H01L 29/00 ...

Мітки: світлоструму, напівпровідниковий, спектральною, характеристикою, фотоприймач, регульованою

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену р-область і вироджений компенсований шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі, направленому від n-області до р-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини компенсованого шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, з можливістю вводу вхідного...

Номер патенту: 71701

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Крицька Тетяна Володимирівна, Маруненко Юрій Володимирович, Рижков Микола Ігорович, Зоренко Олександр Вольтович, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: лавинно-пролітний, імпульсний, діод

Формула / Реферат:

1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Савчук Андрій Йосипович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/26, C30B 31/20, C30B 9/00 ...

Мітки: fesexte1-x, отримання, розчинів, злитків, монокристалічних, fese, процес, твердих

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Номер патенту: 66914

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00

Мітки: платинової, металів, контактною, системою, лавинно-пролітний, діод, основі, групи

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...

Номер патенту: 66045

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Стовбчата Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 43/00, H01L 29/00, G01R 33/06 ...

Мітки: поля, магнітного, сенсор

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля, який містить перший магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, другий магніточутливий діод, два резистори,...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 29/46, C30B 31/20, C30B 9/00 ...

Мітки: твердих, розчинів, отримання, fese, процес, fesexte1-x, полікристалічних, злитків

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Раєвська Нелля Сергіївна, Веремійченко Георгій Микитович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: діод, фосфіду, індію, ганна

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Конакова Раїса Васильйовна, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Ковтонюк Віктор Михайлович, Бєляєв Олександр Євгенійович, Веремійченко Георгій Микитович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Міленін Віктор Володимирович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: фосфіду, ганна, індія, діод

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Номер патенту: 49867

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Васильовна, Личман Кирило Олексійович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна

МПК: H01L 29/00

Мітки: системою, термостійкою, контактною, діод, лавинно-пролітний

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...

Номер патенту: 42025

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Барановський Денис Миколайович, Аулін Віктор Васильович, Бобрицький Віталій Миколайович, Голуб Дмитро Вадимович, Жулай Олександр Юрійович, Кузик Олександр Володимирович, Лисенко Сергій Володимирович, Лівіцький Олександр Миколайович, Панарін Дмитро Євгенійович

МПК: F02D 43/04, H01L 29/00

Мітки: система, внутрішнього, двигуном, автомобільним, керування, електронна, згоряння

Формула / Реферат:

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння, що складається з блока взаємодії з периферичними системами автомобіля, системи виконавчих пристроїв, системи датчиків, електронного блока керування двигуном та його складових: оперативно-запам'ятовуючого пристрою, постійного запам'ятовуючого пристрою, електронно-програмованого запам'ятовуючого пристрою, інтегрованого блока керування режимами роботи двигуна, блока...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Мельник Павло Вікентієвич, Хацевич Ігор Мирославович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: нанокластерної, спосіб, кремнієвої, виготовлення, фотолюмінесцентної, структури

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Мельник Віктор Павлович, Хацевич Ігор Мирославович, Гамов Дмитро Вікторович, Оберемок Олександр Степанович, Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/00

Мітки: кремнієвої, структури, виготовлення, спосіб, нанокластерної, фотолюмінесцентної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович, Пріц Іван Павлович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01L 29/00

Мітки: енергії, йодид-пентатіофосфату, композита, джерела, полікристалічного, матеріалу, міді, cu6ps5i, застосування, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 36772

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Коломоєць Володимир Васильович, Горін Андрій Євгенович, Громова Галина Володимирівна, Єрмаков Валерій Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: р-мон-транзистор

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, що складається з монокристалічної напівпровідникової підкладинки n-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки, плівки діелектрика і металічного затвора, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку {100}.2. р-МОН-транзистор за п. 1, який...

Номер патенту: 30430

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Ткаченко Михайло Вікторович, Ткаченко Віктор Михайлович, Бандура Іван Миколайович, Макаренко Валентин Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: підсилювач, узгоджуючий

Формула / Реферат:

Узгоджуючий підсилювач, що містить nрn-транзистор, включений за схемою із загальним колектором, вхід бази транзистора підключений до виходу перетворювача модульованих по тривалості імпульсів у постійну напругу, що змінюється, колектор транзистора з'єднаний з позитивним виводом блока живлення, навантажувальний резистор з'єднаний з виходом підсилювача й катодом діода прив'язки пристрою керування керованого випрямляча, анод цього діода з'єднаний...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Слєпова Олександра Станіславівна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Миколаєнко Валентина Іванівна, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/864

Мітки: лавино-пролітний, діод

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...

