H01L 27/00 — Прилади, що складаються з декількох напівпровідникових або інших компонентів на твердому тілі, сформованих на одній спільній підкладці або всередині неї

Музичний фонтан

Завантаження...

Номер патенту: 123208

Опубліковано: 12.02.2018

Автор: Фіщук Сергій Віталійович

МПК: F04F 5/54, B05B 17/08, F21W 121/02 ...

Мітки: фонтан, музичній

Формула / Реферат:

1. Музичний фонтан, що містить чашу (1), засоби для викидання води, художній елемент, розташований в центрі чаші (1), елементи підсвічування фонтана, елементи музичного супроводу фонтана, при цьому на дні чаші фонтана встановлене насосне обладнання (2), яке підключають до аналогового перетворювача, виходи якого підключені до програмного пристрою, на вхід програмного пристрою підключені також таймер поточного часу, при цьому з виходу...

Джерело опорної напруги

Завантаження...

Номер патенту: 117377

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Обертюх Максим Романович, Гарнага Володимир Анатолійович, Азаров Олексій Дмитрович

МПК: G05F 1/08, H01L 27/00

Мітки: напруги, опорної, джерело

Формула / Реферат:

Джерело опорної напруги, що містить шину живлення, шину нульового потенціалу, два транзистора, два резистора і стабілітрон, причому стабілітрон сполучений анодом з шиною нульового потенціалу, перший резистор сполучений першим входом з емітером першого транзистора і другим входом з шиною нульового потенціалу, другий резистор сполучений першим виходом з шиною живлення, яке відрізняється тим, що введено третій транзистор, третій резистор,...

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників

Завантаження...

Номер патенту: 102232

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Коробіцин Борис Васильович, Криськів Світлана Казимирівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 27/00, G01R 31/28

Мітки: ширини, зони, забороненої, напівпровідників, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників за вимірянням вольтамперних характеристик при двох температурах, який відрізняється тим, що на гомогенних p-n-структурах при двох невисоких температурах кімнатній та вищій на 30…50 °C, вимірюються вольт-амперні характеристики при струмах, що відповідають лінійній ділянці, з котрих екстраполяцією до нуля струму визначаються струмові напруги відсічки і по отриманій формулі...

Високочастотний спіновий конденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 11/00, H01L 29/00, H01G 4/00, H01L 27/00 ...

Мітки: спіновий, конденсатор, високочастотний

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Модуль лінійного індукційного прискорювача

Завантаження...

Номер патенту: 72041

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Ложкін Руслан Сергіович, Гурин Анатолій Григорович, Корнілов Євген Олександрович

МПК: H01L 27/00, H05H 11/00, H05H 9/00 ...

Мітки: індукційного, модуль, прискорювача, лінійного

Формула / Реферат:

Модуль лінійного індукційного прискорювача, який містить корпус, індуктори, вакуумні ізолятори, центральні електроди, в яких розташовані котушки фокусування і металеві дрейфові трубки, який відрізняється тим, що індуктори розміщені по радіусу між градієнтними електродами вздовж кожного плоского вакуумного ізолятора, при цьому від джерела живлення до кожного первинного витка індукторів послідовно підведено окремий енергопровід, хвильовий опір...

Напівпровідниковий сенсор оптичної потужності

Завантаження...

Номер патенту: 69636

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: сенсор, напівпровідниковий, оптично, потужності

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, перший, другий і третій резистори, перший і другий конденсатори, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід третього резистора та другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який...

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра

Завантаження...

Номер патенту: 62951

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H01L 27/00

Мітки: елемент, чутливий, автоемісійний, акселерометра

Формула / Реферат:

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра, який складається із напівпровідникової підкладки, що являє собою перший електрод, на яку послідовно нанесені діелектрична плівка з витравленою ділянкою, електропровідна плівка, що являє собою другий електрод, який відрізняється тим, що перший електрод, другий електрод, основою якого є структура "кремній-на-ізоляторі", виготовлені у формі загострених вістер, які розмішені один навпроти...

Мікроелектронний сенсор рівня рідини з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 55475

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: частотним, сенсор, рівня, виходом, рідини, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор рівня рідини з частотним виходом, який містить оптоволоконний розгалужувач, що має першу та другу оптоволоконну лінію та вихідні оптоволокна, джерело світла, фотодіод, причому джерело світла підключене до оптоволоконного розгалужувача через першу оптоволоконну лінію, а фотодіод підключений до оптоволоконного розгалужувача через другу оптоволоконну лінію, який відрізняється тим, що введено вимірювальне коло, яке...

Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності

Завантаження...

Номер патенту: 55474

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: оптично, мікроелектронний, потужності, частотний, сенсор

Формула / Реферат:

Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело...

Пристрій формування основного кадру

Завантаження...

Номер патенту: 53867

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Курячий Євген Віталійович, Горбулін Володимир Павлович, Конюхов Станіслав Миколайович, Свириденко Анатолій Олексійович, Яковлев Віталій Васильович, Колесник Костянтин Іванович, Немчин Олександр Федорович

МПК: H05K 1/00, H01L 25/00, G01D 5/00, H01L 27/00 ...

Мітки: основного, пристрій, кадру, формування

Формула / Реферат:

1. Пристрій формування основного кадру, що містить блок управління і формування, блок живлення, перший, другий, третій, четвертий, п'ятий, шостий та сьомий роз'єми для під'єднання локальних комутаторів та джерел електроживлення, при цьому перший вихід блока управління і формування з'єднано багатоканальною лінією зв'язку з входом першого роз’єму, другий вихід блока управління і формування з'єднано багатоканальною лінією зв'язку з входом...

Пристрій для вимірювання оптичного випромінювання з активним індуктивним фоточутливим елементом

Завантаження...

Номер патенту: 92244

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: активним, пристрій, випромінювання, індуктивним, елементом, вимірювання, оптичного, фоточутливим

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання оптичного випромінювання з активним індуктивним фоточутливим елементом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, два резистори, який відрізняється тим, що додатково містить другий та третій МДН-фототранзистори, причому всі три МДН-фототранзистори виконані з прозорим затворним електродом із ауруму, чутливим до оптичного випромінювання, а поверхня підкладки, вільна від...

Тривимірний мон-транзистор зі структурою “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 49691

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H01L 27/00

Мітки: мон-транзистор, структурою, тривимірний, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Тривимірний МОН-транзистор зі структурою "кремній-на-ізоляторі", який складається із кремнієвої підкладки р-типу провідності, на якій послідовно сформовані шар ізолятора, підканальна область у вигляді монокристалічної плівки кремнію р- або n-типу провідності, шар підзатворного діелектрика, затвор і прилеглі до затвора стік-витокові області, леговані електрично активною домішкою n- або р-типу провідності відповідно, який...

Пристрій для вимірювання оптичної потужності з частотним виходом на основі фоточутливих транзисторів

Завантаження...

Номер патенту: 42212

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: виходом, фоточутлівих, оптично, транзисторів, частотним, вимірювання, потужності, основі, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання оптичної потужності з частотним виходом на основі фоточутливих транзисторів, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два резистори, два конденсатори, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини,...

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 42211

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: мікроелектронний, частотним, виходом, оптичного, вимірювач, випромінювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим,...

Транзисторний фоточутливий сенсор з двостороннім освітленням каналу

Завантаження...

Номер патенту: 42210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: двостороннім, транзисторний, освітленням, сенсор, каналу, фоточутливий

Формула / Реферат:

Транзисторний фоточутливий сенсор з двостороннім освітленням каналу, який містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано прозорий до оптичного випромінювання затворний електрод із ауруму, причому області стоку, витоку і прозорий затворний електрод із Аu розташовані на одній площині, витік зв'язаний зі стоком через канал, який відрізняється тим, що поверхня напівпровідникової підкладки, покрита...

Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури

Завантаження...

Номер патенту: 42207

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: структури, основі, фоточутливої, оптичного, сенсор, випромінювання, транзисторної, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний...

Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 42205

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: частотним, мікроелектронний, сенсор, оптично, виходом, потужності

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, пасивну...

Оптичний газовий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 33757

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Гасинець Вячеслав Омелянович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: G01N 21/01, H01L 33/00, H01L 27/00 ...