Номер патенту: 26123

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Аулін Віктор Васильович, Бісюк Віктор Анатолійович, Панарін Дмитро Євгенійович, Лисенко Сергій Володимирович, Бобрицький Віталій Миколайович, Жулай Олександр Юрійович

МПК: H01L 29/00

Мітки: внутрішнього, керування, система, електронна, двигуном, згоряння, автомобільним

Формула / Реферат:

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння, що складається з електронного блока керування двигуном, системи датчиків та системи виконавчих пристроїв, яка відрізняється тим, що в електронний блок керування двигуном встановлюють блок керування режимами, що містить постійний запам’ятовуючий пристрій з набором режимів роботи двигуна та блок системи аналізу і збереження параметрів стилю керування водія, а контроль і...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 29/00, H01J 37/30, H01L 21/70 ...

Мітки: кремнієвого, отримання, мдн-транзистора, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 29/00

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: галію, ганна, арсеніду, діод, напівпровідниковий, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 41770

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Павлинів Ярослав Ілліч, Рибак Роман Йосипович, Олішевський Олександр Степанович, Макашов Валерій Федорович

МПК: H01L 29/00

Мітки: термодинамічною, силовий, високою, стійкістю, прилад, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю, що містить корпус, утворений з керамічного кільця і тонких металевих манжет, що з'єднують його з двома струмопровідними електродами, між якими знаходяться випрямний елемент, який складається з напівпровідникової структури та одного або двох термокомпенсаторів, і контактні прокладки, а також центруюче ізоляційне кільце, який відрізнясться тим, що центруюче ізоляційне...

Номер патенту: 38140

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Миронов Дмитро Вікторович, Чайка Василь Євгенович, Жовнір Микола Федорович

МПК: H01J 19/00, H01L 29/00

Мітки: польовий, емітер

Текст:

...падку роль поверхні, що емітує електрони, відіграє межа поділу між матеріалом внутрішнього вістря і матеріалом зовнішнього покриття; q=1 і t2=1,1 параметри, пов'язані зі структурою катода і його матеріалу; jb - висота потенційного бар'єру між внутрішнім вістрям і зовнішнім покриттям. Очевидно, що найбільша щільність струму тунелювання має місце на вершині внутрішнього вістря внаслідок того, що на вершині внутрішнього вістря напруженість...

Номер патенту: 22218

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Базилєва Ірина Валентинівна, Пантюк Володимир Олександрович, Назаренко Володимир Миколайович

МПК: H01L 27/06, H01L 29/00

Мітки: біполярний, високовольтний, транзистор

Формула / Реферат:

Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...

Номер патенту: 22193

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Пантюк Володимир Олександрович, Назаренко Володимир Миколайович, Переверзев Анатолій Васильович, Гаращенко Микола Павлович

МПК: H01L 29/00

Мітки: індукційний, статичний, діод

Формула / Реферат:

Статический индукционный диод, содержащий базовую область n-типа, в которой на одинаковом расстоянии друг от друга сформированы глубокие области р+-типа, соединенные между собой нанесенной на поверхность структуры металлической пленкой, отличающийся тем, что в приповерхностном слое базы между р+-областями выполнен тонкий слой n+-типа, электрически соединенный с р+-областями металлической пленкой.

Номер патенту: 22192

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Антошин Сергій Володимирович, Переверзев Анатолій Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: високовольтний, стабілітрон

Формула / Реферат:

Высоковольтный стабилитрон, содержащий низковольтный стабилитрон, соединенный с источником напряжения, отличающийся тем, что он содержит статический индукционный транзистор, сток которого соединен с полюсом источника напряжения, а затвор, через низковольтный стабилитрон, соединен с истоком и с другим полюсом источника напряжения.

Номер патенту: 4739

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович

МПК: H01L 29/00

Мітки: формування, спосіб, бар'єра, шотткі, напівпровіників

Формула / Реферат:

Способ формирования барьера Шоттки к полупроводникам AIIIBV, включающий нанесение на поверхность полупроводника путем магнетронного распыления пленки из соединений типа фаз внедрения: нитридов, боридов, карбидов или силицидов переходных металлов III-V групп при подаче на полупроводниковую подложку отрицательного смещения, отличающийся тем, что проводят магнетронное распыление фазы внедрения из мишени стехиометрического состава в инертной...