Мітки: сенсор, газовий, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний газовий сенсор, що містить корпус, оптичний елемент, який має дві робочі поверхні, джерело випромінювання, вихідне вікно, джерело живлення, який відрізняється тим, що джерело випромінювання, яке складається з не менше двох випромінюючих активних елементів, які випромінюють на одній або різних довжинах хвиль, що узгоджені з відповідною довжиною селективної смуги поглинання аналізуючого газу або компонентів в газовій суміші,...

Оптичний газовий датчик

Завантаження...

Номер патенту: 33756

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Гасинець Вячеслав Омелянович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: H01L 27/00, G01N 21/01, H01L 33/00 ...

Мітки: оптичний, газовий, датчик

Формула / Реферат:

Оптичний газовий датчик, що містить корпус, оптичний елемент, який має дві робочі поверхні, джерело випромінювання, вихідне вікно, джерело живлення, який відрізняється тим, що джерело випромінювання, яке складається з  випромінюючих активних елементів, які випромінюють на одній або різних довжинах хвиль, що узгоджені з відповідною довжиною селективної смуги поглинання...

Транзисторний еквівалент котушки індуктивності

Завантаження...

Номер патенту: 23904

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Мірошникова Сніжана Віталіївна, Булига Ігор Васильович, Філинюк Микола Антонович, Барабан Марія Володимирівна

МПК: G01R 27/28, H01L 27/00

Мітки: транзисторний, еквівалент, котушки, індуктивності

Формула / Реферат:

Транзисторний еквівалент котушки індуктивності, що містить транзистор, база якого під'єднана до першого виводу першого резистора, другий вивід першого резистора з'єднаний з шиною живлення, а емітер через другий резистор з'єднаний з шиною живлення і через перший розділовий конденсатор з вхідною клемою, між базою і загальною шиною послідовно ввімкнені другий розділовий конденсатор і третій резистор, який відрізняється тим, що як транзистор...

Електричний конденсатор з чистоплівковим діелектриком

Завантаження...

Номер патенту: 68632

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Перекупка Інна Андріївна, Гунько Віктор Іванович, Дмитрішин Олексій Ярославович, Онищенко Лідія Іванівна, Гребенников Ігор Юрійович

МПК: H01G 15/00, H01L 27/00

Мітки: конденсатор, діелектриком, чистоплівковим, електричний

Формула / Реферат:

Електричний конденсатор з чистоплівковим діелектриком, що містить кришку з струмовиводами, корпус з розміщеним у ньому пакетом мотаних конденсаторних секцій, що складаються з двох обкладок із шорсткуватої фольги і розташованих між ними двох наборів просоченого діелектрика із шарів полімерної односторонньо шорсткуватої плівки, який відрізняється тим, що обкладки виконані з односторонньо шорсткуватої фольги, причому кожна з фольгових обкладок...

Вимірювальний перетворювач потужності на нвч

Завантаження...

Номер патенту: 43000

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Костенко Віталій Леонідович, Кісельов Єгор Миколайович

МПК: H01L 27/00, G01R 21/00

Мітки: перетворювач, вимірювальний, потужності, нвч

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач потужності на НВЧ, що включає кремнієву рамку з виконаним у ній підсилювальним елементом, діелектричну основу з розташованими на ній керуючим елементом із нижнім і верхнім електродами, чутливим елементом і міжелементні з'єднання між підсилювальним і керуючими елементами, який відрізняється тим, що діелектрична основа з керуючим елементом із нижнім і верхнім електродами і чутливим елементом розташовані послідовно над...

Конденсатор

Завантаження...

Номер патенту: 4831

Опубліковано: 28.12.1994

Автор: Титов Михайло Миколайович

МПК: H01G 5/00, H01L 27/00

Мітки: конденсатор

Формула / Реферат:

Конденсатор, содержащий металлические фольговые обкладки, пропитанный диэлектрик между ними и токовыводы с лепестками, примыка­ющие к обкладкам, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, он снабжен двумя дополнительными металлическими фольговыми обкладками, каждая из которых расположена меж­ду токовыводами с лепестками и диэлектриком.